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【分析事例】SiCSchottkyBarrierDiodeの測定
SiC中積層欠陥の検出事例
SiCはパワーデバイス用途向けなどに近年盛んに研究・利用が進んでいます。SiCは種々のポリタイプを持つため、積層配置が乱雑になる積層欠陥などが容易に発生するという問題を持ちます。この欠陥の検出法の一つ…
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【分析事例】ステンレス不動態皮膜の深さ方向状態評価と酸化膜厚評価
TOF-SIMSで無機物の分子情報を深さ方向に捉えることが可能
ステンレス(SUS)は耐食性に優れ、様々な工業製品・部品として使用されています。腐食に強い材料ですが、経年劣化や加工処理によって表面不動態皮膜の組成に変化が生じると不具合の原因につながります。今回、T…
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【分析事例】リチウムイオン二次電池 電解液の溶媒及び添加剤の評価
電解液のサンプリングから定性・定量評価が可能
リチウムイオン二次電池の電解液をGC/MSを用いることで、定性・定量を行うことが出来ます。 以下の例では、有機系溶媒としてエチレンカーボネート(EC)やエチルメチルカーボネート(EMC)、添加剤とし…
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【分析事例】リチウムイオン二次電池 電解液の溶媒及び添加剤の分析
製品からの電解液の抽出および成分評価
リチウムイオン二次電池の特性、信頼性には材料が大きく関与しますが、その中でも電解液の影響が大きいと言われています。円筒型、ラミネート型等の各種形状の市販品も適当な方法で電解液を抽出することで、有機溶媒…
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【分析事例】リチウムイオン二次電池 正極シート状活物質の組成分析
シート状活物質の主成分定量分析が可能
リチウムイオン二次電池は二次電池の中でも優れた特性を有しておりますが、その開発においては高出力化、高容量化、長寿命化など、様々な課題があります。 今回は正極シート状活物質の組成について、ICP-MS…
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【分析事例】SiCSchottkydiode中Alの深さ方向分析
イメージングSIMSにより、局在する元素の評価が可能です
市販のSiC Schottky diodeを解体し、素子パターンを含む40um角の領域で深さ0.5umまでイメージングSIMS測定を行い、ドーパント元素であるAlの濃度分布を評価しました。 イメージ…
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【分析事例】SiC Planer Power MOSのSCM分析
SiC デバイスの拡散層構造を可視化できます
SCMでは半導体のp/n極性を識別し、拡散層の形状を可視化することができます。 本手法はSiデバイスに活用されてきましたが、SiCデバイスにおいてもキャリア濃度が十分高い箇所では評価を行うことができ…
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【分析事例】C60,GCIBを用いたアルカリ金属の深さ濃度分布
SiO2膜の不純物の評価
アルカリ金属であるLi,Na,Kは半導体における各種故障原因の要の元素です。これらは測定時に膜中を移動してしまう可動イオンと言われており、正確な分布を得ることが困難とされてきました。 今回、スパッタ…
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