【ユーザーインタビュー】再生医療技術研究を加速させた測定装置とは

PR期待の再生医療技術ダイレクトリプログラミング研究を加速させた測定装置と…

再生医療は、アンメットメディカルニーズの高い疾患への治療法になることが期待されているが、中でも、ダイレクトリプログラミング技術は多能性幹細胞を介さず体細胞から目的の細胞に誘導でき、従来の技術に比べて時間的・経済的コストを抑えられる可能性もある。ダイレクトリプログラミングによる1型糖尿病患者の再生治療の確立を目指して研究を進める順天堂大学大学院医学研究科 難病の診断と治療研究センター（難治性疾患診断...

メーカー・取り扱い企業： シスメックス株式会社 再生医療事業分野

凍結乾燥機の試験乾燥

PRフリーズドライ装置導入を検討されているお客様へ試験乾燥実施中です！

弊社では、フリーズドライ装置導入を検討されているお客様を対象に試験乾燥を実施しております。 試験機を実際に見ながらご説明し、ご質問等にお答えします。 今までにも製薬会社様、食品会社様、化粧品会社様など、多くのお客様が試験乾燥を実施してきました。 ご興味のある方はお気軽にお問い合わせください。...共和真空技術株式会社の工場は埼玉県熊谷市にございます。 様々な試験機を設置している東工...

メーカー・取り扱い企業： 日精株式会社 本社

エピ膜厚測定装置『EIR-2500』

IR反射率測定ヘッドを使用可能！高スループットのエピ膜厚測定を実現した…

『EIR-2500』は、FTIR機能と共に、赤外分光反射率計を備えた独自の エピ膜厚測定装置です。 高スループットのエピ膜厚測定を実現し、適用されるSEMI/CE規格に完全に 準拠しています。 また、EIR製品シリーズは、高性能で信頼性の高い電子機器に基づいており、 装置の...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

結晶欠陥検査装置『EnVision』

非破壊/非接触！nmスケールのウェハー内部の拡張欠陥の検出とモニタリン…

『En-Vison』は、転位欠陥、酸素析出物、積層欠陥などのウェハー内部の 結晶欠陥を非接触・非破壊で測定・評価ができる結晶欠陥検査装置です。 欠陥サイズ（15nm～サブミクロン）と密度（E6～E10/cm3）の両方で ハイダイナミックレンジを提供。 ウェハー深さ方向の検出感度を大幅に向上させ、幅広い密度とアプリケーシ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

薄膜評価装置『分光エリプソメーター』

【デモ可能】化合物半導体材料の組成比の評価も可能！非接触・非破壊でエピ…

『分光エリプソメーター』は、非接触・非破壊でエピ膜を含む薄膜の膜厚値、 屈折率、消衰係数を精度良く測定する薄膜評価装置です。 化合物半導体材料の組成比の評価も可能。 主な評価・測定項目は、“薄膜の膜厚値”、“エピ膜厚値”、“屈折率”、 “消衰係数”、“化合物半導体の組成比”、“ドーパント濃度”です。 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

水銀プローブCV/IV測定装置『MCVシリーズ』

水銀プローブにより電極の形成が不要！R&Dにおける開発時間の短縮、Lo…

『MCV-530/530L/2200/2500』は、半導体シリコンウェハーの電気特性や MOSデバイスの酸化膜等の特性評価を可能にする装置です。 従来ではウェハーにゲート電極としてPoly-SiやAl等を蒸着し、MOS構造・ ショットキー構造形成後にCV/IV特性評価を行っておりました。 当製品は、装置自身がゲート電極を...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

非接触CV測定装置 Cn0CV

非接触式の重金属汚染・CV/IV・膜評価装置。 鉄濃度測定の感度はD…

世界に400台以上の実績を持つ非接触式の重金属汚染・CV/IV・膜評価装置です。 鉄濃度測定の感度はDSPVを採用することでE8を実現し、近年のCMOSイメージセンサーの歩留まり向上に寄与しております。 化合物半導体のCV測定が可能です。非接触で面内の濃度分布、プロフ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

非接触移動度測定装置『LEI-1610シリーズ』

様々な半導体キャリア輸送特性の測定が可能！マイウロウェーブ反射による非…

、キャリア移動度は、とても重要なパラメーターに なります。 『LEI-1610シリーズ』は、移動度、キャリア濃度、シート抵抗など様々な 半導体キャリア輸送特性の測定が可能な非接触移動度測定装置です。 2インチから最大8インチまでのSiウェーハ、化合物半導体（GaAs、GaN、InP等） epiウエハを非接触・破壊にてキャリア移動度、シート抵抗、シートチャージ密度が 測定できます...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

拡がり抵抗測定装置『SRP-170/2100』

PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定！オプションにより表面抵抗測…

当社が取り扱う、拡がり抵抗測定装置『SRP-170/2100』をご紹介します。 斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に2探針をコンタクトさせ、 そのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイル、 EPI層の...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

全自動拡がり抵抗測定装置　SRP2000

全自動拡がり抵抗測定装置

SRP(Spreading Resistance Profiler)装置は，斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に２探針をコンタクト させそのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイル，EPI層の厚み，PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定する装置...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

表面電荷分析装置 SCA2011

表面電荷分析装置

表面電荷分析装置は、半導体前工程管理とりわけ熱酸化膜、ＣＶＤ膜形成、メタライゼーション、洗浄及びエッチングなどプロセス中に生じた汚染とダメージのモニタリングに最適です。 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

結晶欠陥分析装置(非接触、非破壊式)

結晶欠陥分析装置(非接触、非破壊式)

結晶欠陥分析装置 SIRM-300は、非接触、非破壊にて結晶欠陥測定が可能な光学測定器です。 様々なバルク特性解析(バルク/半導体ウェハーの表面付近の酸素、金属　堆積物、空乏層、積層欠陥、スリップライン、転位)が...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

シリコンブロック内部異物検査装置

シリコンブロック内部異物検査装置

IRB-30は、赤外線を使用し、シリコンブロックの内部異物(主にSiC, SiNなど)を検査する装置です。 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

超高感度DLTS　バルク内欠陥・界面準位測定装置

不良及び結晶欠陥の解析に有効！幅広いクライオスタット用のインターフェイ…

『DLS-83D/1000』は、温度、周波数スキャン、C-V特性等の測定が可能な バルク内欠陥・界面準位測定装置です。 「DLS-1000」は、10^8cm3レベルのバルク内欠陥、界面準位の高感度な 測定に対応。ライブラリーを標準装備しておりますので解析が容易に行えます。 高感度アナログ／デジタ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

高効率太陽電池開発用測定装置　PV-2000

高効率太陽電池開発用測定装置

PV-2000は、Semilab社とＳＤＩの技術を結合した太陽電池開発用の総合測定装置です。 パシベーション層評価等の高効率太陽電池を開発するための様々なヘッドを搭載可能です。 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

ライフタイム測定装置

u-PCD法でのマッピング測定が可能であり、太陽電池、半導体のマーケッ…

ライフタイム測定装置 WT-2000は、u-PCD法でのマッピング測定が可能であり、太陽電池、半導体のマーケットに非常に多くの実績があります。 シリコン・ブロック/ウェハーのライフタイム測定をし、マッピング表示が可能...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

FastGateインライン向けＣＶ・ＩＶ測定装置ECV-2500

FastGate　インライン向けＣＶ・ＩＶ測定装置

電極形成が不要な上、ウエハーにダメージを与えず、コンタミネーションも残さないことからインラインで使用出来る装置です。 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

トレンチ深さ測定装置 IR2100

トレンチ深さ測定装置

パワーデバイスのディープトレンチやTSV形状、DRAMのキャパシタートレンチの深さ、CD測定、リセス測定を非接触で測定。独自技術MBIR（Model Based Infrared)により高アスペクト比のトレンチの測定が可能。また、エピ膜のドープ濃度の縦方向プロファイルの測定にも対応。 ...広波長帯域の赤外線を干渉計に導き変調する。変調された赤外線を薄膜表面に照射すると、薄膜各層の界面から（...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

薄膜膜厚・ヤング率測定装置 SW3300

薄膜膜厚・ヤング率測定装置

非接触、非破壊でウェハー基板上の薄膜膜厚、膜のヤング率、 ポアソン比を測定することができる。 ...パルスレーザーを薄膜表面に　照射し、薄膜上で熱に変換されたエネルギーが 薄膜を熱膨張させる。 局所的に膨張した薄膜表面では音響振動が発生する。この音響振動の周波数 を物理モデルに導入し薄膜の膜厚やヤング率、ポアソン比を算出する。 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

光学式細孔率・細孔分布測定装置

世界唯一の分光エリプソメーター技術でのEP(光学式ポロシメーター）細孔…

■ 前処理が必要がなく、 20分/ポイントと従来型に比べて高速に測定が可能です。 ...【アプリケーション】 ・Low-k膜の細孔率測定 ・色素増感太陽電池のTiO2細孔率測定 ・細孔サイズ（0.5~65nm)、厚さ（50nm～５um)のサンプル 【特徴】 ・膜厚、屈折率、表面積、浸透率、ヤング率、CTE計測も測定可能 ・従来の方式に比べ、短時間での測定が可能（２０分/point...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

結晶欠陥測定装置　(光散乱断層撮影式)

結晶欠陥測定装置　(光散乱断層撮影式)

シリコンウェハーの結晶欠陥が高速測定可能。...LSTは、CCDカメラを使用し、切断されたウェハーサンプル断面の結晶欠陥を測定します。...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

薄膜太陽電池パネル測定装置

薄膜太陽電池パネル測定装置

フラットパネルディスプレイ製造マーケットでは、品質管理用途にて非常に多くの実績がございます。...太陽電池で必要な様々な光学系、電気系測定が1台で可能です。 　- 分光エリプソ(膜厚、光学特性) 　- ライフタイム測定 　- シート抵抗測定 　- 比抵抗測定 　- ラマン分光 第10世代パネル対応まで対応可能です。 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

単結晶シリコンブロック用ライフタイム測定装置

単結晶シリコンブロック用ライフタイム測定装置

ライフタイム測定器 WT-2000PIは、e-PCD技術を使用し、パッシベーション処理なしの単結晶シリコンインゴット状態で少数キャリアライフタイムを測定します。...ライフタイム測定器 WT-2000PIは、e-PCD技術を使用し、パッシベーション処理なしの単結晶シリコンインゴット状態で少数キャリアライフタイムを測定します。...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

サーフェイスチャージプロファイラー QCS2500

非接触でエピウェハの抵抗率をモニター可能！

■特徴 ■非破壊・非接触測定　モニター 　・モニターウェハー不要　 ■ウェハー表面処理装置内臓 　・ＵＶ＋コロナチャージ　及び　ＲＯＳＴによる測定前の表面処理が可能 ■高スループット 　・測定スピード／ １ポイント ０．１秒 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

高感度DLTSシステム　DLS-1000

超高感度DLTSシステム／バルク内欠陥・界面準位測定装置

108 cm3レベルのバルク内欠陥、界面準位の高感度な測定に対応（DLS-1000)。 又、ライブラリーを標準装備しておりますので解析が容易に行えます。 【特徴】 ●高感度な汚染検出が可能 （2x108 atoms/cm3 ）。 ●幅広いクライオスタット用のインターフェイスを装備。 ●温度、周波数スキャン、C-V特性 等の測定が可能。 ●簡単に深さ方向のプロファイル、トラップの...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

比抵抗測定器

渦電流技術を用いて、非接触/非破壊にてシリコンインゴット/ブロックの抵…

太陽電池のブロック/ウェハー/セルのマッピング測定可能な装置もご提供可能です。...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

非接触・非破壊インプラモニター　PMR-3000

インプラ後のドーズ量モニタリングとアニール処理前後のジャンクション深度…

【装置の原理】 ■Generation Laserは過剰少数キャリアを発生させ、明らかなダメージが存在するところを熱します ■過剰少数キャリア勾配は屈折勾配のインデックスを形成します ■Prob...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

Junction Photo Voltage(JPV)

JPV法により、非接触で、PNジャンクションのジャンクション・リーク、…

分解能の高い分布測定（マッピング）が高速で可能 - 再現性の高い測定が可能 - セミラボ社のベンチトッププラットフォームWT-2000、WT-2500、WT-3000やインラインのウェハーテスト装置に組みつけが可能 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社