Alliance iS HPLC システム

PRヒューマンエラーを予防し、分析業務の効率を向上させるHPLC

品質管理（QC）ラボでは、変化し続ける厳格なコンプライアンスおよびデータの質の要件に対応しつつ、以前より厳しいタイムラインおよび予算内での製品のリリースを要求されています。一方で、LC分析のスキルを持つ人材確保も難しくなっていく中で、このような問題がさらに大きくなっています。 Alliance（アライアンス） iS HPLC システムは、初回から信頼できる分析結果を取得し、製品のリリースサイクルを...

メーカー・取り扱い企業： 日本ウォーターズ株式会社

パレット洗浄脱水機【衛生レベルアップ、洗浄の省人化！】

PR2024年問題で物流効率アップに有効なパレット輸送。そのパレットが製品…

段積みされたパレットをフォークリフトで洗浄ラインに投入するだけで、洗浄・脱水・乾燥まで行います。 処理能力は1時間30枚～200枚まで対応可能！手洗い、高圧ジェッター洗浄と比較して衛生的な洗浄と工数削減が期待できます。 5つの工程で洗浄の自動化が可能です。 【段ばらし】→【洗浄・すすぎ】→【脱水】→【乾燥】→【段積み】 お客様のパレット、処理能力、設置スペースに合わせて設計、製作いたします。 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社クレオ

複合SEM-AFMシステム

表面とナノ構造を測定する機能！ミリメートルから原子レベルまでをカバーし…

走査電子顕微鏡(SEM)と原子間力顕微鏡(AFM)の複合システムをご紹介します。 SEMのズーム機能を使い、AFMチップを対象領域に直接移動可能。 表面の形状や、機械・電気・磁気特性に関する情報をナノメートル分解能で 入手できます。 AFMは、MerlinシリーズとCrossbeamシリーズにご利用でき、既存のシステムを 簡単なドア交換で更新できます。 【特長】 ■SEM...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

高感度DLTSシステム　DLS-1000

超高感度DLTSシステム／バルク内欠陥・界面準位測定装置

108 cm3レベルのバルク内欠陥、界面準位の高感度な測定に対応（DLS-1000)。 又、ライブラリーを標準装備しておりますので解析が容易に行えます。 【特徴】 ●高感度な汚染検出が可能 （2x108 atoms/cm3 ）。 ●幅広いクライオスタット用のインターフェイスを装備。 ●温度、周波数スキャン、C-V特性 等の測定が可能。 ●簡単に深さ方向のプロファイル、トラップの...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

水銀プローブCV/IV測定装置『MCVシリーズ』

水銀プローブにより電極の形成が不要！R&Dにおける開発時間の短縮、Lo…

『MCV-530/530L/2200/2500』は、半導体シリコンウェハーの電気特性や MOSデバイスの酸化膜等の特性評価を可能にする装置です。 従来ではウェハーにゲート電極としてPoly-SiやAl等を蒸着し、MOS構造・ ショットキー構造形成後にCV/IV特性評価を行っておりました。 当製品は、装置自身がゲート電極を持つため、メタルゲート作成なしに 酸化膜やウェハーの電気特性...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

【技術資料】分光エリプソメーター測定原理～偏光とは？　※資料進呈

偏光・エリプソメーター・ブリュースター角など！図やグラフと共に分かりや…

当資料は、分光エリプソメーターの測定原理についてご紹介しています。 電場および磁場の振動方向が規則的な光のことをいう「偏光」をはじめ、 エリプソメーターの原理、光学干渉についてなどを掲載。 図やグラフと共に分かりやすくご紹介しているので、ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容（抜粋）】 ■偏光とは ■サンプル表面の変更 ■エリプソメーターとは ■エリプソメーターの原理 ■ブリ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

サーフェイスチャージプロファイラー QCS2500

非接触でエピウェハの抵抗率をモニター可能！

QC2500シリーズは、非接触でエピタキシャルウェハーの抵抗率をモニターすることができます。測定原理としてサーフェイスフォトボルテージ（ＳＰＶ）法を用いてウェハー上にパルス光を照射することによりウェハー表面電位変化を検出し、空乏層幅を測定します。強反転状態の空乏層幅が不純物濃度に比例することにより、不純物濃度測定を行い、抵抗率に換算（ASTM)します。 ...■特徴 ■非破壊・非接触測...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

拡がり抵抗測定装置『SRP-170/2100』

PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定！オプションにより表面抵抗測…

当社が取り扱う、拡がり抵抗測定装置『SRP-170/2100』をご紹介します。 斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に2探針をコンタクトさせ、 そのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイル、 EPI層の厚み、PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定。 「SRP2000」は、プローブのコンディショニング、ベベルアングルの測定、 標準サンプルのデータ入力などが全...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

トレンチ深さ測定装置 IR2100

トレンチ深さ測定装置

パワーデバイスのディープトレンチやTSV形状、DRAMのキャパシタートレンチの深さ、CD測定、リセス測定を非接触で測定。独自技術MBIR（Model Based Infrared)により高アスペクト比のトレンチの測定が可能。また、エピ膜のドープ濃度の縦方向プロファイルの測定にも対応。 ...広波長帯域の赤外線を干渉計に導き変調する。変調された赤外線を薄膜表面に照射すると、薄膜各層の界面から（...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

非接触CV測定装置 Cn0CV

非接触式の重金属汚染・CV/IV・膜評価装置。 鉄濃度測定の感度はD…

世界に400台以上の実績を持つ非接触式の重金属汚染・CV/IV・膜評価装置です。 鉄濃度測定の感度はDSPVを採用することでE8を実現し、近年のCMOSイメージセンサーの歩留まり向上に寄与しております。 化合物半導体のCV測定が可能です。非接触で面内の濃度分布、プロファイル測定が可能です。...【特徴】 ■非接触CV/IVインライン測定 ■超高感度汚染管理（E8レベル鉄濃度測定） ■パタ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

非接触・非破壊インプラモニター　PMR-3000

インプラ後のドーズ量モニタリングとアニール処理前後のジャンクション深度…

【装置の原理】 ■Generation Laserは過剰少数キャリアを発生させ、明らかなダメージが存在するところを熱します ■過剰少数キャリア勾配は屈折勾配のインデックスを形成します ■Probe Laserはジャンクション深さ、ドーズレベル、PAI深さを測定するために屈折勾配インデックスまたは表面の熱情報を利用します ■Generation Laserは2kHzに変調され、これにより...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

シリコンブロック内部異物検査装置

シリコンブロック内部異物検査装置

ワイヤーソー等でシリコンブロックをスライスする際に、事前にIRB-30にて内部異物箇所を検査し、対応して頂くことによって、ワイヤーソーのダメージ、断線を抑えることが可能です。 ...IRB-30は、赤外線を使用し、シリコンブロックの内部異物(主にSiC, SiNなど)を検査する装置です。 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

全自動拡がり抵抗測定装置　SRP2000

全自動拡がり抵抗測定装置

SRP(Spreading Resistance Profiler)装置は，斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に２探針をコンタクト させそのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイル，EPI層の厚み，PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定する装置です。 ...・簡単なキーボード操作によるオペレーションのみで測定が可能となり、熟練作業が不要。 全自動による複数サンプル...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

Junction Photo Voltage(JPV)

JPV法により、非接触で、PNジャンクションのジャンクション・リーク、…

JPV法（ジャンクション・フォト・ボルテッジ法）を用いているため、高速で再現性の良いマッピング測定が可能です。 【特徴】 - 非接触、非破壊測定 - プローブの調整は不要 - 測定のための特別な試料準備は不必要 - 表面に酸化膜やコーティングが存在しても測定可能 - 空間分解能の高い分布測定（マッピング）が高速で可能 - 再現性の高い測定が可能 - セミラボ社のベンチトッププラ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社