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61件 - メーカー・取り扱い企業
企業
248件 - カタログ
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高度な分析と”考察力”でお客様の問題解決！電子基板の解析事例をご紹介
「電子基板・部品の解析」は、お客様の”知りたいレベル”に応じて 表面分析手法をご提案します。 FT-IR(反射法・ATR法)をはじめ、XPS表面分析や、AES深さ分析など 電子基板配線パターンの銅表...
メーカー・取り扱い企業： イビデンエンジニアリング株式会社 環境技術事業部
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SSDP-SIMSによる測定面の凹凸・高濃度層の影響を避けた測定
基板側からSIMS分析（SSDP-SIMS）を行うことで、表面の凹凸・スパッタに伴う表面側高濃度層からのノックオンの影響を受けない測定が可能です。ゲート電極（BドープPoly-Si）から基板へのボロンの突き抜け量を評価しました。基板側からの測定ではノックオンなどの影響が見られず、より正確な突き抜け量評価が可能であることがわかります。このように、バリアメタルのバリア性・Low-k膜中への金属の入り込み・凹...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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SSDP-SIMSによる高濃度層の影響を避けた測定
コスト低減の観点から、GaNを材料としたパワーデバイスの基板には高抵抗Si基板の活用が期待されています。しかしながら、高温で成膜する際にAl,GaがSi基板表面に拡散してしまうと、低抵抗層が形成されリークの原因と言われております。 そこで、Si基板中へのA...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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SIMS分析によりH, C, N, O, Fなどを1ppm以下まで評価…
他手法では評価が難しい半導体基板中のH,C,N,Oを1ppm(約5E16atoms/cm3)以下まで、Fを1ppb(約5E13atoms/cm3)以下の濃度まで検出可能です。実際のFZ-Si中における測定例（図1）とIII-V族半...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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Si基板に含まれる微量な炭素の確認が可能です
す。 格子間型炭素に関連する挙動は低温PL分析で非常に感度良く観測することが可能であり、SIMS分析の下限以下の微量な炭素についての知見を得ることが可能です。 本資料では、イオン注入を行ったSi基板について低温PL分析とSIMS分析を行い確認した例を示します。...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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高度な分析と”考察力”でお客様の問題解決！陰イオン・陽イオンの高感度定…
【測定例】 ■基板清浄度の評価 ・プリント基板表面がイオン残渣で汚染されていた場合、絶縁不良などの悪影響を及ぼす ・電子基板の試験の規格であるIPC-TM-650などに従い基板の純水抽出基板の清浄度を評価 ...
メーカー・取り扱い企業： イビデンエンジニアリング株式会社 環境技術事業部
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SiC基板側からドーパント濃度プロファイルを取得可能
分析を進める方向に関係なく深さ約0.5μm以降の分布もよく一致することから、Alの濃度分布の広がりは測定起因でなく実際の元素分布を反映しているものと考えられます。 SiCなどの加工の難しい硬質基板でも、SSDP-SIMS分析が可能です。まずはお気軽にご相談ください。...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】液中AFM測定を用いた基板上の高分子の形状変化観察
大気中・水溶液中での試料構造変化の可視化
様な機能が発現されることが知られており、様々な製品に利用されています。 高分子の評価においては、実環境での評価が重要です。今回は環境制御型AFM（原子間力顕微鏡）を用いて、大気中および水溶液中にて基板上の高分子形状を可視化した事例を紹介します。また、データ解析を併用することでポリマー粒子の分散具合を数値化しました。...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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お客様の目的に合わせた形状・面精度到達に向けた、受託開発・加工をご提案…
【受託加工対象素材】 ■各種半導体用基板 （Si、SiC、GaN、GaAs、サファイア、 LiTaO3、LiNbO3、SiN、AlN、SiN、 各種複合材料、etc.） ■太陽電池用基板 ■各種金属基板（Cu、Al、SUS、Ti、Au...
メーカー・取り扱い企業： ナガセ研磨機材株式会社 本社
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菌が作り出す高分子糖鎖の構造物！様々な目的に沿った分析方法をご提案
分析事例】 ■菌のバイオフィルム形成を阻害する効果の評価 ■菌が形成したバイオフィルムの破壊(除去、分解)効果の評価 ■菌が形成したバイオフィルム中の菌に対する殺菌、増殖阻害の評価 ■処理した表面、基板等へのバイオフィルム形成阻害の評価 ■処理した表面、基板等の周囲のバイオフィルム形成抑制の評価 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社同仁グローカル
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「Plus」の価値をご提供！自動航行システムやワイヤレス充電器など、さ…
【実績例（一部）】 ■自動航行システム ■ワイヤレス充電器 ■無線電力伝送モジュール ■ウォーターサーバ基板 ■多層ビルド基板 ■HV ESC基板 ■カードリーダ ■浄水器 ■PV用マイクロインバータ ■バッテリー制御基板 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社Wave Technology
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微小領域・ガラス基板についてもSSDPによる分析が可能
二次イオン質量分析法（SIMS）を用いて、市販ＴＦＴ液晶ディスプレイのデータ信号配線とゲート電極配線の交差部（4μm×10μm）を、基板側から分析（SSDP-SIMS）した例を示します。 基板側から測定（SSDP-SIMS）を行うことにより、表面側の高濃度層や金属膜などの影響がないデータの提供が可能となります。...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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評価測定用・新素材など各種試験片の受託制作を１個からお請け致します。御…
ンを再検討してる場合 MRCは、『精密工学会賞』、『中小企業長官賞』、『十大新製品賞』等受賞（共受）等の実績もあり、50年以上培ってきた加工技術は、構造材の摺動部品、シリコンウエハ、光学部材、ＩＣ基板、超微細のマイクロ加工部品まで、多岐にわたる超精密加工を実現しています。 ※ 詳しくはカタログをダウンロード頂くか、お気軽にご連絡ご相談下さいませ。...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社マルトー 本社
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技術情報誌 202304-01 エリプソメトリーを用いた薄膜評価
エリプソメトリによる、PVA膜スピンコート直後の経時変化とシリコン絶縁…
トリーについて ３. PVA膜スピンコート直後の経時変化 ４. シリコン絶縁膜の傾斜エッチング評価 ５. おわりに 【図表】 図1 反射光の偏光状態の変化 図2 PVA膜/熱酸化膜/Si基板の測定解析結果 図3 PVA膜(赤)と熱酸化膜(青)の屈折率の波長分散 図4 スピンコート後大気下乾燥中のPVA膜の膜厚と屈折率の経時変化 図5 スピンコート後大気下乾燥中のPVA膜中に含まれ...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター
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技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…
リウム（Ga2O3）は新たなパワーデバイス材料として注目されている。デバイス応用に向けた薄膜成長技術の発展とともに、Ga2O3薄膜の分析評価技術の重要性は益々高まると考えられる。本稿では、サファイア基板上に作製したGa2O3膜の結晶構造解析、および不純物、欠陥評価を行った事例について紹介する。 【目次】 １．はじめに ２．試料 ３．分析結果 ４．まとめ...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター
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【分析事例】角度分解XPS（ARXPS）による極薄膜組成分布評価
基板上の極薄膜についてデプスプロファイルを評価可能です
ル表面極近傍のデプスプロファイルを評価する手法です。従来のArイオンスパッタを用いた方法と比較すると、深さ方向分解能が向上し、かつ選択スパッタやミキシングによる組成変化が無いといったメリットがあり、基板上の極薄膜（数nm程度）のデプスプロファイル評価に有効です。 本資料ではSi基板上のSiN膜について、膜中の組成分布評価を行った事例をご紹介します。...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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腐食性ガスを始めとした反応ガス雰囲気における部材の耐性評価可能！
【取得可能なデータ例(ガス種依存、条件依存など)】 ■基板上への成膜特性 ■基板のエッチング特性 ■金属部材の腐食性 ■樹脂のガス耐性 など ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...
メーカー・取り扱い企業： 大陽日酸株式会社
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膜厚・密度・結合状態を評価
SiCパワーデバイスは、電力損失を抑え、小型で大電力を扱える電力変換素子として期待されています。 デバイスの特性を向上させるために必要なゲート酸化膜の膜厚、密度をXRR（X線反射率法） および結合状態をXPS（X線光電子分光法）で評価した事例をご紹介します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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微小領域の無機・有機物の分布評価が可能です
はんだの剥離原因究明には、はんだと基板界面の成分分析を行うことが有効です。 TOF-SIMSは元素分析と有機物・無機物の分子情報の解析が同時にできることや、イメージ分析が可能なことから、剥離部の評価に適した手法です。 本資料では、は...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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断面マッピングにより、GaNの結晶成長の様子を評価可能
LEDやパワーデバイスなどの材料として用いられます。それら製品の製造工程では、デバイス特性に影響を与える結晶欠陥の無い、高品質なGaN結晶の作製が求められます。 本資料では、c面上に形成したGaN基板（c-GaN基板）上に、c-GaN結晶を高速気相成長させたサンプルの結晶状態を評価した事例をご紹介します。...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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リバースエンジニアリング Plus 車載・医療・産業から民生まで
設計開発の効率を加速！現品をお預かりさせていただければ、あとはアウトプ…
・民生機器・各種電源等、幅広いジャンルを対象にご利用いただいております。 競合他社製品の先行技術調査やディスコン（生産中止）対策の解析など、様々なご要望にお応えしております。 (例：サンプル基板のレイヤ出し・回路図作成等) お客様の製品開発を当社各種サービス（設計開発・受託評価）でサポートできることも特徴としております。 事業プランを考えている間にアウトソース活用で開発に必要な...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社Wave Technology
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技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…
感度測定 ４．重元素の質量分解能向上 ５．まとめ 【図表】 図1～図8 RGB各画素で取得したRBSスペクトル 各元素の質量分解能と感度（理論計算値） SiON膜(100 nm)/Si基板：RBSスペクトル、NRAスペクトル IGZO膜(300 nm)/Si基板：RBSスペクトル IGZO膜のGa/Zn比の比較...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター
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多層膜組成分析をはじめ粘着剤上の異物分析などの測定事例を多数ご紹介しま…
『赤外分光分析(ナノスケール空間分解能)』の受託測定のご案内を まとめた測定事例集です。 断面から薄膜層の同定が可能な「多層膜組成分析」や、サブミクロンサイズの 異物分析が可能な「ガラス基板上のウォーターマークの組成分析」など、 様々な測定事例を図表を用いて詳しく掲載しております。 ぜひご一読ください。 【掲載事例(抜粋)】 ■多層膜組成分析 ■芯鞘構造単線維の断面組...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社日本サーマル・コンサルティング
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研究開発・試作評価のパートナーとして
製品の開発支援 ・基本設計からの具体的な設計・商品化 ・機能追加による再設計・商品化 ・製品の品質保証を考えたカスタム検査システムのご提案 ・機構樹脂設計 ・回路設計 ・基板設計 ・試作・評価 ・ファンクション検査機の開発 ...
メーカー・取り扱い企業： 和田電器株式会社
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自社が注力すべき仕事以外は、設計会社の代行サービスを活用する時代
電波法認証 技術基準適合証明の事前評価 申請の代行／品含有化学物質調査…
当社では、『電波法認証技術基準適合証明（技適）の事前評価申請の代行』 『製品含有化学物質調査・環境負荷物質調査の代行』をさせていただきます。 製品開発で必要となる全ての設計部隊（電気、機構、基板、ソフト）が 揃っており、これらを一括で受託し社内で綿密に連携して設計を進めるため、 デザイン、コスト、性能などを最適化した製品に仕上げることが可能です。 また、位置検出、ワイヤレス給電、...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社Wave Technology
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XAFSとXPSの複合解析によって高精度なバンドギャップ評価が可能
薄膜試料のバンドギャップはこれまでUV-Vis・PL・XPSなどの分析手法で測定されてきましたが、材料・膜厚・基板などの試料構造の制約から評価可能なケースが限られていました。 今回、XAFSとXPSの複合解析によって、試料構造の制約を少なく、かつ従来よりも高精度なバンドギャップ評価が可能となりました。本手法は...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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微小領域のXRD測定が可能
照射X線をΦ400μmに絞ってXRD測定を行うことで、面全体ではなく所定の領域を狙って結晶情報を取得した事例をご紹介します。 プリント基板サンプルのXRD測定の結果、測定箇所（１）～（3）全てでCuとBaSO4が検出され、電極である測定箇所（１）ではAu由来のピークが検出されました。XRFによる測定結果とよく一致しています。 このよ...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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金属元素および大気成分元素の極微量分析
結晶Si太陽電池の基板成長からセル形成までの各工程で必要とされている不純物量制御のための評価法として、高感度分析による元素濃度測定をご提案します。金属元素はppb以下、Hを含む大気成分元素についてはppm以下の濃度まで計...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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材料の価電子帯・伝導帯・ギャップ内準位の詳細な情報が得られます
吸収分光(XAS)とX線発光分光(XES)の同時測定からはバンド構造の全容が把握できると共に、それらを構成する元素・軌道の帰属といった詳細な情報も得ることが可能です。 本資料では測定例としてGaN基板のXAS・XESスペクトルをご紹介します。...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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赤外吸収法によりSiN膜中のSi-H,N-Hを定量
結合した水素をそれぞれ求めることは出来ません。FT-IRではSi-H伸縮振動とN-H伸縮振動が別の位置にピークを持つため、それらのピークを利用して、それぞれの水素濃度を求めることが出来ます。 Si基板上SiN膜中のSi-H及びN-H濃度を求めた分析事例を下記に示します。...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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加工無しで30nmサイズの組成分析が可能
AES分析は最表面から数nm深さまでの組成情報を得る手法であり、製造工程において表面に生じた汚染や異物の組成を調べる際に有効な分析です。基板などの母材の情報を検出することが少ないため、異物など異常箇所のみの情報を前処理加工などを行わず簡便に調べることが可能です。また面分析を行うことで元素分布像を得ることができます。 本事例ではSiウエ...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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昇温過程での相転移・結晶性変化を追跡評価
Pt をSi 基板にスパッタ蒸着させた試料に対して、昇温させながらOut-of-plane XRD, In-plane XRD 測定をそれぞれ行いました。両測定で、Pt(111) は500℃より高い温度ではピーク強度...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】イオン注入及びアニール処理を行ったSiの低温PL
照射欠陥やアニールによる結晶性の回復を確認することが可能です
陥の度合いや結晶性の回復度合いを確認することは、製造プロセスを制御するにあたり重要と考えられます。低温下におけるフォトルミネッセンス(PL)測定は、これらを調査する際に有効な手段の一つです。 Si基板にイオン注入を行った後、アニール処理を行った試料のPL測定例を示します。...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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光電子の平均自由行程を用いた膜厚の見積もり
られたスペクトルの波形解析を行うことにより、各結合状態の存在割合を求め、この結果と光電子の平均自由行程か ら膜厚を見積もることが可能です（式１）。 XPSでは非破壊かつ簡便に、広域の平均情報として基板上の薄膜厚みを算出することが可能です。...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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アウトガス中のシロキサンをngオーダーで定量します
シリコーン製品からアウトガスとして発生するシロキサンは、揮発しやすく基板等に付着しやすい成分です。シロキサンが付着すると、光学系レンズの曇り、膜の剥離や密着不良、リレー回路の接点障害などの悪影響が出ることが知られており、シロキサンのアウトガス量を調査しておくことは重要で...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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TEM-EELSにより、微小領域の元素同定・化学状態分析が可能です
電子材料・触媒材料・紫外線吸収剤・光触媒などに用いられる酸化チタン（TiO2）には組成が同じで結晶構造の異なるアナターゼ型とルチル型が存在します。Si基板上に成膜した厚さ20nmの多結晶TiO2試料（写真1）について電子線プローブを約1nmΦ(FWHM)まで絞って測定を行いました。試料から取得したEELSスペクトルは、Ti, Oともにアナターゼ型Ti...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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非晶質（ガラス）二酸化ケイ素（SiO2）のラマン散乱分光法による構造解…
二酸化ケイ素（SiO2）は半導体における絶縁膜・FPDの基板材料・光学材料・医療機器から装身具に至るまで幅広く用いられていますが、非晶質であるガラスとして構造解析を行うことは非常に困難です。ガラス中でSiO2が環状に結合することに着目し、ラマン測定を行いまし...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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温度保持中の脱ガス強度の変化を調査できます
TDSは高真空中で試料を昇温、または温度を一定に保持した状態で、脱離するガスをリアルタイムに検出する手法です。 Si基板上SiN膜について350℃で温度を保持し、H2の脱離量を調査した例を示します。 単純昇温では500℃付近に脱ガスピークが確認されましたが、350℃で温度保持中はH2の検出強度は低下し、再昇温時に脱...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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凹凸のある構造でも平坦化加工により深さ方向分布評価が可能
ることがありますが、この凹凸が深さ方向分析における深さ分解能の劣化を招きます。 テクスチャ凹凸面に平坦化加工を施すことにより深さ分解能の劣化を抑えて深さ方向濃度分布を評価した事例と、バックサイド(基板側)から分析を行った事例をご紹介します。...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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球体形状試料の評価事例
AES分析ではSEM観察機能が付随していることから、試料表面の特定箇所を測定することが可能です。 またサブμｍの微小領域での測定が可能なため、基板等の平坦試料だけではなく、球体形状や湾曲形状の試料でも、曲率の影響を受けにくく、平坦試料と同様に特定箇所を狙って測定することができます。 以下は表面形状が異なる半田ボール表面の酸化膜厚を評価した事...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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組成・結合状態・構造・密度の評価が可能
CIGS薄膜太陽電池の高効率化において、光吸収層から透明電極までのバンド構造や結晶性の制御のために様々なバッファ層材料が検討されております。 平坦化された基板上に成膜したZn系バッファ層についてX線による各種評価を行った事例を示します。 成膜条件による水準間、成膜後の各種プロセスの水準間での比較が可能です。...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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NBD：Nano Beam Diffractionによる微小領域の歪解…
中で回折する角度（電子回折スポット位置）の変化から、格子歪に関する知見を得ることができます。任意の晶帯軸入射方向で、デバイスパターンに合わせた測定が可能です。 素子分離領域（LOCOS周辺）のSi基板について測定した結果、熱処理温度・結晶方向によって歪量が異なっていることが確認できました。...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】GaN系LED構造中MgのSSDP-SIMS分析
裏面側からGaN系LED構造中の不純物プロファイルを取得可能
GaN系LEDにおいて、ドーパント元素であるMgが活性層まで拡散することにより発光効率が低下すると言われております。 本資料ではGaN系LED構造試料において、表面側及びサファイア基板側(裏面側)からSIMS分析を行い、Mgの深さ方向濃度分布を評価した事例をご紹介します。...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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製品内基板上DRAMのリバースエンジニアリング
代表的なメモリであるDRAMについて製品レベルからTEM観察による素子微細構造解析まで一貫して分析します。 外観観察からレイヤー解析、Slice＆Viewを行うことで構造の全体像を把握し、FIB加工位置をナノレベルで制御し薄片形成後にメモリ部の微細構造をTEM像観察しました。...詳しいデータはカタログをご覧ください...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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ライフタイム制御サンプルのキャリア濃度分析事例紹介
パワー半導体デバイスでは、ライフタイム制御のために、Si基板内に結晶欠陥を形成することがあります。ライフタイム制御領域の作成に用いられる元素の一つである水素イオンの熱処理条件の違いによるキャリア濃度分布を評価した事例を示します。...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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