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      【分析事例】パワーデバイス

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      パワーデバイスの分析事例をご紹介します

      • 【分析事例】Siウエハベベル部の汚染評価 製品画像

        【分析事例】Siウエハベベル部の汚染評価

        金属成分と有機成分を同時に評価可能です

        半導体デバイス製造において、歩留まり向上の観点から、ウエハの裏面の清浄度向上に加え、ウエハのベベル部に残留する物質を除去することが求められています。今回、ベベル傾斜面のTOF-SIMS分析を行い、汚染…

      • 【分析事例】パワートランジスタ(DMOSFET)の拡散層評価 製品画像

        【分析事例】パワートランジスタ(DMOSFET)の拡散層評価

        ゲート・ソース層・ボディ層の位置関係がわかります

        市販パワートランジスタ(DMOSFET) について、ポリSi ゲートとn型ソース層およびp型ボディ層の形状・位置関係を調べました。 AFM像と重ねることでゲートとの位置関係も知ることができます。

      • 【分析事例】バイポーラトランジスタ(IGBT)の不良品調査 製品画像

        【分析事例】バイポーラトランジスタ(IGBT)の不良品調査

        高電圧電源を用いたエミッション顕微鏡による故障箇所の特定

        発光像とIR像の重ね合わせにより、リーク箇所を顕微的視野で特定できます。クラックや静電破壊など大規模な外観異常がある場合は、IR顕微鏡でも異常を確認可能です。また、エミッタ電極の遮光により、発光が検出…

      • 【分析事例】SiCパワーMOSFETの活性層評価 製品画像

        【分析事例】SiCパワーMOSFETの活性層評価

        活性層の形状とドーパントを評価

        市販のSiCパワーMOS FET素子領域で拡散層分布を評価した事例をご紹介します。 SiC MOSFET製造プロセスでは、イオン注入と活性化熱処理、エピタキシャル層形成などによってチャネル形成します…

      • 【分析事例】NPT-IGBT中ドーパント調査 製品画像

        【分析事例】NPT-IGBT中ドーパント調査

        イメージングSIMSによって局在する元素の評価が可能

        NPT-IGBTエミッタ側の50μm角の領域についてイメージングSIMS測定を行いました。図1に分析によって得られた11B,Asのイオンイメージを示します。11BとAsは同じ領域に注入されていることが…

      • 【分析事例】SiC基板のゲート酸化膜評価 製品画像

        【分析事例】SiC基板のゲート酸化膜評価

        膜厚・密度・結合状態を評価

        SiCパワーデバイスは、電力損失を抑え、小型で大電力を扱える電力変換素子として期待されています。 デバイスの特性を向上させるために必要なゲート酸化膜の膜厚、密度をXRR(X線反射率法) および結合状…

      • 【分析事例】SiC基板におけるSSDP-SIMS分析 製品画像

        【分析事例】SiC基板におけるSSDP-SIMS分析

        SiC基板側からドーパント濃度プロファイルを取得可能

        SiCパワーMOS FET(図1)において、ゲートパッド部下のSiC中にてドーパント元素であるAlの濃度分布を素子表面側から及び裏面側からSIMSで評価しました(図2)。 分析を進める方向に関係なく…

      • 【分析事例】SiCSchottkyBarrierDiodeの測定 製品画像

        【分析事例】SiCSchottkyBarrierDiodeの測定

        SiC中積層欠陥の検出事例

        SiCはパワーデバイス用途向けなどに近年盛んに研究・利用が進んでいます。SiCは種々のポリタイプを持つため、積層配置が乱雑になる積層欠陥などが容易に発生するという問題を持ちます。この欠陥の検出法の一つ…

      • 【分析事例】SiCSchottkydiode中Alの深さ方向分析 製品画像

        【分析事例】SiCSchottkydiode中Alの深さ方向分析

        イメージングSIMSにより、局在する元素の評価が可能です

        市販のSiC Schottky diodeを解体し、素子パターンを含む40um角の領域で深さ0.5umまでイメージングSIMS測定を行い、ドーパント元素であるAlの濃度分布を評価しました。 イメージ…

      • 【分析事例】SiCパワーMOS FET中ドーパント評価 製品画像

        【分析事例】SiCパワーMOS FET中ドーパント評価

        イメージングSIMSにより、局在する元素の評価が可能

        市販のSiCパワーMOS FETを解体し、素子パターンを含む20um角の領域で深さ0.5umまでイメージングSIMS測定を行い、ドーパント元素であるAl,N,Pの濃度分布を評価しました。 イメージン…

      • 【分析事例】SiC中ドーパント元素の深さ方向分析1 製品画像

        【分析事例】SiC中ドーパント元素の深さ方向分析1

        SiC中B,Al,N,P,Asについて、高感度で深さ方向分布の評価が可能

        SiCはその物性からパワーデバイス材料として用いられていますが、Siとは異なりイオン注入後の熱処理によるドーパントの拡散が困難なため、多段イオン注入により深さ方向への分布を制御する必要があります。SI…

      • 【分析事例】SiC Planer Power MOSのSCM分析 製品画像

        【分析事例】SiC Planer Power MOSのSCM分析

        SiC デバイスの拡散層構造を可視化できます

        SCMでは半導体のp/n極性を識別し、拡散層の形状を可視化することができます。 本手法はSiデバイスに活用されてきましたが、SiCデバイスにおいてもキャリア濃度が十分高い箇所では評価を行うことができ…

      • 【分析事例】SiC中ドーパント元素の深さ方向分析2 製品画像

        【分析事例】SiC中ドーパント元素の深さ方向分析2

        目的に応じた分析条件で測定します

        市販品SiCパワーMOS FETのドーパント元素であるN,Al,Pの深さ方向濃度分布を複数の分析モードで評価した事例を紹介します。 分析目的によってはそれぞれの元素を最適な条件で別々に測定せず、複数…

      • 【分析事例】SiCパワーMOSFETのコンタクト電極評価 製品画像

        【分析事例】SiCパワーMOSFETのコンタクト電極評価

        コンタクト電極/SiC層の界面の相同定・元素分布評価

        市販のSiCパワーMOS FET素子の解析事例をご紹介します。 SiC材料では、SiだけでなくCを含めた系での材料制御が必須となり、従来のSi半導体の製造方法と違いがあります。コンタクト電極とSiC…

      • 【分析事例】パッケージ品のロックイン発熱解析 製品画像

        【分析事例】パッケージ品のロックイン発熱解析

        Si系パワーダイオードのリーク箇所非破壊分析

        ロックイン発熱解析において、ホットスポットを絞るためには周波数を上げることが望ましいですが、一方で感度が悪くなってしまうという問題があります。そこで、高周波数側から低周波数側に測定条件を振っていき、発…

      • 【分析事例】XPSによるSiC表面の状態・膜厚評価 製品画像

        【分析事例】XPSによるSiC表面の状態・膜厚評価

        詳細な状態評価と併せ、膜厚計算が可能

        XPSでは試料表面の化学結合状態を評価することができ、波形解析により更に詳細な評価をすることが可能です。加えて、波形解析結果に仮定パラメータを用いることで、表面酸化膜等の膜厚を算出することも可能です。…

      • 【分析事例】水素注入サンプルのSRA/SIMS評価事例 製品画像

        【分析事例】水素注入サンプルのSRA/SIMS評価事例

        ライフタイム制御サンプルのキャリア濃度分析事例紹介

        パワー半導体デバイスでは、ライフタイム制御のために、Si基板内に結晶欠陥を形成することがあります。ライフタイム制御領域の作成に用いられる元素の一つである水素イオンの熱処理条件の違いによるキャリア濃度分…

      • 【分析事例】SiCSchottkyDiodeのブレークダウン観察 製品画像

        【分析事例】SiCSchottkyDiodeのブレークダウン観察

        前処理から発光箇所特定まで一貫解析

        高電圧電源(2000Vまで印加可能)を用いることで、耐圧の高いダイオードに対してもブレークダウンを発生させることができます。 本事例では600V耐圧のSiC Schottky Diodeを動作させ、…

      • 【分析事例】Si中不純物の超高感度測定 製品画像

        【分析事例】Si中不純物の超高感度測定

        感度を高めてpptレベルの濃度分布を評価します

        SIMS分析における検出感度は単位時間あたりの試料のスパッタ量に依存します。元素によりますが、取得する不純物を1元素に限定することで感度が大幅に向上し、5E13 atoms/cm3以下のppt (pa…

      • 【分析事例】ウェハ・チップの特定箇所の前処理技術 製品画像

        【分析事例】ウェハ・チップの特定箇所の前処理技術

        目的箇所のみサンプリングし、ウェハを割らずにサンプル作製します

        ウェハ・チップを割らずに小片を抜き出して薄片化し、高分解能TEM観察・分析を行います。 さらに分析したい箇所を残してカットしてサンプルを作製することで、目的箇所をご要望のあらゆる方向からTEM観察・…

      • 【分析事例】化合物積層構造試料のSIMS分析 製品画像

        【分析事例】化合物積層構造試料のSIMS分析

        前処理により化合物層を選択的に除去してから分析が可能

        積層構造試料のSIMS分析において、試料表面から深い位置に着目層がある構造では、着目層で深さ方向分解能の劣化や上層の濃度分布の影響を受ける懸念があります。このような場合には、前処理により上層を除去して…

      • 【分析事例】SIMSによるGaN系LED構造の組成分析 製品画像

        【分析事例】SIMSによるGaN系LED構造の組成分析

        GaN系LEDの主成分元素の組成を深さ方向に評価可能

        一般的にSIMSでは含有量が%を超える主成分レベルの元素の定量性は低いとされていますが、一次イオンにCs+を用いたMCs+(M:着目元素)検出モードを用いることで、主成分元素の深さ方向の組成分布を求め…

      • 【分析事例】極薄SiON膜の組成・膜厚評価 製品画像

        【分析事例】極薄SiON膜の組成・膜厚評価

        光電子の平均自由行程を用いた膜厚の見積もり

        シリコンウエハ上の自然酸化膜・シリコン酸窒化薄膜など、厚さ数nm以下の極薄膜について、サンプル最表面のSi2pスペクトルを測定します。得られたスペクトルの波形解析を行うことにより、各結合状態の存在割合…

      • 【分析事例】極浅注入プロファイルの評価 製品画像

        【分析事例】極浅注入プロファイルの評価

        極浅い領域においてもドーパント分布・接合の評価が可能

        デバイスの微細化により、極浅い領域における不純物の深さ方向分布評価の必要性が高まっています。 正確な評価を行うためには、通常よりも低いエネルギー(1keV以下)の一次イオンビームを用いたSIMS分析…

      • 【分析事例】ケミカルシフトによる金属酸化物の価数評価 製品画像

        【分析事例】ケミカルシフトによる金属酸化物の価数評価

        XPS:X線光電子分光法

        XPS分析ではX線照射により得られた光電子のエネルギーを観測することにより、物質表面の結合状態評価を行います。金属元素が酸化状態にあるかどうかの評価はもちろん、酸化によるエネルギーシフト(ケミカルシフ…

      • 【分析事例】XPSによるGaN膜の組成・結合状態評価 製品画像

        【分析事例】XPSによるGaN膜の組成・結合状態評価

        目的に合わせた測定条件で評価を行います

        LEDやパワーデバイスに用いられるGaN膜について、XPSを用いて組成・結合状態を評価した例を紹介します。成膜条件や表面処理等により、組成や結合状態がどのように変わるのかを把握しておくことは、プロセス…

      • 【分析事例】ウエットエッチングによる有機付着物除去 製品画像

        【分析事例】ウエットエッチングによる有機付着物除去

        表面汚染を除去してXPSによる評価を行います

        XPSは表面敏感な手法のため、大気等による有機付着物由来のCが主成分レベルで検出されます。こういった有機付着物由来のCの影響を減らすことは、膜本来の組成を評価する上で重要です。 通常、有機付着物の除…

      • 【分析事例】XAFSによるシリコン酸化膜評価 製品画像

        【分析事例】XAFSによるシリコン酸化膜評価

        シリコン周囲の局所構造解析、中間酸化物の定量、バルク・界面の評価

        シリコン酸化膜はMOSデバイスやリチウムイオン二次電池の負極材料として広く利用されていますが、中間酸化物の有無や界面での結合状態がデバイス特性に大きな影響を与えることが知られています。 放射光を用い…

      • 【分析事例】SiC中不純物の超高感度測定 製品画像

        【分析事例】SiC中不純物の超高感度測定

        ppb~pptレベルのバルク濃度を評価します

        変電所などで使用可能な超高耐圧・低損失SiCパワーデバイスの開発においては低キャリア濃度の制御が必要となり、SIMS分析で極低濃度の不純物評価を行うことが有効です。 SIMS分析では多元素を同時に取…

      • 【分析事例】酸化ガリウムGa2O3膜表面近傍の金属元素濃度評価 製品画像

        【分析事例】酸化ガリウムGa2O3膜表面近傍の金属元素濃度評価

        極浅い領域でも高感度に分析

        酸化ガリウムGa2O3は、SiCやGaNよりもバンドギャップが広く、優れた物性を有することから、高効率・低コストが期待できるパワーデバイス材料として注目を集めています。ウエハの開発には、特性を左右する…

      • 【分析事例】イオン注入及びアニール処理を行ったSiの低温PL 製品画像

        【分析事例】イオン注入及びアニール処理を行ったSiの低温PL

        照射欠陥やアニールによる結晶性の回復を確認することが可能です

        Si系半導体デバイスの作製ではイオン注入やアニール処理といった様々な処理が行われます。これらの処理前後における照射欠陥の度合いや結晶性の回復度合いを確認することは、製造プロセスを制御するにあたり重要と…

      • 【分析事例】電子回折の種類と特徴 製品画像

        【分析事例】電子回折の種類と特徴

        TEM:透過電子顕微鏡法

        透過電子顕微鏡での電子回折法は、試料への電子線の入射の仕方によって3つに分類されます。それぞれの特徴とデータ例を示します。評価対象物のサイズや分析目的に応じて、適切な手法を選択する必要があります。

      • 【分析事例】ABF-STEM観察によるGaNの極性評価 製品画像

        【分析事例】ABF-STEM観察によるGaNの極性評価

        Csコレクタ付STEMにより原子レベルでの観察が可能です

        パワーデバイス・光デバイスとして実用化されているGaNは六方晶ウルツ鉱構造をとり、c軸方向に結晶学的な非対称性(Ga極性とN極性)が存在します。Ga極性とN極性ではエピタキシャル膜の成長プロセスが異な…

      • 【分析事例】酸化ガリウムGa2O3膜の不純物濃度評価 製品画像

        【分析事例】酸化ガリウムGa2O3膜の不純物濃度評価

        不純物元素の定量評価が可能です

        酸化ガリウムGa2O3は、SiCやGaNよりもバンドギャップが高く優れた物性を有することから、高効率・低コストが期待できるパワーデバイス材料として注目を集めています。ウエハの開発には、特性を左右する不…

      • 【分析事例】高電子移動度トランジスタの評価 製品画像

        【分析事例】高電子移動度トランジスタの評価

        Csコレクタ付STEMにより結晶整合性および組成分布の評価が可能

        GaN系高電子移動度トランジスタ「GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)」は、AlGaN/GaNヘテロ構造によって二次元電子ガス層が得られ、電子移動度が…

      • 【分析事例】RAE検出器を用いた大口径イメージングSIMS 製品画像

        【分析事例】RAE検出器を用いた大口径イメージングSIMS

        SIMS:二次イオン質量分析法

        水素やppmレベルの不純物の空間的な分布情報を得るにはイメージングSIMSが有効です。 投影型イメージングSIMS用のRAE(RAE:Resistive Anode Encoder)検出器を用いるこ…

      • 【分析事例】低温フォトルミネッセンス測定の注意事項 製品画像

        【分析事例】低温フォトルミネッセンス測定の注意事項

        PL:フォトルミネッセンス法

        ・フォトルミネッセンス測定(PL測定) は室温の他に、クライオスタット内に試料を設置し、低温で実施することも可能です。低温測定は室温測定に比べピーク強度の増大やピーク半値幅が減少する傾向が見られるため…

      • 【分析事例】成膜成分のウエハ裏面への回り込み評価 製品画像

        【分析事例】成膜成分のウエハ裏面への回り込み評価

        ベベル部近傍にて金属成分の定量的な評価が可能

        半導体デバイス製造において、歩留まり向上の観点からウエハ裏面に残留する金属を除去することが求められており、金属成分の残留量を定量的に把握することが重要です。 ベベル部から500umの範囲で裏面に残留…

      • 【分析事例】Si自然酸化膜の膜厚評価 製品画像

        【分析事例】Si自然酸化膜の膜厚評価

        光電子の平均自由行程を用いた膜厚の見積もり

        シリコンウエハ上の自然酸化膜・シリコン酸窒化薄膜など厚さ数nm以下の極薄膜について、XPS分析によって膜厚を算出した事例をご紹介します。Siウエハ最表面のSi2pスペクトルを測定し、得られたスペクトル…

      • 【分析事例】特殊形状試料のSIMS測定 製品画像

        【分析事例】特殊形状試料のSIMS測定

        固定方法の工夫により特殊な形状でも分析可能

        通常、SIMS測定では数mm角で表面が平坦なチップを用いて分析を行いますが、1mm 角以下の小さなチップや特殊な形状の試料についても固定の前処理を施すことで分析が可能です。 微量成分を調べたい試料の…

      • 【分析事例】Si基板へのAl,Gaの拡散評価 製品画像

        【分析事例】Si基板へのAl,Gaの拡散評価

        SSDP-SIMSによる高濃度層の影響を避けた測定

        コスト低減の観点から、GaNを材料としたパワーデバイスの基板には高抵抗Si基板の活用が期待されています。しかしながら、高温で成膜する際にAl,GaがSi基板表面に拡散してしまうと、低抵抗層が形成されリ…

      • 【分析事例】テクスチャ付きGaN系LEDの元素分布評価 製品画像

        【分析事例】テクスチャ付きGaN系LEDの元素分布評価

        凹凸のある構造でも平坦化加工により深さ方向分布評価が可能

        GaN系LEDは照明用途としても広く用いられるようになりました。光の取り出し効率を高めるため、取り出し面に凹凸を設けることがありますが、この凹凸が深さ方向分析における深さ分解能の劣化を招きます。 テ…

      • 【分析事例】GaN系LED構造中不純物の深さ方向濃度分析 製品画像

        【分析事例】GaN系LED構造中不純物の深さ方向濃度分析

        目的に応じた分析条件で測定します

        GaN系LED構造のドーパント元素であるMgやSiの深さ方向濃度分布を複数の分析モードで評価した事例をご紹介します。 SIMS分析では目的に合わせて最適な分析モードを選択することで、より厳密な評価が…

      • 【分析事例】SiC基板の品質評価 製品画像

        【分析事例】SiC基板の品質評価

        結晶方位・面内欠陥分布・表面凹凸・不純物を評価

        SiCパワーデバイスは、電力損失を抑え、小型で大電力を扱える電力変換素子として期待されています。 デバイスを製造する上で必要になるSiC基板の品質評価が課題になっています。SiC基板を結晶方位、面内…

      • 【分析事例】パワーデバイスのキャリア濃度分布評価 製品画像

        【分析事例】パワーデバイスのキャリア濃度分布評価

        ドーパントの活性化率に関する評価が可能

        SRA(Spreading Resistance Analysis)はサンプルを斜め研磨し、その研磨面に2探針を接触させ、広がり抵抗を測定する手法です(図1)。 キャリア濃度分布を評価することで、ド…

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