• 無菌室向け 二酸化塩素ガス除染装置『Weraser ZERO』 製品画像

    無菌室向け 二酸化塩素ガス除染装置『Weraser ZERO』

    PR高精度計測器を搭載し、低濃度0.05ppm~高濃度1200ppm まで…

    当社トラステック愛知が得意とするのは二酸化塩素の高精度の濃度計測と制御管理。 その技術を用いて開発したのが、二酸化塩素ガス除染装置『Weraser ZERO』です。 除染効果の高い二酸化塩素ガスを用いた除染装置で、 精度に優れたガスの濃度測定と、ガスの制御機能を有しています。 搭載された高精度計測器により、低濃度0.05~高濃度1200ppm(校正値1000ppm 検知管使用 当社...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社トラステック愛知 本社

  • LNPの製剤開発からGMP製造までをサポートする多彩なツール 製品画像

    LNPの製剤開発からGMP製造までをサポートする多彩なツール

    PR製剤条件のスクリーニングからスケールアップ、GMP製造までをシームレス…

    弊社のLNPツールは、合成から特性解析までにかかる様々な手間と時間を軽減し、製剤化を加速化します。 【LNP合成】 ・Sunシリーズ:処方・製造条件スクリーニングからスケールアップ、GMP対応製造まで、同じポンプとマイクロ流路チップを使用してシームレスに実行・移行可能です。  ・Sunscreen:スクリーニングのために開発された装置。96種類の条件検討を完全自動で実行。  ・Sunshine:...

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    メーカー・取り扱い企業: Unchained Labs株式会社

  • 非接触CV測定装置 Cn0CV 製品画像

    非接触CV測定装置 Cn0CV

    非接触式の重金属汚染・CV/IV・膜評価装置。 鉄濃度測定の感度はD…

    世界に400台以上の実績を持つ非接触式の重金属汚染・CV/IV・膜評価装置です。 鉄濃度測定の感度はDSPVを採用することでE8を実現し、近年のCMOSイメージセンサーの歩留まり向上に寄与しております。 化合物半導体のCV測定が可能です。非接触で面内の濃度分布、プロファイル測定が可能...

    メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

  • 拡がり抵抗測定装置『SRP-170/2100』 製品画像

    拡がり抵抗測定装置『SRP-170/2100』

    PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定!オプションにより表面抵抗測…

    介します。 斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に2探針をコンタクトさせ、 そのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイル、 EPI層の厚み、PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定。 「SRP2000」は、プローブのコンディショニング、ベベルアングルの測定、 標準サンプルのデータ入力などが全自動化し、多数サンプルの連続自動 測定ができ、サンプルは最大6個同...

    メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

  • 薄膜評価装置『分光エリプソメーター』 製品画像

    薄膜評価装置『分光エリプソメーター』

    【デモ可能】化合物半導体材料の組成比の評価も可能!非接触・非破壊でエピ…

    る薄膜評価装置です。 化合物半導体材料の組成比の評価も可能。 主な評価・測定項目は、“薄膜の膜厚値”、“エピ膜厚値”、“屈折率”、 “消衰係数”、“化合物半導体の組成比”、“ドーパント濃度”です。 【主な評価・測定項目】 ■薄膜の膜厚値 ■エピ膜厚値 ■屈折率、消衰係数 ■化合物半導体の組成比 ■ドーパント濃度 装置の仕様や価格については、お気軽にお問い合わせ下...

    メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

  • サーフェイスチャージプロファイラー QCS2500 製品画像

    サーフェイスチャージプロファイラー QCS2500

    非接触でエピウェハの抵抗率をモニター可能!

    ことができます。測定原理としてサーフェイスフォトボルテージ(SPV)法を用いてウェハー上にパルス光を照射することによりウェハー表面電位変化を検出し、空乏層幅を測定します。強反転状態の空乏層幅が不純物濃度に比例することにより、不純物濃度測定を行い、抵抗率に換算(ASTM)します。 ...

    メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

  • トレンチ深さ測定装置 IR2100  製品画像

    トレンチ深さ測定装置 IR2100

    トレンチ深さ測定装置

    DRAMのキャパシタートレンチの深さ、CD測定、リセス測定を非接触で測定。独自技術MBIR(Model Based Infrared)により高アスペクト比のトレンチの測定が可能。また、エピ膜のドープ濃度の縦方向プロファイルの測定にも対応。 ...

    メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

  • 高感度DLTSシステム DLS-1000 製品画像

    高感度DLTSシステム DLS-1000

    超高感度DLTSシステム/ バルク内欠陥・界面準位測定装置

    主な測定・評価項目 主な測定・評価項目 ・測定Max感度 : C=2x10-5pF for S/N=1 (温度・周波数スキャンに可変時) ・トラップ濃度:Nt<10-5INd-Na) ・I-V/C-Vプロット ・捕獲断面積測定 ・電界依存性測定 ・トラップ深さ測定 ・Mos測定 ...

    メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

  • 全自動拡がり抵抗測定装置 SRP2000 製品画像

    全自動拡がり抵抗測定装置 SRP2000

    全自動拡がり抵抗測定装置

    Profiler)装置は,斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に2探針をコンタクト させそのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイル,EPI層の厚み,PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定する装置です。 ...

    メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

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