-
-
【分析事例】SiCSchottkyDiodeのブレークダウン観察
前処理から発光箇所特定まで一貫解析
高電圧電源(2000Vまで印加可能)を用いることで、耐圧の高いダイオードに対してもブレークダウンを発生させることができます。 本事例では600V耐圧のSiC Schottky Diodeを動作させ、…
-
-
【分析事例】リチウムイオン二次電池バインダの成分分析|受託分析
熱分解GC/MSによる有機成分の同定
リチウムイオン二次電池は、金属、無機から有機物質、固体から液体と多種多様な材料が使用されています。各材料の物性や組合せはデバイスの特性・信頼性に大きく反映されますので、材料の正確な解析・評価が必要とな…
-
-
【分析事例】パワートランジスタ(DMOSFET)の拡散層評価
ゲート・ソース層・ボディ層の位置関係がわかります
市販パワートランジスタ(DMOSFET) について、ポリSi ゲートとn型ソース層およびp型ボディ層の形状・位置関係を調べました。 AFM像と重ねることでゲートとの位置関係も知ることができます。
-
-
TEM_SEMによる有機EL_OLED_ゲート酸化膜の断面観察
低加速STEM観察により、低密度な膜でもコントラストがつきます
密度が低い膜について、高加速電圧(数百kV)では電子線の透過能が高いためにコントラストをつけることは困難ですが、低加速電圧のSEM-STEM1)像では、わずかな密度の違いを反映し、組成コントラストをは…
一般財団法人材料科学技術振興財団 MSTへのお問い合わせ
お問い合わせ内容をご記入ください。