ハンディタイプ高精度デジタル温度計 Model: CTP1500

PR小型軽量のハンディタイプ温度計。高精度±0.05℃。単三乾電池駆動。校…

◆製品概要 CTP1500はハンディタイプの温度計としてコンパクトながらも優れた精度を持ち、様々な用途や場所での測定が可能です。- 20 ... +180 °Cの範囲で±0.05 °Cの精度を達成しています。この高い精度により、バイオテクノロジーや医薬、食品業界など様々な産業における基準温度計としても活用することが可能です。 ◆製品特徴 CTP1500は小型軽量であるため、簡単に持ち運びをするこ...

メーカー・取り扱い企業： ビカ・ジャパン株式会社

多機能型 摩擦測定機 TL201Tt (摩擦試験機/触覚測定機)

PR独自開発の触覚接触子を使用すれば、しっとり さらさら などの触覚、質感…

『多機能型 静動摩擦測定機　TL201Tt』は、測定に応じて4つのパターンに構成可能。 摩擦係数の測定はもちろんアタッチメントを変えることによって今まで測れなかった様々なサンプルに対応。 ●テーブル移動型 ●測定部移動型 ●測定部上下移動型(オプション) ●回転ディスク型(オプション) 【特長】 ■高精度で低価格を実現 ■シングルモードで摩擦測定 ■リピートモードで耐摩耗測定...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社トリニティーラボ 中央事業所

【分析事例】めっき試料の脱ガス評価

Ni/Auめっきの昇温脱離ガス分析（TDS）

めっき膜にガスが含有されている場合、はがれや膨れ、膜中の気泡など不良の原因となる場合があります。めっき膜に含有されているガスについて調査するには、高真空中で試料を昇温させて脱離したガスを測定できるTDSが有効です。 SUS部材上にNi/Auめっきを施した試料について、TDS分析を行った結果を示します。めっき膜からH2, HCN, H2S, HClの脱離が確認できました。また、定量値の...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】血中Liの濃度評価

低い濃度から中毒域まで、広範囲で分析できます

躁病や双極性障害の治療に広く使用される炭酸リチウムは、リチウム中毒を防ぐため、適正な血中濃度を保って治療が行われなければなりません。そのため、定期的な血中濃度の測定（治療薬物モニタリング：TDM）が求められています。 ICP-MS （誘導結合プラズマ質量分析）法による分析では治療域未満の濃度から中毒域まで広範囲での血中のLi濃度の定量が可能です。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】水中のカビ臭原因物質の分析

水中の極微量カビ臭原因物質の分析が可能

は、藍藻類又は放線菌によって産生され、ダム、湖沼、河川等の表流水を水源とする水道の異臭味障害原因物質とされ、カビ臭原因物質として知られています。本事例では、水中に含まれるジェオスミン及び2-MIBを測定した結果を紹介します。 GC/MSを用いてppt（ng/L)レベルの検出が可能です。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】イメージセンサの拡散層形状評価

試料解体から測定まで一貫して対応します

本資料では、スマートフォン搭載のイメージセンサ拡散層に関して評価した事例をご紹介します。 半導体のp/n型を判定可能なSCM（走査型静電容量顕微鏡）を用い、拡散層がどのような分布となっているかを評価しました。今回、断面と平面のSCM結果を組み合わせることで、相補的かつ広範囲の情報が得られました。 SCM は、イメージセンサ拡散層の出来映え評価や故障解析に有効なツールの一つです。...詳しいデ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】極浅注入プロファイルの評価

極浅い領域においてもドーパント分布・接合の評価が可能

の一次イオンビームを用いたSIMS分析が必要になります。図1にBF2+ 1keV, P+ 1keV, As+ 1keVで注入されたSiウエハを一次イオンビームエネルギー250eV～300eVを用いて測定した例を示します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】パワーデバイスのキャリア濃度分布評価

ドーパントの活性化率に関する評価が可能

SRA（Spreading Resistance Analysis）はサンプルを斜め研磨し、その研磨面に2探針を接触させ、広がり抵抗を測定する手法です（図1）。 キャリア濃度分布を評価することで、ドーパントの活性化状況についての知見を得ることが可能です。 一例として、パッケージ開封後のダイオードチップ表面中央部と外周部(図2)につ...

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【分析事例】LC/MS/MSによるペプチドの配列解析

ペプチドのアミノ酸配列をLC/MS/MS分析によって解析します

ペプチドをLC/MS/MSで測定すると特徴的なフラグメントイオンが得られ、ペプチドを構成するアミノ酸の配列を解析することができます。また、ペプチドをLCによって分離して分析するため、複数のペプチドを含む試料や不純物ペプチドを含む試...

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【分析事例】タンパク質のショットガン解析

LC/MS/MS：液体クロマトグラフィー質量分析法

パク質の組成解析では、電気泳動後に目的のタンパク質のみを調べる方法もありますが、本資料ではタンパク質を網羅的に調べる「ショットガン解析」についてご紹介します。 ショットガン解析ではLC/MS/MS測定を用いてタンパク質の分離及び、質量情報の取得を行った後、データベース検索を行うことで溶液中に含まれるタンパク質を網羅的に調べることができます。...

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【分析事例】ZnO膜の組成・不純物の三次元分布評価

イメージングSIMS分析により面内分布を可視化

デバイス作成の要素の一つである膜組成の均一性と不純物の分布状態をイメージングSIMS分析により評価しました。 測定後のデータ処理により、平面イメージ（図1）・断面イメージ（図2）・任意箇所の深さ方向分布プロファイル（図3, 4）・ラインプロファイルを得ることができます。構成材料・不純物の分布から、プロセス・膜質...

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【分析事例】TFT配線交差部の深さ方向分析

微小領域・ガラス基板についてもSSDPによる分析が可能

次イオン質量分析法（SIMS）を用いて、市販ＴＦＴ液晶ディスプレイのデータ信号配線とゲート電極配線の交差部（4μm×10μm）を、基板側から分析（SSDP-SIMS）した例を示します。 基板側から測定（SSDP-SIMS）を行うことにより、表面側の高濃度層や金属膜などの影響がないデータの提供が可能となります。...

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【分析事例】エルゴチオネインのLC/MS分析

天然物由来のアミノ酸類の収率や精製レベルを評価

った天然物由来の物質として食品・医療・美容分野で注目されています。最近になって化学的合成技術も確立されましたが、引き続き天然食品資源からの高効率な分離精製技術の確立が必要とされており、収率を精度良く測定して精製レベルを評価することが求められています。...

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【分析事例】クレンジングオイルの洗浄効果評価

TOF-SIMSによる洗浄残渣の測定事例

クレンジングオイルの種類によって、同じ洗顔方法でも化粧の落ち方が異なります。 洗浄の効果を調査するため、口紅をオイルで洗浄した後に残った成分についてTOF-SIMSを用いて評価を行いました。口紅の成分（色素やオイルなど）について、試料間の相対比較を行うことでクレンジングオイルの種類による洗浄効果の違いを評価した事例を紹介します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

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【分析事例】液体中の陰イオン濃度分析

IC：イオンクロマトグラフィー

イオンクロマトグラフ法は液体試料中のイオン成分を検出する手法です。 また、固体（部材）表目に付着しているこれらの成分は、純水に浸して抽出することで測定します。 MSTでは液体試料に含まれるイオンや有機酸の定性・定量分析、部材表面から溶出するイオン量評価、部材の腐食原因調査が可能です。...

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【分析事例】白色粉体の複合分析

FT-IR分析とXRF分析による粉体の同定

異物等の未知試料を分析・同定する場合、複数手法での測定結果から複合的にデータを解析することが有効です。 振動分光であるFT-IR分析と、大気中での元素分析手法であるXRF分析とを組み合わせて評価し、2種類の白色粉体の同定を行った事例をご紹介します。...

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【分析事例】SEM装置での歪み評価

EBSD：電子後方散乱回折法

TEM（NBD：Nano Beam Diffraction）のような薄片化加工を行うことなく、バルク状態での測定が可能です。 SEM特有の高い空間分解能を持ち、比較的高い歪み感度を持っています。 また、局所的な格子歪みをテンソルデータとして検出できる可能性があります。...

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【分析事例】粘着テープの残渣評価

TOF-SIMSにより表面付着物成分を同定します

渣が疑われる場合、表面付着物の成分とその分布を調べることができるTOF-SIMSが有効です。 粘着テープをSiウエハ表面に張り、剥がした後のSiウエハ表面および粘着テープの表面をTOF-SIMSで測定した事例をご紹介します。...

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【分析事例】AFMデータ集

AFM :原子間力顕微鏡法

FMは微細な探針で試料表面を走査し、ナノスケールの凹凸形状を三次元的に計測する手法です。 金属・半導体・酸化物などの材料評価だけでなく、毛髪やコンタクトレンズなどのソフトマテリアルまで幅広い材料を測定可能です。 本資料では、様々な材質のAFM像をご紹介します。...

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【分析事例】バイポーラトランジスタの拡散層構造評価

ｐｎ判定を含む拡散層の構造を明瞭に観察可能

市販LSI内のNPNバイポーラトランジスタについて全景からエミッタ部の拡大まで詳細に観察が可能です。 エミッタ電極の中心を通る断面を露出させ、AFM観察、SCM測定を行った事例です。 AFM像と重ねることで、配線との位置関係がはっきりします。...

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【分析事例】GaN系LED構造中不純物の深さ方向濃度分析

目的に応じた分析条件で測定します

GaN系LED構造のドーパント元素であるMgやSiの深さ方向濃度分布を複数の分析モードで評価した事例をご紹介します。 SIMS分析では目的に合わせて最適な分析モードを選択することで、より厳密な評価が可能になりますのでお気軽にご相談ください。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

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【分析事例】顔料・色素の分散の観察

TOF-SIMSによるミクロンオーダーのイメージ測定

ポリエチレン表面に分散した青色色素「Cuフタロシアニン」の分布を調べました。 TOF-SIMS分析にて、1μmの色素系有機物の分布を捉えることが可能です。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

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［SXES］軟X線発光分光法

SXESは、物質から発光される軟X線を用いて化学結合状態を評価する手法…

・試料中の特定元素（特にB,C,N,O等の軽元素）に着目した化学結合状態の評価が可能 ・スペクトル形状は価電子帯における着目元素の部分状態密度を反映 ・X線吸収スペクトル（XAS）との同時測定によってバンド構造の評価も可能 ・バルクの情報が得られるため、表面近傍数nmの影響を受けにくい ・絶縁物に対しても帯電の影響を受けずに評価が可能 ・検出下限が低く（＜1atomic%）、微量成...

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［SCM］［SNDM］

キャリア分布を二次元的に可視化

この変動は探針直下の半導体中のキャリアの振動によるものにほかならず、変動の大きさは探針直下のキャリア濃度に依存します。 探針を走査させながら、合成容量Cの変動Cにより生じる高周波共振器の変調信号を測定することで、キャリアの分布を二次元的に可視化することができます。...

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［XRD］X線回折法

XRDは、回折パターンから試料の結晶構造情報を得る手法です。

結晶化度の評価が可能 ・配向性の評価が可能 ・歪み量・応力の評価が可能 ・非破壊で分析が可能 保有装置の特徴 ・室温～1100℃までの加熱分析が可能 ・ビーム径100μmまでの微小部測定が可能 ・N2、He、Ar、真空での雰囲気制御が可能 ...

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［TDS］昇温脱離ガス分析法

真空加熱/昇温により発生したガスを温度毎にモニターできる質量分析法。水…

■加熱部 試料をステージ上に置き、ステージ下部から赤外線を照射することにより試料を加熱します。 温度制御は、ステージ側にある熱電対にて行ないます。試料上部側の熱電対により試料表面側の温度を測定することも可能です。 ■質量分析部 加熱により発生したガスは加速した電子の衝突よりプラスイオン化され、質量電荷比に応じて分離されます。...

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［C-SAM］超音波顕微鏡法

C-SAMは、試料の内部にある剥離などの欠陥を非破壊で観察する手法です…

表面だけでなく、表面下の内部構造も非破壊で観察する事が可能です。空気との界面での反射が大きいことから、電子部品のパッケージ内部などに存在する空隙やクラックを高感度で観察できます。空隙箇所の判定は、各測定箇所における超音波の反射波形から判定します。...

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［Raman］ラマン分光法

試料の分子構造や結晶構造に関する情報を得る

散乱現象（ラマン効果）を利用し、分子中の構造についての情報を得る手法です。 ・試料の分子構造や結晶構造に関する情報を得ることが可能 ・レーザー光を用いることにより、FT-IRよりも微小領域の測定に対応可能（ビーム径約1μｍ）...

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X線CT法

X-ray Computed Tomography

断面像を構築可能。 ・X線エネルギーは30 kV～160 kVの間で設定できるため、有機材料から電子部品まで幅広く対応可能。 ・専用ステージにより、引張/圧縮や冷却/加温した状態で試料のX線CT測定が可能。 この資料では、適用例や原理、データ例などを紹介しています。 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。 ...

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【分析事例】半導体のイオン化ポテンシャル評価

UPS：紫外光電子分光法

では、価電子帯立ち上がり位置(VBM)と高束縛エネルギー側の立上り位置(Ek(min))より、イオン化ポテンシャルを求めることが可能です。 表面有機汚染除去程度のArイオンスパッタクリーニング後に測定を行っています。 ■価電子帯立ち上がり位置(VBM)の決定 価電子帯頂点近傍のスペクトルを直線で外挿し、バックグラウンドとの交点を求めます。 ■イオン化ポテンシャルの算出 イオン化ポテンシ...

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【分析事例】熱分解GC/MSダブルショット法による添加剤の同定

TG-DTAとGC/MSを用いた複合解析

揮発性有機化合物をそれぞれ同定することが可能です。市販製品のプラスチック部分の熱分解温度を調べ、熱分解温度以下での緩やかな昇温（熱脱着法）と、その後の高温での瞬間加熱（熱分解法）の2条件でGC/MS測定を連続的に行うこと（ダブルショット法）により、このプラスチックはAS樹脂であり、添加剤として酸化防止剤：IRGANOX 1076が含まれていることがわかりました。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】有機薄膜太陽電池電極界面および有機膜の分散状態評価

雰囲気の影響を最小限に抑えた総合的な評価解析が可能です

有機デバイスは酸素や水に影響されやすい材料を使用したデバイスです。MSTでは雰囲気の影響を最小限に抑えたサンプル搬送・加工方法・測定環境を整え分析を行っており、より真に近い状態評価が可能です。XPS分析で有機膜と電極の界面の状態評価を評価しました。有機膜表面に存在するチタニアの組成、結合状態を確認できます。TOF-SIMS分析で...

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【分析事例】環境制御in-situXAFSによるRuO2触媒評価

着目のガス雰囲気・温度条件下での測定が可能

in-situ XAFSは、試料周りの環境を着目に応じたガス雰囲気・温度に制御した条件下で、試料の化学結合状態・局所原子構造が評価できます。そのため、触媒等、特殊な環境での状態評価が必要な場合に適しています。本資料では、in-situ XAFSを用いてRuO2粉末を還元雰囲気下で室温から400℃まで昇温させ、RuO2の状態変化を捉えた事例をご紹介します。スペクトルの形状から、100℃～200℃の間...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC基板におけるSSDP-SIMS分析

SiC基板側からドーパント濃度プロファイルを取得可能

ーパント元素であるAlの濃度分布を素子表面側から及び裏面側からSIMSで評価しました（図２）。 分析を進める方向に関係なく深さ約0.5μm以降の分布もよく一致することから、Alの濃度分布の広がりは測定起因でなく実際の元素分布を反映しているものと考えられます。 SiCなどの加工の難しい硬質基板でも、SSDP-SIMS分析が可能です。まずはお気軽にご相談ください。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】Cu表面の酸化状態の定量

Cuスペクトルの複合解析

例として、Cu配線のCMP処理・洗浄の評価、Cu電極の錆・変色調査が挙げられます。 以下、各種処理を施したCu表面状態および酸化膜厚についてまとめます。 （クリーンルーム環境下にて処理し、直後に測定を行うことが可能です。）...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】XPS・AESによる深さ方向分析の比較

XPS：X線光電子分光法　AES：オージェ電子分光法

XPSとAESは表面敏感な分析手法でありサンプル表面の評価に広く用いられますが、イオンエッチングを併用することで深さ方向の分析が可能となります。 深さ方向分析を行うにあたり、測定したい領域やサンプルの材質に応じてXPSとAESを適切に使い分けることが、目的に沿った分析を行う上で重要です。 XPSとAESの深さ方向分析の特徴について、SUS不動態膜の分析を例として比較します...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】TOF-SIMSによる毛髪の評価

目的に応じた毛髪成分の評価が可能です

TOF-SIMSは元素分析と有機物・無機物の分子情報の解析が同時にでき、またイメージ分析が可能であることから、試料中の着目成分の分布・浸透具合の解析に有効な手段です。 毛髪に対して測定法と加工を組合わせることで、毛髪の表面や断面、深さ方向への分布と様々な視点からの評価が可能で、目的に応じた毛髪中の成分比較や浸透性評価を行うことができます。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】IGZO膜の局所結晶構造解析

電子回折で結晶性・配向性を連続的に評価

スプレイ用TFT材料として研究開発が進んでいる材料です。 薄膜中の結晶構造の有無はTFT特性や信頼性に影響する可能性があり、デバイス中における局所的な結晶評価が必要になります。 TEMの電子回折測定を用いてIGZO膜中の結晶構造を連続的に評価した事例をご紹介します。...

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【分析事例】プリント基板上有機物系異物の評価

適切なサンプリングと顕微測定で異物周辺情報の影響を軽減

サンプリングを併用した顕微FT-IR分析が有効な異物の評価事例を紹介します。 下地の影響がほとんど無い電極上異物はフラックスと同定されましたが、プリント基板上異物からは異物由来の情報が取得できませんでした（図1）。無機結晶上にサンプリングを行うことで異物の情報が得られ、異物はフラックスと同定されました（図2）。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

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【分析事例】SRAの深さ換算について

SRA：広がり抵抗測定法

SR測定は試料を斜め研磨して、その試料面に2探針を移動させながら接触させ、直下の電気抵抗を測定します。 ある測定点における試料表面からの深さは三角関数の定義より、試料の斜め研磨角度をθとした時のSinθの...

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【分析事例】STEM・EDXデータと像シミュレーションによる評価

STEM像と原子組成の測定結果から結晶構造の評価ができます

試料の測定によって得られた結果と、シミュレーションの併用により、結晶構造の評価が可能です。 本資料では、多結晶体であるネオジム磁石において、HAADF-STEMとEDXの測定によって得られた結果と、各々の測...

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［SEM-EDX］エネルギー分散型X線分光法（SEM）

電子線照射により発生する特性X線を検出し、エネルギーで分光することによ…

：Energy Dispersive X-ray Spectroscopyとも呼ばれます。 多くの場合、SEMまたはTEMに付属しており、本資料ではSEM付属のEDXについて解説します。 ・測定範囲の全エネルギー（B～U）が同時に短時間で測定可能 ・検出効率に優れているので、少ないプローブ電流で測定が可能 ・特殊な試料を除き、前処理不要で手軽に分析を行える ・未知試料の分析に適してい...

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【分析事例】SiC中ドーパント元素の深さ方向分析2

目的に応じた分析条件で測定します

市販品SiCパワーMOS FETのドーパント元素であるN,Al,Pの深さ方向濃度分布を複数の分析モードで評価した事例を紹介します。 分析目的によってはそれぞれの元素を最適な条件で別々に測定せず、複数の元素を同時に測定することが可能です。多元素同時測定した場合と、それぞれの元素に着目した条件で測定した場合の事例を示します。...

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【分析事例】リチウムイオン二次電池活物質の元素分析

大気非暴露環境下で解体・サンプリングし、劣化・変質を抑えた測定が可能で…

電子分光法）ではサブミクロン以下の元素マッピング（面分析）が可能なため、3元系材料(Co, Mn, Ni)の元素分布を明確に確認することができます。また、バインダ・導電助剤由来の炭素の分布も高感度で測定することができます。今回、正極活物質について、装置導入までの一連の処理を大気非暴露環境（不活性ガス雰囲気）下で行い、変質を最小限に抑えた測定を行いました。その結果、大きい粒子はLiCoO2、小さい粒...

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【分析事例】SiCパワーMOSFETの活性層評価

活性層の形状とドーパントを評価

します。 SiC MOSFET製造プロセスでは、イオン注入と活性化熱処理、エピタキシャル層形成などによってチャネル形成します。活性層形成プロセスにおいて、TEM観察からデバイス構造を把握し、SCM測定からｐ型/ｎ型の断面の拡散層分布やエピタキシャル層、SIMS測定からドーパント元素（N,Al,P）の深さ濃度分布を評価しました。 測定法：SIMS・SCM・TEM 製品分野：パワーデバイス 分...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】CIGS太陽電池へテロ接合界面の抵抗評価

真空下での走査型広がり抵抗顕微鏡（SSRM）による局所抵抗分布評価

CIGS薄膜太陽電池のZnO/CdS/CIGSの多結晶へテロ接合界面をSSRM法で分析し、局所的な抵抗分布を計測しました。真空環境下で測定することで、測定表面の吸着水を除去し、高空間分解能を得ることができます。測定結果から、ナノメートルレベルの空間分解能で各層の抵抗値を計測できていることが分かります。各層の抵抗値が数桁異なり、これがキ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】CIGS太陽電池の各層の相互拡散評価

表面の凹凸の影響を受けない高精度な測定が可能です

太陽電池では太陽光を有効に吸収するために表面凹凸を活用しています。SIMS分析を行う上で、表面の凹凸は深さ方向分解能の低下を招きます。表面からの測定では表面凹凸及びノックオンの影響により、CIGS中へCd, Zn, Oなどが拡散しているように見えます（図3）が、基板側（裏面側）から測定することにより、Cd, Zn, OなどのCIGS層中への顕著...

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