表面改質技術『COT処理』※検証動画公開

PR医薬品・食品の付着防止と滑り性改善に。皮膜剥落による異物混入リスクがゼ…

『COT処理』は、独自の表面改質加工により、母材の表面に滑らかで微細な凹凸や、 マルチスケール構造を形成し、滑り性や離型性、洗浄性を高める技術です。 基材表面を改質する技術のため、皮膜剥落による異物混入リスクがなく、 用途に合わせて表面構造を高精度に制御でき、複雑形状品にも施工可能です。 金属、樹脂、セラミック、ガラスなど様々な素材に施工でき、 熱による変形・変色が懸念される薄板...

メーカー・取り扱い企業： 千代田交易株式会社

生体試料保管サービス -Bio Storage Nexus-

PR生体試料の保管スペース不足・バックアップ保管・設備維持費の負担などにお…

極低温領域の製品・サービスを全国展開する「株式会社巴商会」と、研究素材の管理を行う 「株式会社SRI」が提携することによりライフサイエンス分野において、生体試料から化合物まで 幅広い研究素材の一元管理サービスを全国の研究機関に提供します。 〇特長 　・倉庫業でのサービス（法要件に測り資産を保管・管理） 　・災害リスクの極めて低い立地条件 　・安心の停電対策（液体窒素、非常用電源、補助冷却装置を常...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社巴商会 管理部署：企画営業部

エピ膜厚測定装置『EIR-2500』

IR反射率測定ヘッドを使用可能！高スループットのエピ膜厚測定を実現した…

『EIR-2500』は、FTIR機能と共に、赤外分光反射率計を備えた独自の エピ膜厚測定装置です。 高スループットのエピ膜厚測定を実現し、適用されるSEMI/CE規格に完全に 準拠しています。 また、EIR製品シリーズは、高性能で信頼性の高い電子機器に基づいており、 装置の...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

結晶欠陥検査装置『EnVision』

非破壊/非接触！nmスケールのウェハー内部の拡張欠陥の検出とモニタリン…

『En-Vison』は、転位欠陥、酸素析出物、積層欠陥などのウェハー内部の 結晶欠陥を非接触・非破壊で測定・評価ができる結晶欠陥検査装置です。 欠陥サイズ（15nm～サブミクロン）と密度（E6～E10/cm3）の両方で ハイダイナミックレンジを提供。 ウェハー深さ方向の検出感度を大幅に向上させ、幅広い密度とアプリケーシ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

薄膜評価装置『分光エリプソメーター』

【デモ可能】化合物半導体材料の組成比の評価も可能！非接触・非破壊でエピ…

『分光エリプソメーター』は、非接触・非破壊でエピ膜を含む薄膜の膜厚値、 屈折率、消衰係数を精度良く測定する薄膜評価装置です。 化合物半導体材料の組成比の評価も可能。 主な評価・測定項目は、“薄膜の膜厚値”、“エピ膜厚値”、“屈折率”、 “消衰係数”、“化合物半導体の組成比”、“ドーパント濃度”です。 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

水銀プローブCV/IV測定装置『MCVシリーズ』

水銀プローブにより電極の形成が不要！R&Dにおける開発時間の短縮、Lo…

『MCV-530/530L/2200/2500』は、半導体シリコンウェハーの電気特性や MOSデバイスの酸化膜等の特性評価を可能にする装置です。 従来ではウェハーにゲート電極としてPoly-SiやAl等を蒸着し、MOS構造・ ショットキー構造形成後にCV/IV特性評価を行っておりました。 当製品は、装置自身がゲート電極を...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

非接触移動度測定装置『LEI-1610シリーズ』

様々な半導体キャリア輸送特性の測定が可能！マイウロウェーブ反射による非…

、キャリア移動度は、とても重要なパラメーターに なります。 『LEI-1610シリーズ』は、移動度、キャリア濃度、シート抵抗など様々な 半導体キャリア輸送特性の測定が可能な非接触移動度測定装置です。 2インチから最大8インチまでのSiウェーハ、化合物半導体（GaAs、GaN、InP等） epiウエハを非接触・破壊にてキャリア移動度、シート抵抗、シートチャージ密度が 測定できます...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

非接触CV測定装置 Cn0CV

非接触式の重金属汚染・CV/IV・膜評価装置。 鉄濃度測定の感度はD…

世界に400台以上の実績を持つ非接触式の重金属汚染・CV/IV・膜評価装置です。 鉄濃度測定の感度はDSPVを採用することでE8を実現し、近年のCMOSイメージセンサーの歩留まり向上に寄与しております。 化合物半導体のCV測定が可能です。非接触で面内の濃度分布、プロフ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

拡がり抵抗測定装置『SRP-170/2100』

PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定！オプションにより表面抵抗測…

当社が取り扱う、拡がり抵抗測定装置『SRP-170/2100』をご紹介します。 斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に2探針をコンタクトさせ、 そのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイル、 EPI層の...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

全自動拡がり抵抗測定装置　SRP2000

全自動拡がり抵抗測定装置

SRP(Spreading Resistance Profiler)装置は，斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に２探針をコンタクト させそのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイル，EPI層の厚み，PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定する装置...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

表面電荷分析装置 SCA2011

表面電荷分析装置

表面電荷分析装置は、半導体前工程管理とりわけ熱酸化膜、ＣＶＤ膜形成、メタライゼーション、洗浄及びエッチングなどプロセス中に生じた汚染とダメージのモニタリングに最適です。 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

結晶欠陥分析装置(非接触、非破壊式)

結晶欠陥分析装置(非接触、非破壊式)

結晶欠陥分析装置 SIRM-300は、非接触、非破壊にて結晶欠陥測定が可能な光学測定器です。 様々なバルク特性解析(バルク/半導体ウェハーの表面付近の酸素、金属　堆積物、空乏層、積層欠陥、スリップライン、転位)が...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

シリコンブロック内部異物検査装置

シリコンブロック内部異物検査装置

IRB-30は、赤外線を使用し、シリコンブロックの内部異物(主にSiC, SiNなど)を検査する装置です。 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

超高感度DLTS　バルク内欠陥・界面準位測定装置

不良及び結晶欠陥の解析に有効！幅広いクライオスタット用のインターフェイ…

『DLS-83D/1000』は、温度、周波数スキャン、C-V特性等の測定が可能な バルク内欠陥・界面準位測定装置です。 「DLS-1000」は、10^8cm3レベルのバルク内欠陥、界面準位の高感度な 測定に対応。ライブラリーを標準装備しておりますので解析が容易に行えます。 高感度アナログ／デジタ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

高効率太陽電池開発用測定装置　PV-2000

高効率太陽電池開発用測定装置

PV-2000は、Semilab社とＳＤＩの技術を結合した太陽電池開発用の総合測定装置です。 パシベーション層評価等の高効率太陽電池を開発するための様々なヘッドを搭載可能です。 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

ライフタイム測定装置

u-PCD法でのマッピング測定が可能であり、太陽電池、半導体のマーケッ…

ライフタイム測定装置 WT-2000は、u-PCD法でのマッピング測定が可能であり、太陽電池、半導体のマーケットに非常に多くの実績があります。 シリコン・ブロック/ウェハーのライフタイム測定をし、マッピング表示が可能...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

FastGateインライン向けＣＶ・ＩＶ測定装置ECV-2500

FastGate　インライン向けＣＶ・ＩＶ測定装置

電極形成が不要な上、ウエハーにダメージを与えず、コンタミネーションも残さないことからインラインで使用出来る装置です。 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社