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      【分析事例】光デバイス

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      光デバイスの分析事例をご紹介します

      • 【分析事例】ウェハ・チップの特定箇所の前処理技術 製品画像

        【分析事例】ウェハ・チップの特定箇所の前処理技術

        目的箇所のみサンプリングし、ウェハを割らずにサンプル作製します

        ウェハ・チップを割らずに小片を抜き出して薄片化し、高分解能TEM観察・分析を行います。 さらに分析したい箇所を残してカットしてサンプルを作製することで、目的箇所をご要望のあらゆる方向からTEM観察・…

      • 【分析事例】FIB低加速加工 製品画像

        【分析事例】FIB低加速加工

        FIB:集束イオンビーム加工

        FIBを用いたTEM観察用薄膜試料作製法では、高エネルギーのGaイオン(加速電圧30kV)を用いており、加工面にダメージ層が生じ、TEMの像質低下の原因となっています。そこで従来より低加速(2kV)の…

      • 【分析事例】SIMSによるGaN系LED構造の組成分析 製品画像

        【分析事例】SIMSによるGaN系LED構造の組成分析

        GaN系LEDの主成分元素の組成を深さ方向に評価可能

        一般的にSIMSでは含有量が%を超える主成分レベルの元素の定量性は低いとされていますが、一次イオンにCs+を用いたMCs+(M:着目元素)検出モードを用いることで、主成分元素の深さ方向の組成分布を求め…

      • 【分析事例】化合物積層構造試料のSIMS分析 製品画像

        【分析事例】化合物積層構造試料のSIMS分析

        前処理により化合物層を選択的に除去してから分析が可能

        積層構造試料のSIMS分析において、試料表面から深い位置に着目層がある構造では、着目層で深さ方向分解能の劣化や上層の濃度分布の影響を受ける懸念があります。このような場合には、前処理により上層を除去して…

      • 【分析事例】UVセンサ AlGaN中不純物濃度の高精度評価 製品画像

        【分析事例】UVセンサ AlGaN中不純物濃度の高精度評価

        様々なAl組成のAlGaN標準試料をラインアップ

        SIMS分析において、より確かな濃度定量値を算出するには測定サンプルと組成の近い標準サンプルを用いることが不可欠です。 紫外LEDやUVセンサに用いられるAlGaNについて、Al含有量に応じたAlG…

      • 【分析事例】極薄SiON膜の組成・膜厚評価 製品画像

        【分析事例】極薄SiON膜の組成・膜厚評価

        光電子の平均自由行程を用いた膜厚の見積もり

        シリコンウエハ上の自然酸化膜・シリコン酸窒化薄膜など、厚さ数nm以下の極薄膜について、サンプル最表面のSi2pスペクトルを測定します。得られたスペクトルの波形解析を行うことにより、各結合状態の存在割合…

      • 【分析事例】極浅注入プロファイルの評価 製品画像

        【分析事例】極浅注入プロファイルの評価

        極浅い領域においてもドーパント分布・接合の評価が可能

        デバイスの微細化により、極浅い領域における不純物の深さ方向分布評価の必要性が高まっています。 正確な評価を行うためには、通常よりも低いエネルギー(1keV以下)の一次イオンビームを用いたSIMS分析…

      • 【分析事例】電子回折の種類と特徴 製品画像

        【分析事例】電子回折の種類と特徴

        TEM:透過電子顕微鏡法

        透過電子顕微鏡での電子回折法は、試料への電子線の入射の仕方によって3つに分類されます。それぞれの特徴とデータ例を示します。評価対象物のサイズや分析目的に応じて、適切な手法を選択する必要があります。

      • 【分析事例】GaN系LED構造中MgのSSDP-SIMS分析 製品画像

        【分析事例】GaN系LED構造中MgのSSDP-SIMS分析

        裏面側からGaN系LED構造中の不純物プロファイルを取得可能

        GaN系LEDにおいて、ドーパント元素であるMgが活性層まで拡散することにより発光効率が低下すると言われております。 本資料ではGaN系LED構造試料において、表面側及びサファイア基板側(裏面側)か…

      • 【分析事例】SIMSによる化合物半導体の組成分析 製品画像

        【分析事例】SIMSによる化合物半導体の組成分析

        化合物半導体の主成分元素の組成を深さ方向に評価可能

        一般的にSIMSでは含有量が%を超える主成分レベルの元素の定量性は低いとされていますが、一次イオンにCs+を用いたMCs+(M:着目元素)検出モードを用いることで、主成分元素の深さ方向の組成分布を求め…

      • 【分析事例】GaN系デバイスの発光・発熱解析 製品画像

        【分析事例】GaN系デバイスの発光・発熱解析

        GaN系デバイス耐圧評価、及び、表面発熱分布評価のご提案

        GaN系のLEDと高周波デバイスについて、故障解析に有効な2つの手法の測定事例をご紹介します。 LED素子でロックイン発熱解析を行うことで、発光に伴う発熱の有無とそのタイミングを可視化することができ…

      • 【分析事例】低温フォトルミネッセンス測定の注意事項 製品画像

        【分析事例】低温フォトルミネッセンス測定の注意事項

        PL:フォトルミネッセンス法

        ・フォトルミネッセンス測定(PL測定) は室温の他に、クライオスタット内に試料を設置し、低温で実施することも可能です。低温測定は室温測定に比べピーク強度の増大やピーク半値幅が減少する傾向が見られるため…

      • 【分析事例】XPSによるGaN膜の組成・結合状態評価 製品画像

        【分析事例】XPSによるGaN膜の組成・結合状態評価

        目的に合わせた測定条件で評価を行います

        LEDやパワーデバイスに用いられるGaN膜について、XPSを用いて組成・結合状態を評価した例を紹介します。成膜条件や表面処理等により、組成や結合状態がどのように変わるのかを把握しておくことは、プロセス…

      • 【分析事例】ウエットエッチングによる有機付着物除去 製品画像

        【分析事例】ウエットエッチングによる有機付着物除去

        表面汚染を除去してXPSによる評価を行います

        XPSは表面敏感な手法のため、大気等による有機付着物由来のCが主成分レベルで検出されます。こういった有機付着物由来のCの影響を減らすことは、膜本来の組成を評価する上で重要です。 通常、有機付着物の除…

      • 【分析事例】ケミカルシフトによる金属酸化物の価数評価 製品画像

        【分析事例】ケミカルシフトによる金属酸化物の価数評価

        XPS:X線光電子分光法

        XPS分析ではX線照射により得られた光電子のエネルギーを観測することにより、物質表面の結合状態評価を行います。金属元素が酸化状態にあるかどうかの評価はもちろん、酸化によるエネルギーシフト(ケミカルシフ…

      • 【分析事例】表面酸化膜のある異物の状態評価 製品画像

        【分析事例】表面酸化膜のある異物の状態評価

        水酸化アルミニウムAl(OH)3と酸化アルミニウムAl2O3の評価が可能です

        金属の異物を定性評価したい場合、最表面のみを分析すると異物表面に存在する酸化膜の情報となってしまうため、異物そのものの情報が得られないことがあります。 TOF-SIMSにより深さ方向に分析を行うこと…

      • 【分析事例】Si基板へのAl,Gaの拡散評価 製品画像

        【分析事例】Si基板へのAl,Gaの拡散評価

        SSDP-SIMSによる高濃度層の影響を避けた測定

        コスト低減の観点から、GaNを材料としたパワーデバイスの基板には高抵抗Si基板の活用が期待されています。しかしながら、高温で成膜する際にAl,GaがSi基板表面に拡散してしまうと、低抵抗層が形成されリ…

      • 【分析事例】近赤外VCSELのSMMによるキャリア分布評価 製品画像

        【分析事例】近赤外VCSELのSMMによるキャリア分布評価

        実装品の解体・加工から拡散層の計測までを一貫して行えます

        近赤外VCSEL(面発光レーザー)の実装品を解体して微小なチップを取り出し、断面加工の後にSMM計測を実施しました。 VCSELの開口部を取り囲むように、高抵抗の電流狭窄層が観察されました。また、活…

      • 【分析事例】ABF-STEM観察によるGaNの極性評価 製品画像

        【分析事例】ABF-STEM観察によるGaNの極性評価

        Csコレクタ付STEMにより原子レベルでの観察が可能です

        パワーデバイス・光デバイスとして実用化されているGaNは六方晶ウルツ鉱構造をとり、c軸方向に結晶学的な非対称性(Ga極性とN極性)が存在します。Ga極性とN極性ではエピタキシャル膜の成長プロセスが異な…

      • 【分析事例】Si自然酸化膜の膜厚評価 製品画像

        【分析事例】Si自然酸化膜の膜厚評価

        光電子の平均自由行程を用いた膜厚の見積もり

        シリコンウエハ上の自然酸化膜・シリコン酸窒化薄膜など厚さ数nm以下の極薄膜について、XPS分析によって膜厚を算出した事例をご紹介します。Siウエハ最表面のSi2pスペクトルを測定し、得られたスペクトル…

      • 【分析事例】白色LEDのフォトルミネッセンス分析 製品画像

        【分析事例】白色LEDのフォトルミネッセンス分析

        白色LED中のチップ、蛍光体の発光特性の確認

        白色LEDは長寿命・省エネルギーであるため、近年需要が照明用途を中心に急激に増加しています。 白色LEDは青色の半導体チップを電気によって発光させ、その発光によって周囲の蛍光体(主に黄色)を光らせる…

      • 【分析事例】成膜成分のウエハ裏面への回り込み評価 製品画像

        【分析事例】成膜成分のウエハ裏面への回り込み評価

        ベベル部近傍にて金属成分の定量的な評価が可能

        半導体デバイス製造において、歩留まり向上の観点からウエハ裏面に残留する金属を除去することが求められており、金属成分の残留量を定量的に把握することが重要です。 ベベル部から500umの範囲で裏面に残留…

      • 【分析事例】ポリイミド成分の深さ方向分析 製品画像

        【分析事例】ポリイミド成分の深さ方向分析

        TOF-SIMSによる高分子・樹脂・フィルムの表面改質層の深さ方向の評価が可能

        ポリイミドは非常に耐熱性が高く電気絶縁性も優れていることから、電子部品をはじめとして様々な分野で用いられている材料です。表面改質を行うことで他の材料との密着性を高めることができることから、改質層の状態…

      • 【分析事例】熱履歴を考慮した異物の成分同定 製品画像

        【分析事例】熱履歴を考慮した異物の成分同定

        熱履歴を揃えた標準試料の活用提案

        ポリプロピレン(PP)などの高分子材料は、大気中で加熱されると大気中の酸素や水分と反応し、分子構造が変化します。そのため、異物や付着物が高分子材料の可能性がある場合、測定サンプルと同じ環境で処理した標…

      • 【分析事例】化合物へテロ接合界面歪の可視化 製品画像

        【分析事例】化合物へテロ接合界面歪の可視化

        FFTM法による格子像解析

        Fast Fourier Transform Mapping法は、高分解能TEM像をフーリエ変換し、FFTパターンのスポット位置から結晶の微小な格子歪みを解析、可視化する方法です。FFTM解析により、…

      • 【分析事例】ZnO膜の組成・不純物の三次元分布評価 製品画像

        【分析事例】ZnO膜の組成・不純物の三次元分布評価

        イメージングSIMS分析により面内分布を可視化

        デバイス作成の要素の一つである膜組成の均一性と不純物の分布状態をイメージングSIMS分析により評価しました。 測定後のデータ処理により、平面イメージ(図1)・断面イメージ(図2)・任意箇所の深さ方向…

      • 【分析事例】Siウエハベベル部の汚染評価 製品画像

        【分析事例】Siウエハベベル部の汚染評価

        金属成分と有機成分を同時に評価可能です

        半導体デバイス製造において、歩留まり向上の観点から、ウエハの裏面の清浄度向上に加え、ウエハのベベル部に残留する物質を除去することが求められています。今回、ベベル傾斜面のTOF-SIMS分析を行い、汚染…

      • 【分析事例】照明用発光素子の総合評価 製品画像

        【分析事例】照明用発光素子の総合評価

        LEDの解体から蛍光体・LEDチップなど各材料の分析まで行います

        省エネルギー化のキーデバイス照明用LEDについて、市販品を解体し、各材料の組成分析・不具合箇所特定・物理解析・不純物分析など実施します。

      • 【分析事例】イメージセンサの拡散層形状評価 製品画像

        【分析事例】イメージセンサの拡散層形状評価

        試料解体から測定まで一貫して対応します

        本資料では、スマートフォン搭載のイメージセンサ拡散層に関して評価した事例をご紹介します。 半導体のp/n型を判定可能なSCM(走査型静電容量顕微鏡)を用い、拡散層がどのような分布となっているかを評…

      • 【分析事例】CMOSセンサの総合評価 製品画像

        【分析事例】CMOSセンサの総合評価

        スマートフォン部品のリバースエンジニアリング

        市販品のスマートフォンからレンズ、CMOSセンサチップをそれぞれ取り出し、評価した事例をご紹介します。 目的に応じて研磨・FIB加工により、平面、断面を作製し、TEM,SEMにより層構造やレイヤーを…

      • 【分析事例】STEM,EBSDと像シミュレーションを併用した解析 製品画像

        【分析事例】STEM,EBSDと像シミュレーションを併用した解析

        像シミュレーションを併用した結晶形の評価

        高分解能HAADF-STEM像は、結晶の原子配列を反映した画像であることから、種々の結晶方位に対応したSTEM像をシミュレーションすることにより、多結晶体中の結晶粒間の相対方位や観察像の正確な理解に役…

      • 【分析事例】STEM・EDXデータと像シミュレーションによる評価 製品画像

        【分析事例】STEM・EDXデータと像シミュレーションによる評価

        STEM像と原子組成の測定結果から結晶構造の評価ができます

        試料の測定によって得られた結果と、シミュレーションの併用により、結晶構造の評価が可能です。 本資料では、多結晶体であるネオジム磁石において、HAADF-STEMとEDXの測定によって得られた結果と、…

      • 【分析事例】撥水箇所の成分分析 製品画像

        【分析事例】撥水箇所の成分分析

        TOF-SIMSは複数成分の広域イメージング評価が可能です

        密着不良などの不具合の原因を探るためには、ウエハやデバイスの表面の知見を得ることは重要です。今回、シリコンウエハ上に撥水箇所が確認されたため、TOF-SIMSで広域イメージングを実施しました。その結果…

      • 【分析事例】深紫外LED中Mgの深さ方向濃度分析 製品画像

        【分析事例】深紫外LED中Mgの深さ方向濃度分析

        様々なAl組成のAlGaN中不純物の定量が可能です

        SIMS分析で不純物濃度を求めるためには、分析試料と同じ組成の標準試料を使うことが必要です。紫外LEDやパワーデバイスに使われているAlGaNについて、様々なAl組成のAlGaN標準試料を取りそろえる…

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