• 【分析事例】酸化アルミニウム薄膜の局所構造解析 製品画像

    【分析事例】酸化アルミニウム薄膜の局所構造解析

    成膜条件の違いによる膜の微細構造の変化を捉えることが可能です

    酸化アルミニウムは優れた耐摩耗性、耐熱性などの性質から各種産業用機械・製造装置用部品などに用いられています。 また、化学的安定性や高い絶縁性も有していることから、その薄膜は触媒の担体や磁気トンネル接合の絶縁層などにも用いられています。成膜条件によってアモルファス構造や様々な結晶構造をとり得る酸化アルミニウム膜の微細構造の評価はXAFSが有効です。 本資料ではアモルファス酸化アルミニウム薄膜につ...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 「ESCAによる多層膜の深さ分析」 事例集 製品画像

    「ESCAによる多層膜の深さ分析」 事例集

    光電子分光分析装置(ESCA)を使用した多層膜の深さ分析結果を掲載!

    当事例集は、イオン注入、成膜・分析、研究・事業化マネジメントの サービスなどを提供している株式会社イオンテクノセンターの光電子 分光分析装置「ESCA」による多層膜の深さ分析の事例集です。 シリコン基板の上にシリコン酸化膜とチタン酸化膜の積層膜をESCA (Quantum-2000)によって分析した結果を掲載しております。 【掲載概要】 ■ESCAによる多層膜の深さ分析の分析結...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター

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    化合物半導体系超格子サンプルにおける深さ分解能測定

    化合物半導体サンプルを試料に、深さ分解能を測定した結果を紹介。

    SIMS(二次イオン質量分析法)は数 kV の 1次イオンビーム(O2+, Cs+)を試料 表面に照射し、スパッタされた二次イオンを質量分析して試料中の微量 不純物を分析する事ができる装置です。 Q-pole SIMS(アルバックファイ:ADEPT-1010)によっては、Al0.28Ga0.72As/GaAs を 50nm ずつ分子線エピタキシー(MBE)で成膜した化合物半導体サンプル...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター

  • 【分析事例】XRFによるウエハ上Au薄膜の付着量評価 製品画像

    【分析事例】XRFによるウエハ上Au薄膜の付着量評価

    薄膜成分の付着量を試料間で比較

    蛍光X線分析(XRF)では、元素分布の簡便な評価が可能です。 本事例では、蒸着装置を用いて任意量のAuを成膜した4inchのSiウエハA・Bを試料として、Auの分布および総付着量の比較を行いました。 面分析の結果より、Auの分布状態が確認できました(図1~4)。また、各画素から得られたXRFスペクトルのAu強度より付着量を比較し、ウエハBはAより多いことを確認しました(図5)。...詳しいデータは...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】有機EL素子の電極/有機層界面の状態評価 製品画像

    【分析事例】有機EL素子の電極/有機層界面の状態評価

    不活性ガス雰囲気下で前処理からXPS測定まで行います

    バッファー層/Alq3界面を物理的に剥離(ピーリング)し、剥離面(バッファー層側)のXPS分析を行いました。不活性ガス雰囲気下でピーリングすることで化学構造を破壊せずに界面を露出でき、さらに不活性ガス雰囲気を保ったままXPS装置に搬入することで剥離後の変質(酸化・吸湿など)を抑えました。バッファー層の主成分はLiFで、その一部が酸化している可能性が示唆されました。雰囲気を制御することで、成膜方法・...

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