【分析事例】SiC基板表面および内部の不純物濃度測定

ICP-MS, GDMSにより基板表面と内部とを切り分けて分析

半導体材料に含まれる不純物は、リーク電流の発生やデバイスの早期故障等、製品の品質に影響する場合があります。従って、材料に含まれる不純物量を把握することは、製品の品質向上において重要です。本資料では、パワーデバイス材料として注目されているSiC基板について、基板表面に付着した不純物をICP-MS、基板中の不純物をGDMSで分析した事例をご紹介します。 測定法：ICP-MS・GDMS 製品分野：パ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【イオンクロマトグラフ】H2O2中トリメチルアミンと標準陽イオン

半導体製造向け過酸化水素トリメチルアミンと標準陽イオンの測定をイオンク…

当資料では、イオンクロマトグラフィーにより、30％の過酸化水素（H2O2）中のトリメチルアミン（TMA）および標準陽イオンの測定を行った結果をご紹介しております。 分析にはマトリックス除去を伴うインライン濃縮（MiPCT-ME）を用いて、 陽イオンの連続サプレッション後電気電導度検出器により測定。 「分析方法」や「分析パラメータ」、「装置構成」などを掲載しています。 【掲載内容】 ■カラ...

メーカー・取り扱い企業： メトロームジャパン株式会社