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★熱処理業界のお客様必見★ 熱処理内容の方法別に、当社がお役に立てる…
熱処理業界のお客様向けに絞って、 当社がお役に立てる場面を用途別にご紹介しております。 【掲載内容例】 ■雰囲気熱処理炉における露点・酸素濃度測定 ■バッチ炉、連続炉の両方に対応 ■焼入炉におすすめのオイル中水分計 等 ぜひ、“PDFダウンロード”より、ご一読ください。 また、当社では『TK-100 オンライン露点計』を始め、 各種露点計、酸素濃度計、オイル中水分計...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社テクネ計測
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高度な分析と”考察力”でお客様の問題解決！適切な前処理方法と測定方法を…
じた特有のスペクトルが得られる ■スペクトルをデーターベースや比較物質のスペクトルと比較することで試料の同定を行う ■ゴムや樹脂の主成分定性分析 ■製品に付着又は混入した異物の定性分析 ■熱処理による化合物の構造変化の確認 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。...
メーカー・取り扱い企業： イビデンエンジニアリング株式会社 環境技術事業部
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NBD：Nano Beam Diffractionによる微小領域の歪解…
ポット位置）の変化から、格子歪に関する知見を得ることができます。任意の晶帯軸入射方向で、デバイスパターンに合わせた測定が可能です。 素子分離領域（LOCOS周辺）のSi基板について測定した結果、熱処理温度・結晶方向によって歪量が異なっていることが確認できました。...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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ライフタイム制御サンプルのキャリア濃度分析事例紹介
パワー半導体デバイスでは、ライフタイム制御のために、Si基板内に結晶欠陥を形成することがあります。ライフタイム制御領域の作成に用いられる元素の一つである水素イオンの熱処理条件の違いによるキャリア濃度分布を評価した事例を示します。...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…
図５ 温度における保持時間とガラス転移温度 図６ 定速昇温中のガラス転移温度の変化を調べることを想定したFSCの測定プロファイル 図７ 2℃/min昇温時の試料温度とガラス転移温度 図８ 熱処理プロセスとガラス転移温度（模式図）...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター
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熱履歴を揃えた標準試料の活用提案
れると大気中の酸素や水分と反応し、分子構造が変化します。そのため、異物や付着物が高分子材料の可能性がある場合、測定サンプルと同じ環境で処理した標準物質を比較データとして用いる必要があります。 熱処理（200℃/30分）によってPP標準物質がどのように変化するかを調べるため、FT-IR及びTOFSIMS測定を行いました。...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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試料のベーク温度の違いによる脱ガスの変化をTDSで確認できます
TDSは昇温と共に脱離する無機ガス・有機ガスについて、脱離の温度依存性も評価可能です。そのため、試料のベーク温度による脱ガスの評価に有効です。 レジスト膜について50℃ベーク、200℃ベークを行い、それぞれについてTDS分析を行った結果を示します。「50℃ベーク後」に検出された200℃までの脱ガスピークが、「200℃ベーク後」では検出されていないことが確認できました。...詳しいデータはカタログ...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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活性層の形状とドーパントを評価
市販のSiCパワーMOS FET素子領域で拡散層分布を評価した事例をご紹介します。 SiC MOSFET製造プロセスでは、イオン注入と活性化熱処理、エピタキシャル層形成などによってチャネル形成します。活性層形成プロセスにおいて、TEM観察からデバイス構造を把握し、SCM測定からｐ型/ｎ型の断面の拡散層分布やエピタキシャル層、SIMS測定から...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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SiC中B,Al,N,P,Asについて、高感度で深さ方向分布の評価が可…
SiCはその物性からパワーデバイス材料として用いられていますが、Siとは異なりイオン注入後の熱処理によるドーパントの拡散が困難なため、多段イオン注入により深さ方向への分布を制御する必要があります。SIMS分析は高感度（ｐｐｍ以下）で深さ方向の不純物濃度を評価することができるため、SiC中のドー...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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