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非接触型ディスペンサー dragonfly discovery
PR高い汎用性、高い粘性も問題なし ポジティブディスプレイスメント式非接…
dragonfly discoveryは、ポジティブディスプレイスメント方式とディスポーザブルシリンジの両方を採用した新しい非接触型ディスペンサーです。 汎用性の高さ、使いやすいソフトウェアで、1台で様々なアッセイ・研究に対応します。 ●ポジティブディスプレイスメント方式 ピストンが液体を押し出す方式です。粘性・表面張力など様々な溶液に対し、液体ごとのクラス設定なしで正確な分注が行えます...
メーカー・取り扱い企業: SPT Labtech Japan株式会社
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様々な半導体キャリア輸送特性の測定が可能!マイウロウェーブ反射による非…
の製造にとって、キャリア移動度は、とても重要なパラメーターに なります。 『LEI-1610シリーズ』は、移動度、キャリア濃度、シート抵抗など様々な 半導体キャリア輸送特性の測定が可能な非接触移動度測定装置です。 2インチから最大8インチまでのSiウェーハ、化合物半導体(GaAs、GaN、InP等) epiウエハを非接触・破壊にてキャリア移動度、シート抵抗、シートチャージ密度が...
メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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非接触式の重金属汚染・CV/IV・膜評価装置。 鉄濃度測定の感度はD…
世界に400台以上の実績を持つ非接触式の重金属汚染・CV/IV・膜評価装置です。 鉄濃度測定の感度はDSPVを採用することでE8を実現し、近年のCMOSイメージセンサーの歩留まり向上に寄与しております。 化合物半導体のCV測定が...
メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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広い範囲で優れた測定直線性!三次元グラフィックマップとしてPCモニター…
『LEI-1510シリーズ』は、旧リハイトン社製の非接触式シート抵抗測定機です。 ロボットを取り付ける事により、多数枚を迅速に計測処理する事が可能。 四探針方式で起こる、探針の接触汚染や接触具合による再現性の問題を 解決します。 2イン...
メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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結晶欠陥分析装置(非接触、非破壊式)
結晶欠陥分析装置 SIRM-300は、非接触、非破壊にて結晶欠陥測定が可能な光学測定器です。 様々なバルク特性解析(バルク/半導体ウェハーの表面付近の酸素、金属 堆積物、空乏層、積層欠陥、スリップライン、転位)が可能です。 ...
メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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インプラ後のドーズ量モニタリングとアニール処理前後のジャンクション深度…
■非接触、非破壊測定 ●インプラのドーズ量モニタリング ●PAI深さ測定 ●ジャンクション深さ測定 ■高感度 ■高再現性、信頼性のあるオペレーション ■全自動・簡単操作 ■1&2...
メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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非破壊/非接触!nmスケールのウェハー内部の拡張欠陥の検出とモニタリン…
『En-Vison』は、転位欠陥、酸素析出物、積層欠陥などのウェハー内部の 結晶欠陥を非接触・非破壊で測定・評価ができる結晶欠陥検査装置です。 欠陥サイズ(15nm~サブミクロン)と密度(E6~E10/cm3)の両方で ハイダイナミックレンジを提供。 ウェハー深さ方向の検出...
メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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非接触でエピウェハの抵抗率をモニター可能!
QC2500シリーズは、非接触でエピタキシャルウェハーの抵抗率をモニターすることができます。測定原理としてサーフェイスフォトボルテージ(SPV)法を用いてウェハー上にパルス光を照射することによりウェハー表面電位変化を検出し、空...
メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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【デモ可能】化合物半導体材料の組成比の評価も可能!非接触・非破壊でエピ…
『分光エリプソメーター』は、非接触・非破壊でエピ膜を含む薄膜の膜厚値、 屈折率、消衰係数を精度良く測定する薄膜評価装置です。 化合物半導体材料の組成比の評価も可能。 主な評価・測定項目は、“薄膜の膜厚値”、“エピ膜厚...
メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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回転補償子型 分光エリプソメータ『SE-2000』※セミナー開催
多層膜の膜厚・屈折率を非接触で高精度測定。本体の操作や解析作業が容易 …
『SE-2000』は、薄膜の膜厚・屈折率を“非接触”で高精度に測定できる回転補償子型の分光エリプソメータです。 ユーザーフレンドリーな解析ソフトを備えており、解析作業が容易。 深紫外から近赤外領域まで幅色い波長領域の測定に対応しています。 ...
メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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高効率太陽電池開発用測定装置
- QSS-u-pCD (Injection level毎のライフタイム測定) - Ultimate-SPV (ウェハー厚4倍までの拡散長測定9 - ALID(高速光劣化測定) - 非接触CV測定 - 非接触Suns-VOC測定 - JOマッピング測定(Emitter Saturation Current9 - シート抵抗測定 - LBIC(反射率、IQE) - 比抵抗測...
メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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渦電流技術を用いて、非接触/非破壊にてシリコンインゴット/ブロックの抵…
比抵抗測定器 RT-1000は、ベストセラー機 RT-1000の後継機種となり、渦電流技術を用いて、非接触/非破壊にてシリコンインゴット/ブロックの抵抗を瞬時に測定いたします。(測定範囲: 0.001〜100 Ωcm)...
メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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シリコンウェハー/ブロックのPN判定が瞬時に行えます
シリコンウェハー/ブロックのPN判定が瞬時に行えます。 非接触/非破壊にてP/N判定ができる持ち運びにも便利なペンタイプの判定器です。...
メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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JPV法により、非接触で、PNジャンクションのジャンクション・リーク、…
JPV法(ジャンクション・フォト・ボルテッジ法)を用いているため、高速で再現性の良いマッピング測定が可能です。 【特徴】 - 非接触、非破壊測定 - プローブの調整は不要 - 測定のための特別な試料準備は不必要 - 表面に酸化膜やコーティングが存在しても測定可能 - 空間分解能の高い分布測定(マッピング)が高速で可能 ...
メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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トレンチ深さ測定装置
パワーデバイスのディープトレンチやTSV形状、DRAMのキャパシタートレンチの深さ、CD測定、リセス測定を非接触で測定。独自技術MBIR(Model Based Infrared)により高アスペクト比のトレンチの測定が可能。また、エピ膜のドープ濃度の縦方向プロファイルの測定にも対応。 ...
メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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薄膜膜厚・ヤング率測定装置
非接触、非破壊でウェハー基板上の薄膜膜厚、膜のヤング率、 ポアソン比を測定することができる。 ...
メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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