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PFAS分析に貢献!超高感度分析用超純水装置【デモ機対応可能】
PRPFAS分析にも、超高感度TQ ICPMSにも対応しているため、高感度…
今使っている超純水装置ではPFAS分析に使えない! またPFAS分析用の超純水を購入して使うのはコストがかかるし、面倒だ! こんな悩みをお持ちの分析者の方はいませんか? エルガ・ラボウォーターの『PURELAB Chorus 1 Analytical Research』ならPFAS分析にそのまま使えます。 同時にTQ ICPMSでの超微量元素分析にもそのまま使えます! 【LCMSMSを用いた超...
メーカー・取り扱い企業: ヴェオリア・ジェネッツ株式会社 エルガ・ラボウォーター事業部
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分析用ガスの除湿に『FORBLUEサンセップSWGシリーズ』
PRガス成分は失わず、水蒸気のみを除去できます。ガス分析のサンプルガスなど…
【主な特長】 ■水蒸気以外のガス成分を外に逃がさない 非多孔膜を使用しているため、ガス成分はそのままで除湿ができます。 ■ドレン処理不要 除湿した水分は水蒸気として外に排出されるため、ドレンの処理が不要です。 ■取り付けが容易で電源不要 サンセップは電源を使用せず、配線不要です。防爆エリアでの使用も可能で、ノイズの発生もありません。 ■メンテナンス不要 機械的な...
メーカー・取り扱い企業: AGC株式会社 化学品カンパニー
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物理分析を行う装置を揃え、立会い分析も可能な受託分析サービスを行ってい…
主な装置は「HR-TEM」「Q-pole型SIMS」「μESCA」「RAMAN」など。ミクロ・ナノレベルの表面分析におけるノウハウの蓄積があり、信頼性の高いデータを短期間で提供することができます。また未知試料の分析についてもアドバイスします。 【表面分析 二次イオン質量分析(SIMS)】 ○数keVのC...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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優れた測定が可能にする分析手法です!
『二次イオン質量分析』は、数keVのCsやO2イオンをサンプルに照射して 放出される二次イオンの質量分析により、水素を含む全元素の組成分析を 行う手法です。 高感度の元素分析や低エネルギーイオンによる深さ分解...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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各種半導体の様々な目的に合わせて、各種手法で分析が可能!
半導体材料分析項目 原子レベルの構造観察、結晶構造、転位密度、膜厚 表面形状、断面構造(膜厚) 結晶性(面方位)、積層膜の周期構造 表面組成、結合状態、深さ方向分布 不純物濃度、深さ方向分析 結晶...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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光電子分光分析装置(ESCA)を使用した多層膜の深さ分析結果を掲載!
当事例集は、イオン注入、成膜・分析、研究・事業化マネジメントの サービスなどを提供している株式会社イオンテクノセンターの光電子 分光分析装置「ESCA」による多層膜の深さ分析の事例集です。 シリコン基板の上にシリコン酸化膜...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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400LPIの銅メッシュ(メッシュ間隔:63.5μm)の分析結果を掲載…
当事例集では、400LPIの銅メッシュ(メッシュ間隔:63.5μm)を マイクロESCA(Quantum-2000)により分析した結果を紹介しております。 二次電子像から分析視野を指定してその領域の銅の面分析を行った結果 二次電子像に対応した銅の分布が得られ、さらにこのデータから測長機能を 利用してメッシュ間距離...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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当社のESCAはX線プローブ径を5μmまで絞れます!面分析も可能です。
『ESCA』は、X線プローブ径を5μmまで絞ることが可能な X線光電子分光分析装置です。 X線を走査しながら照射することによって発生する二次電子像 (SXI:Scanning X-ray Image)により測定場所を特定して、局所的な 組成および化学結合状態の分析が...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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イオン注入・分析のよくあるご質問をQ&A形式でご紹介しています
イオンテクノセンターは、先端材料へのイオン注入サービスを行っております。 資料では、イオン注入・分析のよくあるご質問をQ&A形式でご紹介。 「イオン注入とは?」をはじめ、「アモルファスとは?」や 「サンプルなどの情報の機密保持は?」等、様々なご質問にお答えしています。 【掲載内容(抜...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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当社のESCAは X 線プローブ径を5μmまで絞ることができます。
400LPI の銅メッシュ(メッシュ間隔:63.5μm)をマイクロ ESCA (Quantum-2000)により分析した例を紹介します。 二次電子像から分析視野を指定してその領域の銅の面分析を行いましたが、 二次電子像に対応した銅の分布が得られました。 さらにこのデータから測長機能を利用してメッシュ間距...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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DLC(ダイアモンドライクカーボン)の各種分析が可能!
構造評価 TEM高分解能像観察 Raman TEM-EELS XAFS 組成評価 RBS ERDA (水素分析) 密度評価 XRR RBS ERDA (膜厚) 硬度評価 ナノインデンテーション...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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物理分析を行う装置を揃え、立会い分析も可能な受託分析サービスを行ってい…
主な装置は「HR-TEM」「Q-pole型SIMS」「μESCA」「RAMAN」など。ミクロ・ナノレベルの表面分析におけるノウハウの蓄積があり、信頼性の高いデータを短期間で提供することができます。また未知試料の分析についてもアドバイスします。 【微少領域形態観察 透過電子顕微鏡(HR-TEM)】 ○高速...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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イオン注入・成膜・分析の技術と設備をさまざまな分野のイノベーションにつ…
株式会社イオンテクノセンターは、時代の求めるプロフェッショナル 集団として、前身であるイオン工学研究所の事業を引き継いだ形で 誕生いたしました。 特にイオン注入、成膜、分析を中心とした技術と設備を備えた先端の 研究開発を行い、日本を代表する創造的ラボラトリーをめざします。 【事業内容】 ■イオン工学に関する研究開発受託 ■イオン工学に関する装置による金属、...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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2点の問題を解決するために濃度既知の試料を3点以上分析。
歪 Si デバイスに用いられる組成比勾配を持つ Si(1-x)Gex膜の深さ方向に 対するGeの濃度分布を正確に定量するのに SIMS(2 次イオン質量分析法)が 用いられます。 SIMS で Si(1-x)Gex 膜を分析する際に 2 点解決しなければならない問題があり、 1点目はSi に対する Ge の2次イオン強度が組成比の変化に伴い大...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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化合物半導体サンプルを試料に、深さ分解能を測定した結果を紹介。
SIMS(二次イオン質量分析法)は数 kV の 1次イオンビーム(O2+, Cs+)を試料 表面に照射し、スパッタされた二次イオンを質量分析して試料中の微量 不純物を分析する事ができる装置です。 Q-pole SIM...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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透過型電子顕微鏡(TEM)でサンプルの微細構造がナノレベルで観察が可能…
TEM観察 ・ナノオーダーの構造把握や格子像の観察を行います。 ・TEM画像を使用した解析・評価、EDXによる局所的元素分析を行っております。 TEM画像を用いた解析、評価 ・高分解能TEM像による結晶欠陥の解析や歪みマッピング評価を行います。...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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物理分析を行う装置を揃え、立会い分析も可能な受託分析サービスを行ってい…
主な装置は「HR-TEM」「Q-pole型SIMS」「μESCA」「RAMAN」など。ミクロ・ナノレベルの表面分析におけるノウハウの蓄積があり、信頼性の高いデータを短期間で提供することができます。また未知試料の分析についてもアドバイスします。 【表面分析 X線光電子分光分析(ESCA・XPS)】 ○X線...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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検出下限を1E16n/cm3に下げることが出来ました。SIMSによる分…
半導体材料開発には不純物分析が重要ですが、高感度で分析できる二次イオン 質量分析(SIMS)が適しています。 SIMS(アルバックファイ:ADEPT-1010)によって、シリコンへアルミニウムを イオン注入したサンプ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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SIMSによる、シリコンへ砒素をイオン注入した分析結果を紹介。
当ページでは、SIMS (アルバックファイ:ADEPT-1010)によって、シリコンへ 砒素をイオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 砒素(75As)はマトリックスであるシリコンと残留ガスである酸素あるいは 水素との複合分子(29Si30Si16O など)が干渉するため、質量分解能が 3190 必...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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SiC基板へアルミニウムをBOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介…
SIMS(アルバックファイ:ADEPT-1010)によって、SiC基板へアルミニウムを BOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 SiC 基板は絶縁性が高いため、1次イオンビームを試料表面に照射すると 電荷が蓄積するため正確な測定が出来ません。そこで 1次イオンビーム 照射部分に低速電子ビーム...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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化合物半導体系超格子サンプルを使用した深さ分解能測定の結果を掲載!
当事例集は、イオン注入、成膜・分析、研究・事業化マネジメントの サービスなどを提供している株式会社イオンテクノセンターの 深さ分解能測定の結果を掲載している事例集です。 Q-pole SIMS(アルバックファイ:ADEPT...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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