サンプル保存用チューブ『二次元コード付きチューブ』

PRサンプル管理業務のデジタル化！業務効率化とトレーサビリティ構築に便利な…

二次元コード付きチューブは、チューブ底面に二次元コード（2Dコード）をもつサンプル保存用チューブです。 当社のThermo Scientific Matrix 2Dチューブは、摩擦や衝撃によるコード脱落や破損に強い2Dコードを持ちます。全てのコードに対して可読性と重複がないことを確認しています。気密性に優れたガスケットと一体成形のスクリューキャップにより、サンプルの輸送や超低温下での長期保管から...

メーカー・取り扱い企業： サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社／Thermo Fisher Scientific K.K.

DNAコード化ライブラリー(DEL)：創薬スクリーニングの新手法

PR研究の初期段階を加速！NGSで化合物スクリーニングができるDNAコード…

効率的な化合物スクリーニング手法として、 創薬の現場などで一般的な手法として確立されてきているDNAコード化ライブラリー（DEL）。 Sigma-Aldrichでは多くの研究者がDELの技術を広く利用できるようするために、 独自のダイナミックライブラリー技術を持つDyNAbind社の協力を得てDELを簡易キット化しました。 準備された実験プロトコルに従いスクリーニングを進めた後は、...

メーカー・取り扱い企業： メルク株式会社ライフサイエンス（シグマ アルドリッチ ジャパン合同会社）

SiC Trench MOSFET ディスクリートパッケージ評価

ディスクリートパッケージ内部の構造を非破壊で立体的に観察

他社品調査や異常品検査では、まず内部構造の調査が必要です。X線CTでは、非破壊で試料内部の透過像を取得し、三次元構築することが可能です。本資料では、製品調査の一環としてSiCチップが搭載されたディスクリートパッケージをX線CTで観察した事例をご紹介します。 X線CTによる構造確認後、MSTで実施している物理分析（破壊分析）をご提案します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SNDMおよびSMMによる拡散層評価

SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます

近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は素子の高集積化が可能であり、SiCデバイスへの応用展開も進められています。一方、SiCデバイスのドーパント活性化率には課題があり、出来栄え評価が重要となります。今回、SiC Trench MOSFETに関して、SNDM（走査 型非線形誘電率顕微鏡）にてキャリア極性判定をSMM（走査型マイクロ波顕微鏡法）にてキ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

CZ/高抵抗FZ 各種ウェーハ販売(評価・開発・テスト用)

少量ウェーハに対応！研究・テスト用途に便利なウェーハ販売サービス！ ハ…

【取扱商品】 ＊CZ・FZ・拡散ウェーハ・SiC・SOI・EPI・GaAs・SiGe・GaSb・サファイア・ゲルマニウムなど様々な半導体用ウェーハを扱っております。 ＊プライム・テスト・モニター用ベアウェーハ(高精度ウェーハ・パーティクルチェック用・COP対策品等） ＊SOIウェーハ：高抵抗デバイス層、基板も対応可、ウェーハを支給していただきSOIウェーハへ加工することも可能です。 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エナテック 東京本社

【POTENS】600V以上高耐圧品　MOSFET相当品情報多数

汎用の低耐圧から1500V高耐圧MOSFETなど豊富なラインナップ！ …

POTENS(ポテンツ)は2012年9月に設立された台湾のFABレス、パワー半導体メーカーです。 パワー半導体製品の開発を行っており、10V耐圧～1500V耐圧まで幅広くラインアップしております。 高耐圧600V～1500V製品まで、クロスリファレンスを作成しました。 是非、ダウンロードして頂き、新規、代替品検討、EOL対策や、セカンドソース準備、納期対策などにご活用ください。 ク...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社セイワ

【資料】しるとくレポNo.12　＃ダイオードの種類と特長

SiCデバイスを使って電源を効率化！ダイオードの種類と特長について簡単…

★★しるとくレポ　知って得するお役立ち情報★★ 半導体材料をSiからSiC(炭化ケイ素)にすることで、ショットキーバリア ダイオード(SBD)の耐電圧が向上し、PCSのDC/DCコンバータで 使用できるようになりました。 SiCにすると性能は良くなるのですが、これまではコスト面の課題で なかなか使用するまでには至りませんでした。 しかし、ここ1、2年でコストの課題も改善し、使用...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社Wave Technology

CZウェーハ　成膜加工

2インチから12インチウェーハへの成膜が可能です。

株式会社エナテックのCZウェーハ 成膜加工は、膜種により2インチから450ｍｍウェーハへの成膜が可能です。 酸化膜系：熱酸化、RTO、LP-TEOS、HDP-USG、P-TEOS、PSG、BPSG、BSG、LP-CVD、PE-CVD 窒化膜系： HCD-SiN、DCS-SiN、P-SiN、LP-SiN 、LP-CVD、PE-CVD 金属膜系： TaN、Ta、Cu、Al、AlN、...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エナテック 東京本社

ドライアウト全自動ポリッシュ装置『6EZ』

Revasum社の枚葉処理装置！SiC基板とデバイスの歩留まり向上を提…

『6EZ』はSiC基板とデバイスの歩留まり向上を提供できる ドライアウト全自動ポリッシュ装置です。 Revasum社の7AF-HMGグラインダー装置と6ZEポリッシュ装置を同時に 使用することでプロセスの簡素化を提供。 当社は半導体製造装置や装置用精密部品の輸出入商社として、 広く世界に革新技術を求め、お客様の求める製品を迅速にご提案いたします。 【特長】 ■150mm及...

メーカー・取り扱い企業： ファーストゲート株式会社 本社、大阪オフィス、笹目倉庫

ダイシング加工　半導体加工事業

高品質なサービスを低コストで実現！ご要望等を是非お聞かせください！

藤田デバイス株式会社は、ウェハを”切ること”ダイシングをメインとして 半導体加工事業に関わってまいりました。 目指すものは価格以上の高品質なサービス。これを提供し続けることを モットーにお客様からの支持をいただき歩んでまいりました。 バックグラインド・ダイシングなどの加工、ピックアップ、そして 外観検査に至る各作業に対応可能です。 【対応材料】 ■Siウェハ、ガラエポ基板...

メーカー・取り扱い企業： 藤田グループ

測定器『FLA-200』

ウエハフラットネス測定システム！

『FLA-200』は、非接触式のフラットネス・厚さ測定システムです。 ウエハサンプルのフラットネス(TTV、BOW、WARP)、厚さを測定します。 厚さ、TTV、BOW、Warp、サイトフラットネス、グローバルフラットネス の測定に対応 （ASTM準拠）しており、CSVファイルでのデータ出力も可能 です。 また、お客様の要望に応じ、様々にカスタマイズ可能です。 【特長】 ...

メーカー・取り扱い企業： ナプソン株式会社

PN判定器『PN-8LP』

サンプルにダメージを与えずに測定可能！

『PN-8LP』は、光起電力方式のペンタイプ非接触PN判定器です。 レーザー光照射で非接触のため、サンプルにダメージを与えません。 電池式（単3乾電池）なので、持ち運びに便利です。 また、ボタンを押すだけでPN判定が可能です。 お客様の要望に応じ、様々にカスタマイズ可能です。 【特長】 ■ペンタイプ ■非接触式 ■電池式 ■シンプル操作 ※詳しくはお問い合わせ、...

メーカー・取り扱い企業： ナプソン株式会社

接触式 抵抗測定器『WS-8800』

ウエハ搬送ロボット搭載による4探針法！全自動測定ソーター

『WS-8800』は、フルオートタイプ（全自動測定システム）の接触式 抵抗測定器です。 厚さ測定、PN測定、温度測定に対応可能です。（シリコンウエハ） カセット数はいくつでも対応することができます。 また、お客様の要望に応じ、様々にカスタマイズ可能です。 【特長】 ■全自動 ■セルフテスト機能、広範囲測定レンジ ■厚さ・周辺位置・温度補正機能（抵抗率(比抵抗)測定） ...

メーカー・取り扱い企業： ナプソン株式会社

測定器『SRS-2010』

カスタマイズ可能な拡がり抵抗測定器

『SRS-2010』は、2探針法の拡がり抵抗測定システムです。 試料の深さ方向の抵抗率分布、エピタキシャル層の厚さ、PN接合の深さ、 キャリア濃度分布を求めることが可能です。 数mm角の領域から、数百μm程度のパターン領域の分析ができます。 測定した拡がり抵抗から、較正曲線を用いて低効率を算出します。 お客様の要望に応じ、様々にカスタマイズ可能です。 【特長】 ■2探針法...

メーカー・取り扱い企業： ナプソン株式会社

【オンライン講座】パワーデバイスの基礎

お客様からご要望が多かった講座を準備！現役エンジニアが講師を務めます！

当社は、オンライン講座『パワーデバイスの基礎』を開催しています。 「自宅で過ごす時間が増えたのでスキルアップがしたい」や 「独学で勉強しても理解ができない」といったお客様の声に応じて オンデマンド講座とライブ配信講座をご用意。 パワーデバイスの構造、動作原理や、データシートのポイントが 理解できます。 また、確認テストをご用意しており、講師から詳しい解説もいたします。 そ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社Wave Technology

【電源IC】ゲートドライバ　ラインアップ一覧

パスイッチング回路の出力段をシンプルに構成したい時に使われる電子回路で…

『ゲートドライバIC』(ゲート駆動回路)は、MOSFETやIGBT、SiCデバイス などの駆動制御を行う電子回路です。 MOSFETやIGBTのゲート電圧を制御することで、オン・オフの切り替えが可能。 パスイッチング回路の出力段をシンプルに構成したい時に使われます。 MOSFETやIGBTで高電圧／大電流のスイッチングを行なう場合、低損失かつ 高速動作をさせるためには論理信号の入...

メーカー・取り扱い企業： アールエスコンポーネンツ株式会社

【分析事例】SiC Planer Power MOSの分析

SiCデバイスの拡散層構造を可視化できます（拡散層構造の高感度評価）

SNDM (走査型非線形誘電率顕微鏡)では半導体のp/n極性を識別し、拡散層の形状を可視化すること ができます。本手法は、従来から用いられているSCM（走査型静電容量顕微鏡）の機能を包括しており、 SCMでは評価が難しいSiCを代表とする次世代のパワーデバイスにおいても、低濃度から高濃度まで十分に評価を行うことができます。高感度を特徴とし、あらゆる化合物半導体デバイスに適用可能です。一例として、S...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC Trench MOSFETのトレンチ側壁評価

デバイス特性に関わるトレンチ側壁の粗さを定量評価

近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は、素子の高集積化に必要であり、SiCデバイスへの応用展開が進められています。 Trench MOSFET構造のチャネル領域はトレンチ側壁であるためトレンチ側壁の平坦性がデバイスの信頼性に関わってきます。本資料ではSiC Trench MOSFETのトレンチ側壁の粗さについて、AFM（原子間力顕微鏡）を用い...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【資料】しるとくレポNo.99＃SiCのMOSFETについて

MOSFETの性能はFoMといわれる性能指数で比較！メーカによって測定…

★★しるとくレポ　知って得するお役立ち情報★★ SiC MOSFETはSiと比べても高い耐圧を持ちながら、抵抗も小さいという 特長を持っています。 この特長を活かして、高耐圧のIGBTをSiCのMOSFETに置き替える製品が 多く見られます。 今回はMOSFETについて、お話ししたいと思います。 SiCのダイオードについて知りたい方はしるとくレポNO.12をご覧ください。 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社Wave Technology

非接触式 抵抗測定器『NC-80MAP』

広範囲レンジ対応の非接触（渦電流法）シート抵抗/抵抗率 多点測定器

『NC-80MAP』は、複数タイプの非接触プローブによる広範囲レンジ対応の 抵抗測定器です。 搭載するプローブ数およびプローブタイプはご要望により、変更可能です。 エッジ8mmからの多点測定も可能です。 また、非接触の渦電流方式のため、ダメージを与えずに測定できます。 お客様の要望に応じ、様々にカスタマイズ可能です。 【特長】 ■非接触式 ■セミオートタイプ ■多点測...

メーカー・取り扱い企業： ナプソン株式会社

非接触式 抵抗測定器『EC-80』

コンパクトで簡単操作の手動式非接触（渦電流法）抵抗測定器

『EC-80』は、プローブ間にサンプルを入れるだけで測定可能な、簡易 測定器です。 抵抗率/シート抵抗測定モードを簡単に切り替え出来ます。 また、JOGダイアルによる簡単な測定条件設定可能です。 プローブ固定式のため、ご購入の前に数タイプのプローブから1タイプを 選択となります。 お客様の要望に応じ、様々にカスタマイズ可能です。 【特長】 ■非接触式 ■マニュアルタイ...

メーカー・取り扱い企業： ナプソン株式会社