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      【分析事例】太陽電池

      太陽電池.jpg

      各種分析手法を用いて分析を行った事例をご紹介します

      • 【分析事例】CIGS太陽電池の各層の相互拡散評価 製品画像

        【分析事例】CIGS太陽電池の各層の相互拡散評価

        表面の凹凸の影響を受けない高精度な測定が可能です

        太陽電池では太陽光を有効に吸収するために表面凹凸を活用しています。SIMS分析を行う上で、表面の凹凸は深さ方向分解能の低下を招きます。表面からの測定では表面凹凸及びノックオンの影響により、CIGS中へ…

      • 【分析事例】結晶Si太陽電池の拡散層評価 製品画像

        【分析事例】結晶Si太陽電池の拡散層評価

        ドーパントの定量評価およびキャリアの分布評価

        裏面電極型結晶Si太陽電池(バックコンタクト型Si太陽電池)において、電極直下のドーパントの濃度分布を定量的に評価した事例をご紹介します。また、キャリアの分布評価を行うことで、p/nの極性判定や空乏層…

      • 【分析事例】マイクロサンプリング法 製品画像

        【分析事例】マイクロサンプリング法

        FIB:集束イオンビーム加工

        試料から直接小片を取り出し(マイクロサンプリング)、FIB加工を行うことができます。

      • 【分析事例】SEM装置での歪み評価 製品画像

        【分析事例】SEM装置での歪み評価

        EBSD:電子後方散乱回折法

        TEM(NBD:Nano Beam Diffraction)のような薄片化加工を行うことなく、バルク状態での測定が可能です。 SEM特有の高い空間分解能を持ち、比較的高い歪み感度を持っています。 …

      • 【分析事例】有機EL素子の成分分析 製品画像

        【分析事例】有機EL素子の成分分析

        Slope面出し加工された有機多層構造試料のTOF-SIMS成分分析

        XPSで4層の異なる有機化合物(或いは有機金属錯体)で形成されていると推定された有機EL素子(図1)について、TOF-SIMS分析を行いました。多層構造試料についてはスパッタを併用した深さ方向分析も行…

      • 【分析事例】ZnO膜の組成・不純物の三次元分布評価 製品画像

        【分析事例】ZnO膜の組成・不純物の三次元分布評価

        イメージングSIMS分析により面内分布を可視化

        デバイス作成の要素の一つである膜組成の均一性と不純物の分布状態をイメージングSIMS分析により評価しました。 測定後のデータ処理により、平面イメージ(図1)・断面イメージ(図2)・任意箇所の深さ方向…

      • 【分析事例】有機薄膜太陽電池の断面観察 製品画像

        【分析事例】有機薄膜太陽電池の断面観察

        低加速電圧のSTEMを用いると有機膜のわずかな密度の違いが観えます

        p型・n型材料の混合膜を使用するバルクへテロ接合型太陽電池では、高効率化のために膜内の材料の混合状態を適切に制御する必要があります。密度が低い膜(有機膜など)においては、TEM専用機を用いた高加速電圧…

      • 【分析事例】CIGS膜の結晶粒評価 製品画像

        【分析事例】CIGS膜の結晶粒評価

        SEMによる結晶方位解析

        CIGS薄膜多結晶太陽電池は低コスト化・大面積化・高品質化を期待されている次世代の太陽電池として開発が進められており、その際に結晶情報が必要とされています。EBSD法ではCIGS膜の結晶粒評価が可能で…

      • 【分析事例】CIGS膜のpn接合評価および結晶粒評価 製品画像

        【分析事例】CIGS膜のpn接合評価および結晶粒評価

        SEMによる電子線誘起電流法・結晶方位解析

        CIGS薄膜多結晶太陽電池は低コスト次世代太陽電池として期待されています。大面積化、高品質化のための開発が進められています。多結晶薄膜の特性を評価するため、EBICによるpn接合の評価・EBSD法によ…

      • 【分析事例】金属膜の高温XRD評価 製品画像

        【分析事例】金属膜の高温XRD評価

        昇温過程での相転移・結晶性変化を追跡評価

        Pt をSi 基板にスパッタ蒸着させた試料に対して、昇温させながらOut-of-plane XRD, In-plane XRD 測定をそれぞれ行いました。両測定で、Pt(111) は500℃より高い温…

      • 【分析事例】酸化・窒化薄膜のバンドギャップ評価 製品画像

        【分析事例】酸化・窒化薄膜のバンドギャップ評価

        XAFSとXPSの複合解析によって高精度なバンドギャップ評価が可能

        薄膜試料のバンドギャップはこれまでUV-Vis・PL・XPSなどの分析手法で測定されてきましたが、材料・膜厚・基板などの試料構造の制約から評価可能なケースが限られていました。 今回、XAFSとXPS…

      • 【分析事例】Si基板に含まれる格子間型炭素の評価 製品画像

        【分析事例】Si基板に含まれる格子間型炭素の評価

        Si基板に含まれる微量な炭素の確認が可能です

        Siにイオンや電子線等を照射すると、Siに僅かに含まれる「格子置換型炭素」の一部が「格子間型炭素」に変化します。この格子間型炭素がデバイスの電気特性に影響を与えているとされています。 格子間型炭素に…

      • 【分析事例】界面および深さ方向分解能について 製品画像

        【分析事例】界面および深さ方向分解能について

        SIMS:二次イオン質量分析法

        異種材料間の界面のSIMS分析プロファイルは、深さ方向にある幅をもって変化します。これはSIMS分析の特性上、イオンビームミキシングとスパッタ表面の凹凸(ラフネス)の影響を受けるためです。検出している…

      • 【分析事例】クリーンルーム内有機化合物の評価方法 製品画像

        【分析事例】クリーンルーム内有機化合物の評価方法

        GC/MS:ガスクロマトグラフィー質量分析法

        半導体や液晶などの製造が行われているクリーンルームでは、パーティクルだけでなく分子レベルの化学汚染(分子状汚染)を把握することが重要です。浮遊分子状汚染物質としては酸・塩基性ガスや凝集性有機物質、ドー…

      • 【分析事例】ラマンマッピングによる応力評価 製品画像

        【分析事例】ラマンマッピングによる応力評価

        試料断面における応力分布を確認することが可能です

        単結晶Siのラマンスペクトルのピークは、試料に圧縮応力が働いている場合は高波数シフト、引張応力が働いている場合は低波数シフトします。これにより、Siの応力に関する知見を得ることができます。 IGBT…

      • 【分析事例】TDSによるグラフェンの脱ガス分析 製品画像

        【分析事例】TDSによるグラフェンの脱ガス分析

        炭素材料中の官能基や不純物などに起因する脱ガスについて評価可能です

        グラフェンの電子放出素子への応用や、カーボンナノチューブへの水素貯蔵など、炭素材料は真空中での用途が増えてきています。そのため真空中での炭素材料からの脱ガスを評価することは、今後の炭素材料の応用の上で…

      • 【分析事例】STEM,EBSDと像シミュレーションを併用した解析 製品画像

        【分析事例】STEM,EBSDと像シミュレーションを併用した解析

        像シミュレーションを併用した結晶形の評価

        高分解能HAADF-STEM像は、結晶の原子配列を反映した画像であることから、種々の結晶方位に対応したSTEM像をシミュレーションすることにより、多結晶体中の結晶粒間の相対方位や観察像の正確な理解に役…

      • 【分析事例】STEM・EDXデータと像シミュレーションによる評価 製品画像

        【分析事例】STEM・EDXデータと像シミュレーションによる評価

        STEM像と原子組成の測定結果から結晶構造の評価ができます

        試料の測定によって得られた結果と、シミュレーションの併用により、結晶構造の評価が可能です。 本資料では、多結晶体であるネオジム磁石において、HAADF-STEMとEDXの測定によって得られた結果と、…

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