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Film Deposition&Heat Treatment
Equipped with various film deposition, oxide layer, annealing
PBII is suitable for carbon film for pre-annealing of SiC, RTA is for annealing.
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Simulation for ion species, depth and concentration.
Customer's request "How much energy and dose should be used to achieve the desired depth a…
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Various implanter line-up for your various requests
We can perform ion implantation processing under various conditions according to customer requiremen…
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DLC(ダイアモンドライクカーボン)の各種分析が可能！
DLC(ダイアモンドライクカーボン)の結晶性、膜厚の構造、水素量、密度、硬度の評価を紹介いたします。
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各種半導体の様々な目的に合わせて、各種手法で分析が可能！
半導体の微細な形状の観察、結晶性評価、不純物濃度測定、硬度測定、故障解析など 各種手法により研究開発のサポートを致します。
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透過型電子顕微鏡(TEM)でサンプルの微細構造がナノレベルで観察が可能に！
弊社では、高精度なTEM観察用薄片サンプル作製と高度なTEM観察技術から鮮明なサブナノオーダーの構造観察が可能です。
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半導体などの工程加工に適した各種成膜、酸化膜形成、アニール処理に適した装置ラインナップ！
SiCのアニール前処理として最適なカーボン成膜をPBIIで、アニール処理をRTAで、アニール前後処理を弊社で行うことができます。
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ご要望のイオン種や深さ、濃度に合わせてシミュレーションが可能です。
お客様のご要望「ご希望の深さと濃度にするにはエネルギーと注入量をどれくらいにすればよいのか」や「ご指定のエネルギーと注入量でドーパントのイオンはどのような深さ分布となるか」に対して、シミュレーションを…
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高温イオン注入・高温アニール受託サービス【SiC、GaN等】
SiC等のデバイス作製に適した高温イオン注入や、ドーパント活性化のための高温アニール処理が対応可能です！
SiC（シリコンカーバイド）、GaN（窒化ガリウム、ガリウムナイトライド）等の化合物半導体では、デバイス作製に適した高温イオン注入やドーパント活性化のための高温アニールが必要とされます。弊社では、高温…
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低エネルギーから8MeＶまでの多彩な注入装置を完備しております。
室温でのイオン注入はもちろん、世界で数社のみが対応可能な高温でのイオン注入では、トップレベルの技術力と設備を誇ります。 弊社では、チップ小片から300ｍｍ（12インチ）径ウエハまで多種多様なサン…
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イオン注入・分析のよくあるご質問をQ&A形式でご紹介しています
イオンテクノセンターは、先端材料へのイオン注入サービスを行っております。 資料では、イオン注入・分析のよくあるご質問をQ&A形式でご紹介。 「イオン注入とは？」をはじめ、「アモルフ…
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今さら聞けない【半導体の基礎知識】～イオン注入～※イラスト解説
半導体の特性の決め手となるイオン注入の一連の流れをイラストを用いて解説します。
当資料では、イオン注入の基礎として、目的、装置、その評価についてイラストにてご紹介しています。 株式会社イオンテクノセンターでは、研究開発のためのサンプル作製から 量産請負まで、半導体の前工程…
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イオン注入・成膜・分析の技術と設備をさまざまな分野のイノベーションにつなげる
株式会社イオンテクノセンターは、時代の求めるプロフェッショナル 集団として、前身であるイオン工学研究所の事業を引き継いだ形で 誕生いたしました。 特にイオン注入、成膜、分析を中心とした技術と…
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化合物半導体系超格子サンプルを使用した深さ分解能測定の結果を掲載！
当事例集は、イオン注入、成膜・分析、研究・事業化マネジメントの サービスなどを提供している株式会社イオンテクノセンターの 深さ分解能測定の結果を掲載している事例集です。 Q-pole SIM…
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優れた測定が可能にする分析手法です！
『二次イオン質量分析』は、数keVのCsやO2イオンをサンプルに照射して 放出される二次イオンの質量分析により、水素を含む全元素の組成分析を 行う手法です。 高感度の元素分析や低エネルギーイ…
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400LPIの銅メッシュ（メッシュ間隔：63.5μm）の分析結果を掲載しております！
当事例集では、400LPIの銅メッシュ（メッシュ間隔：63.5μm）を マイクロESCA（Quantum-2000）により分析した結果を紹介しております。 二次電子像から分析視野を指定してその…
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当社のESCAはX線プローブ径を5μmまで絞れます！
『ESCA』は、X線プローブ径を5μmまで絞ることが可能な X線光電子分光分析装置です。 X線を走査しながら照射することによって発生する二次電子像 （SXI：Scanning X-ray I…
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光電子分光分析装置（ESCA）を使用した多層膜の深さ分析結果を掲載！
当事例集は、イオン注入、成膜・分析、研究・事業化マネジメントの サービスなどを提供している株式会社イオンテクノセンターの光電子 分光分析装置「ESCA」による多層膜の深さ分析の事例集です。 …
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物理分析を行う装置を揃え、立会い分析も可能な受託分析サービスを行っています
主な装置は「HR-TEM」「Ｑ-pole型SIMS」「μESCA」「RAMAN」など。ミクロ・ナノレベルの表面分析におけるノウハウの蓄積があり、信頼性の高いデータを短期間で提供することができます。また…
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物理分析を行う装置を揃え、立会い分析も可能な受託分析サービスを行っています
主な装置は「HR-TEM」「Ｑ-pole型SIMS」「μESCA」「RAMAN」など。ミクロ・ナノレベルの表面分析におけるノウハウの蓄積があり、信頼性の高いデータを短期間で提供することができます。また…
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物理分析を行う装置を揃え、立会い分析も可能な受託分析サービスを行っています
主な装置は「HR-TEM」「Ｑ-pole型SIMS」「μESCA」「RAMAN」など。ミクロ・ナノレベルの表面分析におけるノウハウの蓄積があり、信頼性の高いデータを短期間で提供することができます。また…
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SIMSによってシリコンへボロンをイオン注入したサンプル分析結果を紹介。
材料開発には不純物分析が重要ですが、高感度で分析できる二次イオン質量 分析（SIMS）が好適です。 ここでは SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によってシリコンへボロンを 3…
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検出下限を1E16n/cm3に下げることが出来ました。SIMSによる分析結果の紹介
半導体材料開発には不純物分析が重要ですが、高感度で分析できる二次イオン 質量分析（SIMS）が適しています。 SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、シリコンへアルミニウム…
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SIMSによる、シリコンへ砒素をイオン注入した分析結果を紹介。
当ページでは、SIMS (アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、シリコンへ 砒素をイオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 砒素（75As）はマトリックスであるシリコンと…
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SiC基板へアルミニウムをBOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介。
SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、SiC基板へアルミニウムを BOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 SiC 基板は絶縁性が高いため、1次イオンビームを…
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化合物半導体サンプルを試料に、深さ分解能を測定した結果を紹介。
SIMS(二次イオン質量分析法)は数 kV の 1次イオンビーム(O2+, Cs+)を試料 表面に照射し、スパッタされた二次イオンを質量分析して試料中の微量 不純物を分析する事ができる装置です。 …
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2点の問題を解決するために濃度既知の試料を3点以上分析。
歪 Si デバイスに用いられる組成比勾配を持つ Si(1-x)Gex膜の深さ方向に 対するGeの濃度分布を正確に定量するのに SIMS(2 次イオン質量分析法)が 用いられます。 SIMS …
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当社のESCAは X 線プローブ径を5μmまで絞ることができます。
400LPI の銅メッシュ（メッシュ間隔：63.5μm）をマイクロ ESCA （Quantum-2000）により分析した例を紹介します。 二次電子像から分析視野を指定してその領域の銅の面分析を…
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当社のESCAはX線プローブ径を5μmまで絞れます！面分析も可能です。
『ESCA』は、X線プローブ径を5μmまで絞ることが可能な X線光電子分光分析装置です。 X線を走査しながら照射することによって発生する二次電子像 （SXI：Scanning X-ray I…
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