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PR1台で吸光・上方蛍光・発光測定可能なマルチモードマイクロプレートリーダ…
Thermo Scientific Varioskan ALFマルチモードマイクロプレートリーダーは、吸光測定用光学系はキセノンフラッシュランプとモノクロメーターをベースにしており、200 nmから1,000 nmの範囲で連続波長選択を可能にしています。波長範囲が広いため、核酸やタンパク質の定量、細菌増殖曲線、ELISA、および細胞生存率など、多くの一般的なアッセイが可能です。 蛍光および発光測...
メーカー・取り扱い企業： サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社／Thermo Fisher Scientific K.K.
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『多変量統計解析トレーニングセミナー』11月28日・29日開催
PR多変量解析の基礎・原理が良くわかる。実データを用いた解析も行う実践的な…
2024年11月28日・29日に、当社主催のセミナー 『多変量統計解析トレーニングコース＜レベル1＞ 理論と実践』 を開催いたします。 本コースでは、複雑なデータの関係性を速やかに解釈し、 産業界、研究界で希求される最新の多変量解析技術を どのように業務応用できるかを集中的に学べます。 多変量統計解析、スペクトル解析、知覚・官能データの解析、PAT/QbDなどを テーマに解説する、数学的説明は...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社クオリテイデザイン
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非接触式の重金属汚染・CV/IV・膜評価装置。 鉄濃度測定の感度はD…
世界に400台以上の実績を持つ非接触式の重金属汚染・CV/IV・膜評価装置です。 鉄濃度測定の感度はDSPVを採用することでE8を実現し、近年のCMOSイメージセンサーの歩留まり向上に寄与しております。 化合物半導体のCV測定が可能です。非接触で面内の濃度分布、プロファイル測定が可能です...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定！オプションにより表面抵抗測…
当社が取り扱う、拡がり抵抗測定装置『SRP-170/2100』をご紹介します。 斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に2探針をコンタクトさせ、 そのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイル、 EPI...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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水銀プローブにより電極の形成が不要！R&Dにおける開発時間の短縮、Lo…
【主な測定・評価項目】 ■化膜中の電荷の評価（VFB） ■界面準位測定（Dit） ■エピ層の抵抗率測定（ρ） ■低ドースイオン注入の部分的ドース量の評価（PID） ■ライフタイム測定（τｇ） ■高...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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トレンチ深さ測定装置
パワーデバイスのディープトレンチやTSV形状、DRAMのキャパシタートレンチの深さ、CD測定、リセス測定を非接触で測定。独自技術MBIR（Model Based Infrared)により高アスペクト比のトレンチの測定が可能。また、エピ膜のドープ濃度の縦方向プロファイルの測定にも対応。 ...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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高効率太陽電池開発用測定装置
PV-2000は、Semilab社とＳＤＩの技術を結合した太陽電池開発用の総合測定装置です。 パシベーション層評価等の高効率太陽電池を開発するための様々なヘッドを搭載可能です。 ...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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全自動拡がり抵抗測定装置
ler)装置は，斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に２探針をコンタクト させそのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイル，EPI層の厚み，PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定する装置です。 ...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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FastGateインライン向けＣＶ・ＩＶ測定装置ECV-2500
FastGate インライン向けＣＶ・ＩＶ測定装置
ＵＳＬ（極浅層<40nm）のイオン注入、低ドース・イオン注入のドース量モニタリング、極薄酸化膜（<20Å）の電気的膜厚測定 SiON 膜，High k膜の誘電率測定、Epi の 抵抗率測定などが可能です。 主な測定・評価項目 ・電気的膜厚（CET/EOT) ・フラットバンド電圧（VFB) ・界面準位等（...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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【技術資料】分光エリプソメーター測定原理～偏光とは？ ※資料進呈
偏光・エリプソメーター・ブリュースター角など！図やグラフと共に分かりや…
当資料は、分光エリプソメーターの測定原理についてご紹介しています。 電場および磁場の振動方向が規則的な光のことをいう「偏光」をはじめ、 エリプソメーターの原理、光学干渉についてなどを掲載。 図やグラフと共に分かりやすくご紹介...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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超高感度DLTSシステム／ バルク内欠陥・界面準位測定装置
108 cm3レベルのバルク内欠陥、界面準位の高感度な測定に対応（DLS-1000)。 又、ライブラリーを標準装備しておりますので解析が容易に行えます。 【特徴】 ●高感度な汚染検出が可能 （2x108 atoms/cm3 ）。 ●幅広いクライ...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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非接触でエピウェハの抵抗率をモニター可能！
QC2500シリーズは、非接触でエピタキシャルウェハーの抵抗率をモニターすることができます。測定原理としてサーフェイスフォトボルテージ（ＳＰＶ）法を用いてウェハー上にパルス光を照射することによりウェハー表面電位変化を検出し、空乏層幅を測定します。強反転状態の空乏層幅が不純物濃度に比例することに...
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【デモ可能】化合物半導体材料の組成比の評価も可能！非接触・非破壊でエピ…
『分光エリプソメーター』は、非接触・非破壊でエピ膜を含む薄膜の膜厚値、 屈折率、消衰係数を精度良く測定する薄膜評価装置です。 化合物半導体材料の組成比の評価も可能。 主な評価・測定項目は、“薄膜の膜厚値”、“エピ膜厚値”、“屈折率”、 “消衰係数”、“化合物半導体の組成比”、“ドーパン...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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JPV法により、非接触で、PNジャンクションのジャンクション・リーク、…
JPV法（ジャンクション・フォト・ボルテッジ法）を用いているため、高速で再現性の良いマッピング測定が可能です。 【特徴】 - 非接触、非破壊測定 - プローブの調整は不要 - 測定のための特別な試料準備は不必要 - 表面に酸化膜やコーティングが存在しても測定可能 - 空間分解能の...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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インプラ後のドーズ量モニタリングとアニール処理前後のジャンクション深度…
ャリアを発生させ、明らかなダメージが存在するところを熱します ■過剰少数キャリア勾配は屈折勾配のインデックスを形成します ■Probe Laserはジャンクション深さ、ドーズレベル、PAI深さを測定するために屈折勾配インデックスまたは表面の熱情報を利用します ■Generation Laserは2kHzに変調され、これにより、優れたS/N比を実現します ■長波長のProbe Laserはサ...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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表面とナノ構造を測定する機能！ミリメートルから原子レベルまでをカバーし…
MerlinシリーズとCrossbeamシリーズにご利用でき、既存のシステムを 簡単なドア交換で更新できます。 【特長】 ■SEMとFIBはカンチレバーチップで交差 ■3つの全手法の複合測定を空間内・サンプル上の完全に同じ点で実行可能 ■単一原子の3D分解能を実現するよう設計 ■5mmの最小SEM作動距離を維持しながら、SEMで0°～85°の視野角を使用可能 ■FIBによるin-...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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非破壊/非接触！nmスケールのウェハー内部の拡張欠陥の検出とモニタリン…
『En-Vison』は、転位欠陥、酸素析出物、積層欠陥などのウェハー内部の 結晶欠陥を非接触・非破壊で測定・評価ができる結晶欠陥検査装置です。 欠陥サイズ（15nm～サブミクロン）と密度（E6～E10/cm3）の両方で ハイダイナミックレンジを提供。 ウェハー深さ方向の検出感度を大幅に向上...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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【品質管理試験】繰り出し式容器の繰り返しトルク耐久性試験
角度を指定しての繰り返しトルク耐久性試験が可能なトルク試験機器…
株式会社イマダ