• 【資料】超高速フローサイトメーターを最大限に活用するヒントとコツ 製品画像

    【資料】超高速フローサイトメーターを最大限に活用するヒントとコツ

    PRハイスループット処理とマルチプレックス解析を実現!超高速フローサイトメ…

    当資料では、超高速のフローサイトメトリープラットフォームを最大限に活用するヒントとコツについて解説しております。 細胞ベースの分析では、細胞単位ベースでの情報を提供する機器としてフローサイトメーターが依然として有力なツールです。 しかし従来のフローサイトメーターは、ハイスループットなデータ獲得が要求される最新の創薬研究に適した設計ではなく、 そのまま研究ワークフローに当てはめようとすると、ワーク...

    メーカー・取り扱い企業: ザルトリウス・ジャパン株式会社

  • NMRと分子動力学計算の低分子化合物-タンパク質間相互作用の解析 製品画像

    NMRと分子動力学計算の低分子化合物-タンパク質間相互作用の解析

    PRNMRとMD計算で低分子化合物とタンパク質の相互作用を評価できます。

    生理活性化合物の中には、タンパク質を標的として作用する化合物が数多く存在します。そのため、低分子化合物とタンパク質間の相互作用について構造的な知見を得ることは薬剤の開発にとって非常に重要です。 本資料では、NMRと分子動力学計算を用いて溶液中におけるL-トリプトファンとウシ血清アルブミン(BSA)の相互作用を解析した事例を紹介します。...詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせくださ...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 表面分析 二次イオン質量分析(SIMS) 製品画像

    表面分析 二次イオン質量分析(SIMS)

    物理分析を行う装置を揃え、立会い分析も可能な受託分析サービスを行ってい…

    主な装置は「HR-TEM」「Q-pole型SIMS」「μESCA」「RAMAN」など。ミクロ・ナノレベルの表面分析におけるノウハウの蓄積があり、信頼性の高いデータを短期間で提供することができます。また未知試料の分析についてもアドバイスします。 【表面分析 二次イオン質量分析(SIMS)】 ○数keVのC...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター

  • 「ESCAによる多層膜の深さ分析」 事例集 製品画像

    「ESCAによる多層膜の深さ分析」 事例集

    光電子分光分析装置(ESCA)を使用した多層膜の深さ分析結果を掲載!

    当事例集は、イオン注入、成膜・分析、研究・事業化マネジメントの サービスなどを提供している株式会社イオンテクノセンターの光電子 分光分析装置「ESCA」による多層膜の深さ分析の事例集です。 シリコン基板の上にシリコン酸化膜...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター

  • マイクロESCAによる分析 事例集 製品画像

    マイクロESCAによる分析 事例集

    400LPIの銅メッシュ(メッシュ間隔:63.5μm)の分析結果を掲載…

    当事例集では、400LPIの銅メッシュ(メッシュ間隔:63.5μm)を マイクロESCA(Quantum-2000)により分析した結果を紹介しております。 二次電子像から分析視野を指定してその領域の銅の面分析を行った結果 二次電子像に対応した銅の分布が得られ、さらにこのデータから測長機能を 利用してメッシュ間距離...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター

  • 分析装置『ESCA』 製品画像

    分析装置『ESCA』

    当社のESCAはX線プローブ径を5μmまで絞れます!面分析も可能です。

    『ESCA』は、X線プローブ径を5μmまで絞ることが可能な X線光電子分光分析装置です。 X線を走査しながら照射することによって発生する二次電子像 (SXI:Scanning X-ray Image)により測定場所を特定して、局所的な 組成および化学結合状態の分析が...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター

  • 【Q&A】イオン注入・分析のよくあるご質問 製品画像

    【Q&A】イオン注入・分析のよくあるご質問

    イオン注入・分析のよくあるご質問をQ&A形式でご紹介しています

    イオンテクノセンターは、先端材料へのイオン注入サービスを行っております。 資料では、イオン注入・分析のよくあるご質問をQ&A形式でご紹介。 「イオン注入とは?」をはじめ、「アモルファスとは?」や 「サンプルなどの情報の機密保持は?」等、様々なご質問にお答えしています。 【掲載内容(抜...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター

  • マイクロESCAによる分析 製品画像

    マイクロESCAによる分析

    当社のESCAは X 線プローブ径を5μmまで絞ることができます。

    400LPI の銅メッシュ(メッシュ間隔:63.5μm)をマイクロ ESCA (Quantum-2000)により分析した例を紹介します。 二次電子像から分析視野を指定してその領域の銅の面分析を行いましたが、 二次電子像に対応した銅の分布が得られました。 さらにこのデータから測長機能を利用してメッシュ間距...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター

  • 微少領域形態観察 透過電子顕微鏡(HR-TEM) 製品画像

    微少領域形態観察 透過電子顕微鏡(HR-TEM)

    物理分析を行う装置を揃え、立会い分析も可能な受託分析サービスを行ってい…

    主な装置は「HR-TEM」「Q-pole型SIMS」「μESCA」「RAMAN」など。ミクロ・ナノレベルの表面分析におけるノウハウの蓄積があり、信頼性の高いデータを短期間で提供することができます。また未知試料の分析についてもアドバイスします。 【微少領域形態観察 透過電子顕微鏡(HR-TEM)】 ○高速...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター

  • 株式会社イオンテクノセンター 会社案内 製品画像

    株式会社イオンテクノセンター 会社案内

    イオン注入・成膜・分析の技術と設備をさまざまな分野のイノベーションにつ…

    株式会社イオンテクノセンターは、時代の求めるプロフェッショナル 集団として、前身であるイオン工学研究所の事業を引き継いだ形で 誕生いたしました。 特にイオン注入、成膜、分析を中心とした技術と設備を備えた先端の 研究開発を行い、日本を代表する創造的ラボラトリーをめざします。 【事業内容】 ■イオン工学に関する研究開発受託 ■イオン工学に関する装置による金属、...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター

  • 組成比勾配のあるSi(1-x)Gex 試料の定量化 製品画像

    組成比勾配のあるSi(1-x)Gex 試料の定量化

    2点の問題を解決するために濃度既知の試料を3点以上分析

    歪 Si デバイスに用いられる組成比勾配を持つ Si(1-x)Gex膜の深さ方向に 対するGeの濃度分布を正確に定量するのに SIMS(2 次イオン質量分析法)が 用いられます。 SIMS で Si(1-x)Gex 膜を分析する際に 2 点解決しなければならない問題があり、 1点目はSi に対する Ge の2次イオン強度が組成比の変化に伴い大...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター

  • 化合物半導体系超格子サンプルにおける深さ分解能測定 製品画像

    化合物半導体系超格子サンプルにおける深さ分解能測定

    化合物半導体サンプルを試料に、深さ分解能を測定した結果を紹介。

    SIMS(二次イオン質量分析法)は数 kV の 1次イオンビーム(O2+, Cs+)を試料 表面に照射し、スパッタされた二次イオンを質量分析して試料中の微量 不純物を分析する事ができる装置です。 Q-pole SIM...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター

  • 表面分析 X線光電子分光分析(ESCA・XPS) 製品画像

    表面分析 X線光電子分光分析(ESCA・XPS)

    物理分析を行う装置を揃え、立会い分析も可能な受託分析サービスを行ってい…

    主な装置は「HR-TEM」「Q-pole型SIMS」「μESCA」「RAMAN」など。ミクロ・ナノレベルの表面分析におけるノウハウの蓄積があり、信頼性の高いデータを短期間で提供することができます。また未知試料の分析についてもアドバイスします。 【表面分析 X線光電子分光分析(ESCA・XPS)】 ○X線...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター

  • アルミイオン注入深さ分析 製品画像

    アルミイオン注入深さ分析

    検出下限を1E16n/cm3に下げることが出来ました。SIMSによる分…

    半導体材料開発には不純物分析が重要ですが、高感度で分析できる二次イオン 質量分析(SIMS)が適しています。 SIMS(アルバックファイ:ADEPT-1010)によって、シリコンへアルミニウムを イオン注入したサンプ...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター

  • 砒素イオン注入深さ分析 製品画像

    砒素イオン注入深さ分析

    SIMSによる、シリコンへ砒素をイオン注入した分析結果を紹介。

    当ページでは、SIMS (アルバックファイ:ADEPT-1010)によって、シリコンへ 砒素をイオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 砒素(75As)はマトリックスであるシリコンと残留ガスである酸素あるいは 水素との複合分子(29Si30Si16O など)が干渉するため、質量分解能が 3190 必...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター

  • SiC 基板へのAl イオン注入深さ分析 製品画像

    SiC 基板へのAl イオン注入深さ分析

    SiC基板へアルミニウムをBOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介…

    SIMS(アルバックファイ:ADEPT-1010)によって、SiC基板へアルミニウムを BOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 SiC 基板は絶縁性が高いため、1次イオンビームを試料表面に照射すると 電荷が蓄積するため正確な測定が出来ません。そこで 1次イオンビーム 照射部分に低速電子ビーム...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター

  • 化合物半導体系超格子サンプルにおける深さ分解能測定 事例集 製品画像

    化合物半導体系超格子サンプルにおける深さ分解能測定 事例集

    化合物半導体系超格子サンプルを使用した深さ分解能測定の結果を掲載!

    当事例集は、イオン注入、成膜・分析、研究・事業化マネジメントの サービスなどを提供している株式会社イオンテクノセンターの 深さ分解能測定の結果を掲載している事例集です。 Q-pole SIMS(アルバックファイ:ADEPT...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター

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