薄型恒温プレート『LABOPAD Series』

PR当製品で快適な作業を！無菌操作やプロテオミクスの処理に好適

『LABOPAD Series』は、直感的に操作可能で、設置スペースを選ばない コンパクトサイズの薄型恒温プレートです。 「LABOPAD-C2」は0～100℃、「LABOPAD-H2」は室温＋3℃～100℃までに 設定できるドライバスインキュベーター。当製品は、厚さが薄いため、 どこでも簡単に持ち運べます。 また、「LABOPAD-C2」は冷却機能が付いていますので、これまでの...

メーカー・取り扱い企業： トスク株式会社(旧十慈フィールド)

NMRベースのAvance化学プロファイリングモジュール

PR入荷品のテスト、プロセス中間体のモニタリング、最終製品配合のスクリーニ…

新しいNMR ベースの『Avance Chemical Profiling』モジュールは、 分光学の専門家とのやり取りを必要とせず、サンプルから実用的な 情報インテリジェンスまで、包括的なソフトウェアベースの自動化された エンド・ツー・エンドのワークフローです。 データ取得、処理、解釈、レポート作成などのタスクに対応。 純粋な形状または混合物中の物質の同定と定量を自動的に可能にし...

メーカー・取り扱い企業： ブルカージャパン株式会社 バイオスピン事業部

【分析事例】セラミックス材料に含まれる微量金属の価数評価

ppmオーダーの微量金属も評価可能です

各種材料の特性を設計・制御するにあたって、母材に微量含まれている元素の種類や量、またそれらの存在状態を明らかにするのは非常に重要です。このうち元素の種類や量に関してはSIMS(二次イオン質量分析法)やICP-MS(誘導結合プラズマ質量分析法)などによって評価可能ですが、価数・化学結合状態などといった存在状態の評価には放射光を用いたXAFS(X線吸収微細構造)測定が有効です。本資料では測定例...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】クリーンルーム内有機化合物の評価方法

GC/MS：ガスクロマトグラフィー質量分析法

ンルームでは、パーティクルだけでなく分子レベルの化学汚染（分子状汚染）を把握することが重要です。浮遊分子状汚染物質としては酸・塩基性ガスや凝集性有機物質、ドーパント、金属などが挙げられ、成分に応じて分析方法は異なります。 ここでは凝集性有機物質の詳細と、代表的な捕集方法である“吸着剤捕集”と“ウエハ暴露捕集”について紹介します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】DRAMチップの解析

製品内基板上DRAMのリバースエンジニアリング

代表的なメモリであるDRAMについて製品レベルからTEM観察による素子微細構造解析まで一貫して分析します。 外観観察からレイヤー解析、Slice＆Viewを行うことで構造の全体像を把握し、FIB加工位置をナノレベルで制御し薄片形成後にメモリ部の微細構造をTEM像観察しました。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

半導体

中国半導体市場の新しい動向がわかる！調査に役立つ情報が見つかる

式会社MIRでは、「半導体」に関する調査を行っております。 中国における半導体産業は近年急成長を遂げ、世界からもその飛躍が注目。 中国の半導体市場に関する調査レポートでは、市場経済の動向分析、 流通経路、現地工場の生産情報、新規導入機械情報などの調査結果を まとめています。 【調査業界分析レポートの例】 ■重点企業分析報告書-北方華創 ■重点企業分析報告-中微半導体(AM...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社MIR

産業用ロボット

その規模は年々拡大傾向！成長を続ける中国市場の情報や動向分析などを報告

ト連盟(IFR)によれば、中国は2013年に世界的な 産業ロボット市場へと成長し、現在も継続して成長産業であり、 その規模も年々拡大傾向。 成長を続ける中国の産業用ロボット市場の情報や動向分析などを 報告します。 【調査レポートの例】 ■2021コラボレーションロボット産業発展 ■2021中国産業用ロボット-3Dビジョン市場の回顧と展望 ■2021年中国移動ロボット市場の回...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社MIR

【分析事例】分子動力学計算を用いたアモルファスSiNx膜構造解析

シミュレーションによってアモルファス膜のミクロな構造解析が可能です

アモルファスSiNx（a-SiNx）膜は、N/Si比などの組成変化によって半導体から絶縁体まで物性が大きく変化することから、トランジスタ用ゲート絶縁膜など幅広い用途で用いられています。一方、結晶性のないアモルファス構造の材料に対し、原子レベルのミクロな構造解析を行える実験手法は限られているため、シミュレーションによってさまざまな組成、密度を有したアモルファス構造を作成し、解析を行うことは有効なツー...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】ワイドギャップ半導体β-Ga2O3のドーパント存在

ミクロな原子構造を計算シミュレーションによって評価可能

β-Ga2O3は広いバンドギャップを有し、優れた送電効率や低コスト化の面で次世代パワーデバイスや酸化物半導体の材料として期待されています。近年、β-Ga2O3はSiまたはSnのドーピングでn型化することが報告されています。本資料では、β-Ga2O3にSiもしくはSnをドープしたモデルに対して構造最適化計算を実施し、各ドーパントが結晶中でどのサイトを占有しやすいかを評価しました。続いて、得られた構造...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】XPSによる単結晶Si表面のダメージ評価

高分解能測定と波形解析を利用してc-Siとa-Siの状態別定量が可能

半導体の製造工程において表面改質を目的としたイオン照射を行うことがあります。その中で、単結晶 Si表面に不活性元素のイオンを照射することで構造の損傷が生じ、アモルファス層が形成されることが 知られています。 高分解能なXPSスペクトルではc(単結晶)-Siとa(アモルファス)-Siが異なったピーク形状で検出されること を利用して、この損傷由来のa-Siをc-Siと分離して定量評価した事例をご紹介...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】TDSによる温度保持中の脱ガス評価

温度保持中の脱ガス強度の変化を調査できます

TDSは高真空中で試料を昇温、または温度を一定に保持した状態で、脱離するガスをリアルタイムに検出する手法です。 Si基板上SiN膜について350℃で温度を保持し、H2の脱離量を調査した例を示します。 単純昇温では500℃付近に脱ガスピークが確認されましたが、350℃で温度保持中はH2の検出強度は低下し、再昇温時に脱ガスピークが確認されました。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】走査イオン顕微鏡によるCu表面の結晶粒観察

金属多結晶の結晶粒の大きさや分布に関する知見を得ることが可能です

走査イオン顕微鏡（Scanning Ion Microscope：SIM）は固体試料にイオンビームを照射し、発生する二次電子を検出する手法です。二次電子は各結晶粒の結晶方位に応じたコントラストを生じるため、SIMによってCuやAlなどの金属多結晶の結晶粒の大きさや分布に関する知見を簡便に得ることが可能です。本資料では測定例としてCu表面をSIMによって観察した事例をご紹介します。...詳しいデータ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】貼り合わせウエハ内部の空隙調査

超音波顕微鏡による内部空隙の観察事例

パワーデバイスやMEMSデバイスなどに用いられる、貼り合わせシリコンウエハを作成する際、貼り合わせ工程において界面に局所的に空隙が発生する事があります。 300mm貼り合わせウエハ内部を超音波顕微鏡を用いて観察しました。その結果、複数箇所にて1mm～20mm程度の複数の空隙があることを確認しました。本手法によって、貼り合わせウエハ内部の密着性評価が可能となります。...詳しいデータはカタログをご...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】ラマンマッピングによる応力評価

試料断面における応力分布を確認することが可能です

単結晶Siのラマンスペクトルのピークは、試料に圧縮応力が働いている場合は高波数シフト、引張応力が働いている場合は低波数シフトします。これにより、Siの応力に関する知見を得ることができます。 IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）の断面について、ラマンマッピングで応力の分布を確認した例を示します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】AFMデータ集

AFM :原子間力顕微鏡法

AFMは微細な探針で試料表面を走査し、ナノスケールの凹凸形状を三次元的に計測する手法です。 金属・半導体・酸化物などの材料評価だけでなく、毛髪やコンタクトレンズなどのソフトマテリアルまで幅広い材料を測定可能です。 本資料では、様々な材質のAFM像をご紹介します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

世界のGaN RF半導体デバイス市場調査レポート

GaN RF半導体デバイス市場は2036年までに約152 億米ドルの収…

6％のCAGRで成長すると予想されています。 SDKI のアナリストは、世界中でモノのインターネット (IoT) の利用が拡大しているため、GaN RF 半導体デバイスの市場シェアが大幅な拡大すると分析しました。 日本のGaN RF半導体デバイス市場規模は、国内における無線ネットワークの普及の増加により、さらに拡大すると考えられます。...

メーカー・取り扱い企業： SDKI Inc.

世界のフリート管理市場調査レポート

フリート管理市場は2036年までに584 億米ドルの収益を生み出すと予…

間（つまり2024―2036年）にわたって3.2％のCAGRで成長すると予想されています。SDKI Inc. のアナリストは、テレマティクスの技術進歩によりフリート管理の市場シェアが大幅な拡大すると分析しました。 日本のフリート管理市場規模は、国内の規制遵守の結果として拡大するはずです。...

メーカー・取り扱い企業： SDKI Inc.

SiC Trench MOSFET ディスクリートパッケージ評価

ディスクリートパッケージ内部の構造を非破壊で立体的に観察

構築することが可能です。本資料では、製品調査の一環としてSiCチップが搭載されたディスクリートパッケージをX線CTで観察した事例をご紹介します。 X線CTによる構造確認後、MSTで実施している物理分析（破壊分析）をご提案します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】角度分解XPS（ARXPS）による極薄膜組成分布評価

基板上の極薄膜についてデプスプロファイルを評価可能です

角度分解XPS（ARXPS）はX線照射によって放出される光電子を取出角ごとに検出し、それぞれ検出深さの異なるスペクトルを用いてサンプル表面極近傍のデプスプロファイルを評価する手法です。従来のArイオンスパッタを用いた方法と比較すると、深さ方向分解能が向上し、かつ選択スパッタやミキシングによる組成変化が無いといったメリットがあり、基板上の極薄膜（数nm程度）のデプスプロファイル評価に有効です。 本...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

株式会社イオンテクノセンター　会社案内

イオン注入・成膜・分析の技術と設備をさまざまな分野のイノベーションにつ…

株式会社イオンテクノセンターは、時代の求めるプロフェッショナル 集団として、前身であるイオン工学研究所の事業を引き継いだ形で 誕生いたしました。 特にイオン注入、成膜、分析を中心とした技術と設備を備えた先端の 研究開発を行い、日本を代表する創造的ラボラトリーをめざします。 【事業内容】 ■イオン工学に関する研究開発受託 ■イオン工学に関する装置による金属、...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

【分析事例】STEM,EBSDと像シミュレーションを併用した解析

像シミュレーションを併用した結晶形の評価

高分解能HAADF-STEM像は、結晶の原子配列を反映した画像であることから、種々の結晶方位に対応したSTEM像をシミュレーションすることにより、多結晶体中の結晶粒間の相対方位や観察像の正確な理解に役立ちます。 本資料では、多結晶体であるネオジム磁石中の結晶粒について、EBSD法で得た結晶方位の情報からSTEM像をシミュレーションし、実際の高分解能HAADF-STEM像と比較した事例を紹介します...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SNDMおよびSMMによる拡散層評価

SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます

近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は素子の高集積化が可能であり、SiCデバイスへの応用展開も進められています。一方、SiCデバイスのドーパント活性化率には課題があり、出来栄え評価が重要となります。今回、SiC Trench MOSFETに関して、SNDM（走査 型非線形誘電率顕微鏡）にてキャリア極性判定をSMM（走査型マイクロ波顕微鏡法）にてキ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【素材】有機半導体

サンプル販売から工業生産まで対応！純度アップや追加分析などのカスタム対…

待されています。 ナード研究所では自社昇華精製装置を使い、ピセンなど高純度の有機半導体を 製造販売しています。 研究用のサンプル販売から工業生産まで対応しており、純度アップや 追加分析などのカスタム対応が可能。 また、自社昇華精製装置を使い、純度99.9%以上の高純度有機半導体を 製造しています。研究用のサンプル販売から工業生産まで対応します。 【特長】 ■ピセン...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ナード研究所

測定器『SRS-2010』

カスタマイズ可能な拡がり抵抗測定器

がり抵抗測定システムです。 試料の深さ方向の抵抗率分布、エピタキシャル層の厚さ、PN接合の深さ、 キャリア濃度分布を求めることが可能です。 数mm角の領域から、数百μm程度のパターン領域の分析ができます。 測定した拡がり抵抗から、較正曲線を用いて低効率を算出します。 お客様の要望に応じ、様々にカスタマイズ可能です。 【特長】 ■2探針法 ■パターン領域の分析が可能 ■...

メーカー・取り扱い企業： ナプソン株式会社

半導体製造向けウェットケミカルと特殊洗浄用薬品 2022

ウェットケミカルと洗浄剤市場を調査！市場概況、サプライヤー情報などを掲…

の調査会社テクセット社の調査レポートです。 半導体工程で使用されているウェットケミカル（液体化学薬品）と洗浄剤 市場を調査し、市場概況、サプライヤー情報、技術動向などについて詳細に 調査・分析した結果を提供。 主要な半導体ウェットケミカルサプライヤーに関する情報、ウェットケミカル 材料のサプライチェーンにおける問題や動向などを掲載しております。 【掲載内容（抜粋）】 ■エ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社データリソース

ADASをサポートする車室内センシング

ToFには多くの強力な利点があります！頭姿勢分析による注意散漫の検出

ADASをサポートする車室内センシングでの、3D飛行時間型イメージャ 「REAL3TM」の使⽤についてご紹介いたします。 当製品を使用し、インストルメントクラスター内に配置された 直接対面ToFカメラシステムは、ドライバーの状態を観察。 必要に応じてドライバー支援システムを適応させるための正確な情報を 提供します。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

CZ/高抵抗FZ 各種ウェーハ販売(評価・開発・テスト用)

少量ウェーハに対応！研究・テスト用途に便利なウェーハ販売サービス！ ハ…

おります。 ＊各種加工：成膜・グラインダー(30μm以下も可能）ダイシング・エッジ部面取り加工・サイズダウン・パターニング・シリコン及び化合物半導体ウェーハ再生（リクレイム）・再洗浄、測定及び分析サービス等も対応可能。 　 シリコン単結晶/多結晶/合成石英の各種加工品も取り扱っております。 化合物半導体や各種電子材料・ウェーハケース、トレイ、ダイシングテープなどの周辺用品もお問合せ下さ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エナテック 東京本社

システムセイコー株式会社 会社案内

企画段階よりお客様のニーズに応じた装置を設計・製作致します！

力機械の設計・製作 ■半導体製造装置の設計・製作 ■各種検査装置の設計・製作 ■精密部品・精密金型の設計・製作 ■各種治工具の設計・製作 ■ソフトウェア開発販売（装置制御、画像処理、データ分析収集） ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： システムセイコー株式会社

石英部品市場 2022：材料分野、加工部品、半導体用母材

業界の動向、需給状況を把握！クォーツ製品の市場に焦点を当てた市場調査レ…

場 2022：材料分野、加工部品、半導体用母材』は、テクセット 社のマテリアル市場調査レポートです。 クォーツ（石英）材料や石英部品を含むクォーツ製品の市場に焦点を当てて います。技術動向分析、高純度砂、基材メーカー、およびクォーツ加工 メーカーからのサプライチェーン詳細を掲載。 業界の動向、需給状況を把握し、業界が抱える欠点や問題点を浮き彫りにします。 【掲載内容（抜粋）...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社データリソース

【分析事例】SiC Planer Power MOSの分析

SiCデバイスの拡散層構造を可視化できます（拡散層構造の高感度評価）

いても、低濃度から高濃度まで十分に評価を行うことができます。高感度を特徴とし、あらゆる化合物半導体デバイスに適用可能です。一例として、SiC Planer Power MOSの断面を製作し、SNDM分析を行った事例をご紹介します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】STEM・EDXデータと像シミュレーションによる評価

STEM像と原子組成の測定結果から結晶構造の評価ができます

試料の測定によって得られた結果と、シミュレーションの併用により、結晶構造の評価が可能です。 本資料では、多結晶体であるネオジム磁石において、HAADF-STEMとEDXの測定によって得られた結果と、各々の測定条件を用いたシミュレーション像の比較から結晶構造の考察を行った事例を紹介します。測定結果と計算シミュレーション結果の併用により、結晶構造に対する理解を深めることが可能となります...詳しいデ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC Trench MOSFETのトレンチ側壁評価

デバイス特性に関わるトレンチ側壁の粗さを定量評価

近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は、素子の高集積化に必要であり、SiCデバイスへの応用展開が進められています。 Trench MOSFET構造のチャネル領域はトレンチ側壁であるためトレンチ側壁の平坦性がデバイスの信頼性に関わってきます。本資料ではSiC Trench MOSFETのトレンチ側壁の粗さについて、AFM（原子間力顕微鏡）を用い...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】グラフェンの官能基の評価

熱分解GC/MS法によりグラフェンの官能基の評価が可能

グラファイトの単層品であるグラフェンは、強靭性、高導電性、高熱安定性などの優れた特性から、電池、透明電極、センサー等、幅広い分野への応用が期待されています。また製法によって表面に存在する官能基の種類や量が異なると言われており、その構造を明らかにすることは性能向上を図る上で重要なポイントとなります。 本事例では熱分解GC/MS法により、2種のグラフェンの官能基を比較した事例を紹介します。...詳し...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】XPSによる単結晶Si表面のダメージ評価

高分解能測定と波形解析を利用してc-Siとa-Siの状態別定量が可能

半導体の製造工程において表面改質を目的としたイオン照射を行うことがあります。その中で、単結晶Si表面に不活性元素のイオンを照射することで構造の損傷が生じ、アモルファス層が形成されることが知られています。 高分解能なXPSスペクトルではc(単結晶)-Siとa(アモルファス)-Siが異なったピーク形状で検出されることを利用して、この損傷由来のa-Siをc-Siと分離して定量評価した事例をご紹介します...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SEMとSIMによるCu表面の二次電子像の比較

着目する表面構造によって2手法の使い分けが有効です

走査電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope：SEM）及び走査イオン顕微鏡（Scanning Ion Microscope：SIM）は、どちらも二次電子像を得ることで試料表面近傍の構造評価を行う手法です。一次プローブの違いによってコントラストの現れ方や空間分解能などの違いがあり、着目する表面構造によって2手法の使い分けが有効です。本資料では2手法の比較をまとめるとともに...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

スパッタリングターゲット 市場レポート 2022

主要サプライヤーの情報等を掲載！スパッタリングターゲット市場とサプライ…

市場レポート 2022』は、米国の半導体材料 専門の調査会社テクセット社の調査レポートです。 半導体デバイス製造に適用されるスパッタリングターゲット市場とサプライ チェーンを詳細に調査・分析。 原材料のサプライチェーンの動向や企業、ターゲットの製造コストに関する 考察、価格動向などを掲載しております。 【掲載内容（抜粋）】 ■主要サプライヤーの情報 ■材料サプライチェ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社データリソース