【ユーザーインタビュー】再生医療技術研究を加速させた測定装置とは

PR期待の再生医療技術ダイレクトリプログラミング研究を加速させた測定装置と…

再生医療は、アンメットメディカルニーズの高い疾患への治療法になることが期待されているが、中でも、ダイレクトリプログラミング技術は多能性幹細胞を介さず体細胞から目的の細胞に誘導でき、従来の技術に比べて時間的・経済的コストを抑えられる可能性もある。ダイレクトリプログラミングによる1型糖尿病患者の再生治療の確立を目指して研究を進める順天堂大学大学院医学研究科 難病の診断と治療研究センター（難治性疾患診断...

メーカー・取り扱い企業： シスメックス株式会社 再生医療事業分野

ソーラーシミュレーター『G2009B1』

PRLED光により必要な範囲の波長の光を、キセノンランプより長寿命でかつ安…

『G2009B1』は、小面積セルの太陽電池特性評価に好適な ソーラーシミュレーターです。 AM1.5Gの太陽光スペクトルを高精度に再現し、自然光に限りなく近い 精度を実現しています。 太陽電池の効率測定や光起電力デバイスの研究に活用できます。 【特長】 ■直径15mmのエリアでクラスAAAのスペクトル性能、直径25mmのエリアで 　クラスABAのスペクトル性能(IEC規格...

メーカー・取り扱い企業： 重松貿易株式会社 大阪本社

蛍光寿命測定

Fluorescence lifetime measurement

物質に光を照射し、励起された電子が基底状態に戻る際の過程の一つに発光（フォトルミネッセンス）があります。そのうち、パルスレーザーにより物質を瞬間的に励起し、発光の減衰時間を測定する手法が時間分解フォトルミネッセンスと呼ばれるものであり、得られたスペクトルを解析することにより、蛍光寿命を算出します。 物質の蛍光寿命を測定することにより発光過渡現象をよりダイナミックに把...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

X線CTを用いたin situ測定の 受託分析サービス

加熱/冷却や応力・圧縮の負荷状態での三次元構造観察が可能です。

●引張り試験 試料を引張る方向に応力を印加した状態でX線CT測定をすることが可能です。 ●圧縮試験 試料を圧縮する方向に圧力を印加した状態でX線CT測定をすることが可能です。 ●温度調節 ステージの温度を調節した状態でX線CT測定をすることが可能...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

角度分解HAXPES測定

HAXPES：硬X線光電子分光法

HAXPESでは、試料表面から深い位置まで（～約50nm）の情報を得る事が可能です。さらに2次元検出器を用いた角度分解測定により、広い光電子取出角で取得したデータを、角度すなわち検出深さを変えた情報に分割することができます。これにより、非破壊でXPSよりも深い位置までの深さ方向結合状態比較が可能です。状態変化が極表面の...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】発光寿命測定によるキャリアライフタイム評価

発光寿命からSiCのキャリアライフタイムについて知見が得られます

スの電気特性をコントロールする上で重要です。 一方、発光寿命とは試料からの発光強度が1/eになるまでの時間を示し、発光減衰曲線から算出可能です。少数キャリアの一部は再結合時に発光するため、発光寿命測定から間接的にキャリアライフタイムの評価が可能です。本資料では4H-SiCエピ基板のキャリアライフタイム評価の事例を紹介します。 測定法：蛍光寿命測定 製品分野：パワーデバイス、LSI・メモリ、電...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

分析事例】XRDを用いた負荷印加前後における金属材の残留応力測定

非破壊で引張・圧縮応力を定量することが可能です

残留応力測定は部材が様々な応力条件下に耐えられるかを調べる重要な方法の一つです。XRD（X線回折法）では、格子面間隔を測定することで残留応力を求めることが可能です。本資料では引張試験用にアルミニウム板の左右をＶ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC基板表面および内部の不純物濃度測定

ICP-MS, GDMSにより基板表面と内部とを切り分けて分析

品の品質向上において重要です。本資料では、パワーデバイス材料として注目されているSiC基板について、基板表面に付着した不純物をICP-MS、基板中の不純物をGDMSで分析した事例をご紹介します。 測定法：ICP-MS・GDMS 製品分野：パワーデバイス・製造装置・部品 分析目的：微量濃度評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【事例】GCIBを用いたSiO2中アルカリ金属の深さ方向濃度分布

SiO2膜の不純物の評価

アルカリ金属であるLi,Na,Kは半導体における各種故障原因の要の元素です。これらは測定時に膜中を移動してしまう可動イオンと言われており、正確な分布を得ることが困難とされてきました。 今回、スパッタイオン源にGCIB(Arクラスター)を用いたTOF-SIMSの深さ方向分析を行うことに...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】エポキシ樹脂硬化剤の分析

2液性エポキシ樹脂の硬化剤成分の構造推定

剤や塗料、レジンとして広く利用されています。その定性分析において、溶媒に不溶である硬化後の樹脂は、熱分解GC/MSで主に主剤を評価できます。一方、硬化剤の評価については、種類によっては硬化前の状態で測定する必要があります。本資料では、ポリメルカプタン硬化剤を硬化前の溶液状態で測定し、イオン化法(EI法とFI法)を併用することで構造推定した事例を紹介します。 測定法：GC/MS 製品分野：高分子...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

[TEM ED-Map]TEM電子回折マッピング法

TEMの電子回折を利用して、結晶性試料の方位分布解析を行う手法です。

電子線プローブを走査しながら各点の電子回折パターンを測定することで、高空間分解能な結晶情報を取得できます。この手法では、SEMのEBSD法よりも小さい結晶粒の情報を得ることが可能です。ACOM（Automated Crystal Orientation ...

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【分析事例】積層セラミックコンデンサ(MLCC)の加熱SSRM

誘電体内の伝導パス(絶縁劣化箇所)の可視化

下における誘電体層の絶縁劣化(低抵抗化)、つまり電極間ショートがあります。誘電体層内に形成される低抵抗な伝導パスを可視化することは絶縁劣化現象を解明する重要な手がかりとなります。本資料では、SSRM測定(高電界)と加熱機構(高温)を組み合わせることで、温度変化に伴う誘電体材料の絶縁劣化を可視化した事例を紹介します。 測定法：SSRM(走査型拡がり抵抗顕微鏡) 製品分野：誘電体材料、コンデンサ、...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】Oリングの使用履歴による形状評価

X線CTにより部品の非破壊観察・厚さ分布解析が可能

X線CT分析では、部品の構造や寸法を非破壊で比較・調査することが可能です。本資料では、真空装置に使用されているゴム製のOリングの測定事例を紹介します。ガスがリークしている長時間使用品を調査するため、Ｘ線CT分析および三次元画像解析を行い、新品のデータと比較しました。その結果、長時間使用品は局所的にリングの太さが細くなっている箇所...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】加熱・冷却過程における経時変化のAFM動画観察

サンプル表面の形状変化をin situで評価

リカプロラクトン(PCL)を用いて加熱・冷却実験を行いました。ポリカプロラクトンは融点が約60℃であり、加熱により結晶状態からアモルファス状態へと変化する様子を、また冷却により再結晶化する様子を連続測定により動画観察いたしました。 測定法：AFM 製品分野：バイオテクノロジ・医薬品・日用品・食品 分析目的：形状評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

nanoTAによる局所熱特性評価

局所熱分析システム（Nanoscale Thermal Analysi…

試料表面の局所における、熱特性（ガラス転移,軟化温度,融解温度,膨張傾向）を測定する熱分析法です。試料表面に接地するプローブを加熱し、試料表面の温度を変化させます。図中では1. 昇温時試料膨張がはじまり、2. 転移温度に到達するまでDeflectionが変化、3. 転移温度後変...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【事例】ノーマリーオフ型GaN HEMT 二次元電子ガス層評価

製品調査の複合解析をワンストップでご提案可能です

速充電器などで活用されています。 本資料では、ノーマリーオフ型のGaN HEMTデバイスを解体・評価しました。 分析手法を複合的に活用し、試料の総合的な知見を収集した事例をご紹介いたします。 測定法：SIMS・TEM・SCM・SMM 製品分野：パワーデバイス 分析目的：微量濃度測定・形状評価・膜厚評価・構造評価・製品調査 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

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SiCパワートランジスタリーク箇所のSlice&view故障解析

SEM像の3D化でリークパスを確認

ewでは、リーク箇所周辺から数十nmオーダーのピッチで断面観察を行うことにより、リーク箇所を逃さず画像として捉えることが可能です。SEM画像を3D化することでリークパスを確認することができます。 測定法：Slice＆View・EMS 製品分野：パワーデバイス 分析目的：故障解析・不良解析・製品調査 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

超低温プローブによる高感度NMR分析

微量成分のNMR分析が可能です

とした様々な化合物を対象として、分子構造や分子間相互作用、分子の運動性などの多様な情報を得ることができる分析手法です。本資料では超低温プローブを用いることで、汎用的な室温プローブに比べてより高感度な測定を行った事例を紹介します。...

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【分析事例】有限要素法による強誘電体キャパシタ金属の応力評価

昇温・降温時の異種材料間にかかる応力分布を定量化できます

示す結晶相を増やす方法が提案されています。本事例は有限要素法を用いて、TiN、W、Pt、HZOなどの線膨張係数が異なる材料から構成される積層構造において、降温時に各層に生じる応力を評価しました。 測定法：計算科学・AI・データ解析 製品分野：LSI・メモリ・電子部品・製造装置・部品 分析目的：形状評価・構造評価・応力・歪み評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】バッテリー正極材の活物質抽出およびデータ解析

深層学習×データ解析によりSEM像から活物質の粒径を求めました

の抽出、クラックの検出をしました。Slice&Viewデータのような3Dデータに対しても同様に抽出が可能です。3Dデータからクラック有、クラック無粒子を抽出し、それぞれの粒径を算出しました。 測定法：SEM、Slice&View、計算科学・AI・データ解析 製品分野：太陽電池、二次電池、燃料電池 分析目的：構造評価、形状評価、故障解析・不良解析 詳しくは資料をダウンロード、またはお...

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【分析事例】GaN基板の表面形状分析

AFMによるステップ-テラス構造の可視化

で、表面にステップ-テラス構造が形成されます。本資料ではAFMを用いて、GaN基板表面のステップ-テラスの構造を可視化し、テラス幅、ステップ高さ、表面粗さ、オフ角を評価した事例を紹介します。 測定法：AFM 製品分野：パワーデバイス, 電子部品, 照明 分析目的：形状評価, 構造評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

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【分析事例】X線CTによる円筒形リチウムイオン電池の内部構造評価

非破壊で電池内部の電極間距離計測・欠陥調査が可能

の三次元構造を確認しました。続いて、一部分について拡大観察を行うことで、正極中の空隙、正極-負極間の混入異物、電極層の乱れを確認しました。また、取得した断面像から、電極間距離の計測も行いました。 測定法：X線CT 製品分野：二次電池 分析目的：形状評価、故障解析・不良解析、製品調査 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

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【分析事例】深紫外LED中Mgの深さ方向濃度分析

様々なAl組成のAlGaN中不純物の定量が可能です

そろえることで、MSTではより精度の高い不純物の定量が可能です。 市販深紫外LEDを解体後、SIMS分析を行い、ドーパントのMgの濃度、及び主成分のAl組成の分布を求めた事例を紹介いたします。 測定法：SIMS 製品分野：照明・パワーデバイス・光デバイス 分析目的：微量濃度評価・不純物評価・分布評価・製品調査 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

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分析事例トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所複合解析

デバイスの不良箇所特定から要因解析までワンストップでご提供

解析が必須となります。本資料では不良箇所の特定をEMS(エミッション顕微鏡法)を用いて行い、不良要因解析をSCM(走査型静電容量顕微鏡法)とSEM（走査型顕微鏡法）で評価した事例をご紹介します。 測定法：EMS,SCM,SEM 製品分野：パワーデバイス 分析目的：故障解析・不良解析 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

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【分析事例】SiCパワートランジスタリーク箇所の成分分析

Slice＆Viewで特定したゲート破壊箇所で拡大観察やEDX分析が可…

とSEM-EDX分析を行いました。反射電子像で明るいコントラストが見られる場所では、SiやNiの偏析が確認されました。リークによる破壊に伴い、SiやNiなどが一部偏析しているものと考えられます。 測定法：Slice＆View・SEM-EDX・EMS 製品分野：パワーデバイス 分析目的：故障解析・不良解析・製品調査 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】酸化ガリウムGa2O3 イオン注入ダメージ層の評価

イオン注入後のアニール条件の違いによる差異を確認

デバイスの開発には、特性を左右する不純物濃度や結晶性の制御が重要です。本資料では、イオン注入による結晶構造の乱れから生じるダメージ層及び表面粗さの変化を、アニール条件毎に観察した結果を示します。 測定法：TEM・AFM 製品分野：酸化物半導体・パワーデバイス 分析目的：形状評価・構造評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】細菌の画像からの細胞周期評価

深層学習×データ解析により、多量のデータを活用して試料特性を評価できま…

3種類の乳酸菌を混合させた試料をSEM観察し、得られた画像から深層学習を用いて種類ごとに乳酸菌を抽出しました。さらに、データ解析を行い、乳酸菌の形状をもとに細胞周期上の存在比を求めました。 測定法：SEM、計算科学・AI・データ解析 製品分野：バイオテクノロジ、医薬品、日用品、化粧品、食品 分析目的：形状評価、製品調査 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST