ネジ山をなめてしまった…その課題『エンザート』が解決します！

PR壊れたネジ穴を再生・補修して強度もアップ！タップ立て不要で、めねじやコ…

部品のネジ山（めねじ）が破損した場合、どうしていますか？ 「ヘリサート・リコイルなどのコイルインサートを使用している」 「サイズアップで立て直しをしている」 「部品交換をしている」 など様々な対応をされているかと思います。 エンザートならその部品を救えるかもしれません！ ケー・ケー・ヴィ・コーポレーションが取り扱う『エンザートSBE』は、垂直出しが容易な三つ穴タイプのインサートナットです。 先...

メーカー・取り扱い企業： ケー・ケー・ヴィ・コーポレーション株式会社

フェイス合わせ装置『PBD-30型』

PR異種、異常ボトルの検査・ラベラー機前のボトル容器の向き合わせに！　ノズ…

『PBD-30型』は、画像マッチング機能で異種、異常ボトル容器の検査が可能です。 『PBD-30型』のメイン機能としては、ボトル容器の向きを任意の位置で一定に合わせるフェイス合わせ機能を持っているのでＰＯＰラベラー機の前に設置する事で、ボトル容器のキャップやノズルの向きとラベルの貼り付け位置を合わせる事ができます。 設定は最初にボトル容器の全周画像を自動で取込み、モニターに表示された全周画...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社プランナー

結晶欠陥検査装置『EnVision』

非破壊/非接触！nmスケールのウェハー内部の拡張欠陥の検出とモニタリン…

『En-Vison』は、転位欠陥、酸素析出物、積層欠陥などのウェハー内部の 結晶欠陥を非接触・非破壊で測定・評価ができる結晶欠陥検査装置です。 欠陥サイズ（15nm～サブミクロン）と密度（E6～E10/cm3）の両方で ハイダイナミックレンジを提供。 ウェハー深さ方向の検出感度を大幅に向上させ、幅広い密度とアプリケーシ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

薄膜評価装置『分光エリプソメーター』

【デモ可能】化合物半導体材料の組成比の評価も可能！非接触・非破壊でエピ…

『分光エリプソメーター』は、非接触・非破壊でエピ膜を含む薄膜の膜厚値、 屈折率、消衰係数を精度良く測定する薄膜評価装置です。 化合物半導体材料の組成比の評価も可能。 主な評価・測定項目は、“薄膜の膜厚値”、“エピ膜厚値”、“屈折率”、 “消衰係数”、“化合物半導体の組成比”、“ドーパント濃度”です。 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

水銀プローブCV/IV測定装置『MCVシリーズ』

水銀プローブにより電極の形成が不要！R&Dにおける開発時間の短縮、Lo…

『MCV-530/530L/2200/2500』は、半導体シリコンウェハーの電気特性や MOSデバイスの酸化膜等の特性評価を可能にする装置です。 従来ではウェハーにゲート電極としてPoly-SiやAl等を蒸着し、MOS構造・ ショットキー構造形成後にCV/IV特性評価を行っておりました。 当製品は、装置自身がゲート電極を...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

非接触CV測定装置 Cn0CV

非接触式の重金属汚染・CV/IV・膜評価装置。 鉄濃度測定の感度はD…

世界に400台以上の実績を持つ非接触式の重金属汚染・CV/IV・膜評価装置です。 鉄濃度測定の感度はDSPVを採用することでE8を実現し、近年のCMOSイメージセンサーの歩留まり向上に寄与しております。 化合物半導体のCV測定が可能です。非接触で面内の濃度分布、プロフ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

拡がり抵抗測定装置『SRP-170/2100』

PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定！オプションにより表面抵抗測…

当社が取り扱う、拡がり抵抗測定装置『SRP-170/2100』をご紹介します。 斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に2探針をコンタクトさせ、 そのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイル、 EPI層の...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

全自動拡がり抵抗測定装置　SRP2000

全自動拡がり抵抗測定装置

SRP(Spreading Resistance Profiler)装置は，斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に２探針をコンタクト させそのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイル，EPI層の厚み，PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定する装置...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

表面電荷分析装置 SCA2011

表面電荷分析装置

表面電荷分析装置は、半導体前工程管理とりわけ熱酸化膜、ＣＶＤ膜形成、メタライゼーション、洗浄及びエッチングなどプロセス中に生じた汚染とダメージのモニタリングに最適です。 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

シリコンブロック内部異物検査装置

シリコンブロック内部異物検査装置

IRB-30は、赤外線を使用し、シリコンブロックの内部異物(主にSiC, SiNなど)を検査する装置です。 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

高効率太陽電池開発用測定装置　PV-2000

高効率太陽電池開発用測定装置

PV-2000は、Semilab社とＳＤＩの技術を結合した太陽電池開発用の総合測定装置です。 パシベーション層評価等の高効率太陽電池を開発するための様々なヘッドを搭載可能です。 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

FastGateインライン向けＣＶ・ＩＶ測定装置ECV-2500

FastGate　インライン向けＣＶ・ＩＶ測定装置

電極形成が不要な上、ウエハーにダメージを与えず、コンタミネーションも残さないことからインラインで使用出来る装置です。 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

トレンチ深さ測定装置 IR2100

トレンチ深さ測定装置

パワーデバイスのディープトレンチやTSV形状、DRAMのキャパシタートレンチの深さ、CD測定、リセス測定を非接触で測定。独自技術MBIR（Model Based Infrared)により高アスペクト比のトレンチの測定が可能。また、エピ膜のドープ濃度の縦方向プロファイルの測定にも対応。 ...広波長帯域の赤外線を干渉計に導き変調する。変調された赤外線を薄膜表面に照射すると、薄膜各層の界面から（...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

サーフェイスチャージプロファイラー QCS2500

非接触でエピウェハの抵抗率をモニター可能！

■特徴 ■非破壊・非接触測定　モニター 　・モニターウェハー不要　 ■ウェハー表面処理装置内臓 　・ＵＶ＋コロナチャージ　及び　ＲＯＳＴによる測定前の表面処理が可能 ■高スループット 　・測定スピード／ １ポイント ０．１秒 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

高感度DLTSシステム　DLS-1000

超高感度DLTSシステム／バルク内欠陥・界面準位測定装置

108 cm3レベルのバルク内欠陥、界面準位の高感度な測定に対応（DLS-1000)。 又、ライブラリーを標準装備しておりますので解析が容易に行えます。 【特徴】 ●高感度な汚染検出が可能 （2x108 atoms/cm3 ）。 ●幅広いクライオスタット用のインターフェイスを装備。 ●温度、周波数スキャン、C-V特性 等の測定が可能。 ●簡単に深さ方向のプロファイル、トラップの...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

非接触・非破壊インプラモニター　PMR-3000

インプラ後のドーズ量モニタリングとアニール処理前後のジャンクション深度…

【装置の原理】 ■Generation Laserは過剰少数キャリアを発生させ、明らかなダメージが存在するところを熱します ■過剰少数キャリア勾配は屈折勾配のインデックスを形成します ■Prob...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

Junction Photo Voltage(JPV)

JPV法により、非接触で、PNジャンクションのジャンクション・リーク、…

分解能の高い分布測定（マッピング）が高速で可能 - 再現性の高い測定が可能 - セミラボ社のベンチトッププラットフォームWT-2000、WT-2500、WT-3000やインラインのウェハーテスト装置に組みつけが可能 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社