- 製品・サービス
13件 - メーカー・取り扱い企業
企業
1910件 - カタログ
12416件
-
-
-
水銀プローブにより電極の形成が不要！R&Dにおける開発時間の短縮、Lo…
『MCV-530/530L/2200/2500』は、半導体シリコンウェハーの電気特性や MOSデバイスの酸化膜等の特性評価を可能にする装置です。 従来ではウェハーにゲート電極としてPoly-SiやAl等を蒸着し、MOS構造・ ショットキー構造形成後にCV/IV特性評価を行っておりました。 当製品は、装置自身がゲート電極を持つため、メタルゲート作成なしに 酸化膜やウェハーの電気特性...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
-
-
-
-
非接触式の重金属汚染・CV/IV・膜評価装置。 鉄濃度測定の感度はD…
世界に400台以上の実績を持つ非接触式の重金属汚染・CV/IV・膜評価装置です。 鉄濃度測定の感度はDSPVを採用することでE8を実現し、近年のCMOSイメージセンサーの歩留まり向上に寄与しております。 化合物半導体のCV測定が可能です。非接触で面内の濃度分布、プロファイル測定が可能です。...【特徴】 ■非接触CV/IVインライン測定 ■超高感度汚染管理（E8レベル鉄濃度測定） ■パタ...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
-
-
-
-
PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定！オプションにより表面抵抗測…
当社が取り扱う、拡がり抵抗測定装置『SRP-170/2100』をご紹介します。 斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に2探針をコンタクトさせ、 そのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイル、 EPI層の厚み、PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定。 「SRP2000」は、プローブのコンディショニング、ベベルアングルの測定、 標準サンプルのデータ入力などが全...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
-
-
-
-
非破壊/非接触！nmスケールのウェハー内部の拡張欠陥の検出とモニタリン…
『En-Vison』は、転位欠陥、酸素析出物、積層欠陥などのウェハー内部の 結晶欠陥を非接触・非破壊で測定・評価ができる結晶欠陥検査装置です。 欠陥サイズ（15nm～サブミクロン）と密度（E6～E10/cm3）の両方で ハイダイナミックレンジを提供。 ウェハー深さ方向の検出感度を大幅に向上させ、幅広い密度とアプリケーションを カバーすることで、表面近傍では確認ができない深さ方向の...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
-
-
-
-
非接触でエピウェハの抵抗率をモニター可能！
QC2500シリーズは、非接触でエピタキシャルウェハーの抵抗率をモニターすることができます。測定原理としてサーフェイスフォトボルテージ（ＳＰＶ）法を用いてウェハー上にパルス光を照射することによりウェハー表面電位変化を検出し、空乏層幅を測定します。強反転状態の空乏層幅が不純物濃度に比例することにより、不純物濃度測定を行い、抵抗率に換算（ASTM)します。 ...■特徴 ■非破壊・非接触測...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
-
-
-
-
超高感度DLTSシステム／ バルク内欠陥・界面準位測定装置
108 cm3レベルのバルク内欠陥、界面準位の高感度な測定に対応（DLS-1000)。 又、ライブラリーを標準装備しておりますので解析が容易に行えます。 【特徴】 ●高感度な汚染検出が可能 （2x108 atoms/cm3 ）。 ●幅広いクライオスタット用のインターフェイスを装備。 ●温度、周波数スキャン、C-V特性 等の測定が可能。 ●簡単に深さ方向のプロファイル、トラップの...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
-
-
-
-
トレンチ深さ測定装置
パワーデバイスのディープトレンチやTSV形状、DRAMのキャパシタートレンチの深さ、CD測定、リセス測定を非接触で測定。独自技術MBIR（Model Based Infrared)により高アスペクト比のトレンチの測定が可能。また、エピ膜のドープ濃度の縦方向プロファイルの測定にも対応。 ...広波長帯域の赤外線を干渉計に導き変調する。変調された赤外線を薄膜表面に照射すると、薄膜各層の界面から（...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
-
-
-
-
全自動拡がり抵抗測定装置
SRP(Spreading Resistance Profiler)装置は，斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に２探針をコンタクト させそのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイル，EPI層の厚み，PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定する装置です。 ...・簡単なキーボード操作によるオペレーションのみで測定が可能となり、熟練作業が不要。 全自動による複数サンプル...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
-
-
-
-
高効率太陽電池開発用測定装置
PV-2000は、Semilab社とＳＤＩの技術を結合した太陽電池開発用の総合測定装置です。 パシベーション層評価等の高効率太陽電池を開発するための様々なヘッドを搭載可能です。 ...測定機能 - QSS-u-pCD (Injection level毎のライフタイム測定） - Ultimate-SPV (ウェハー厚4倍までの拡散長測定９ - ALID（高速光劣化測定） ...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
-
-
-
-
表面電荷分析装置
表面電荷分析装置は、半導体前工程管理とりわけ熱酸化膜、ＣＶＤ膜形成、メタライゼーション、洗浄及びエッチングなどプロセス中に生じた汚染とダメージのモニタリングに最適です。 ...ウェハー表面電荷量及び界面準位密度の測定 ■酸化膜工程 ・ウェハー汚染やプラズマ損傷による酸化膜中 電荷量の変化 ・熱ストレス等による界面準位密度の変化 ・窒化酸化膜中の固定電...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
-
-
-
-
FastGateインライン向けＣＶ・ＩＶ測定装置ECV-2500
FastGate インライン向けＣＶ・ＩＶ測定装置
電極形成が不要な上、ウエハーにダメージを与えず、コンタミネーションも残さないことからインラインで使用出来る装置です。 ...ＵＳＬ（極浅層<40nm）のイオン注入、低ドース・イオン注入のドース量モニタリング、極薄酸化膜（<20Å）の電気的膜厚測定 SiON 膜，High k膜の誘電率測定、Epi の 抵抗率測定などが可能です。 主な測定・評価項目 ・電気的膜厚（CET/EOT) ...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
-
-
-
-
インプラ後のドーズ量モニタリングとアニール処理前後のジャンクション深度…
【装置の原理】 ■Generation Laserは過剰少数キャリアを発生させ、明らかなダメージが存在するところを熱します ■過剰少数キャリア勾配は屈折勾配のインデックスを形成します ■Probe Laserはジャンクション深さ、ドーズレベル、PAI深さを測定するために屈折勾配インデックスまたは表面の熱情報を利用します ■Generation Laserは2kHzに変調され、これにより...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
-
-
-
-
JPV法により、非接触で、PNジャンクションのジャンクション・リーク、…
JPV法（ジャンクション・フォト・ボルテッジ法）を用いているため、高速で再現性の良いマッピング測定が可能です。 【特徴】 - 非接触、非破壊測定 - プローブの調整は不要 - 測定のための特別な試料準備は不必要 - 表面に酸化膜やコーティングが存在しても測定可能 - 空間分解能の高い分布測定（マッピング）が高速で可能 - 再現性の高い測定が可能 - セミラボ社のベンチトッププラ...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
-
- 表示件数
- 45件
- < 前へ
- 1
- 次へ >
※このキーワードに関連する製品情報が登録
された場合にメールでお知らせします。