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PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定！オプションにより表面抵抗測定可！
当社が取り扱う、拡がり抵抗測定装置『SRP-170/2100』をご紹介します。 斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に2探針をコンタクトさせ、 そのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比…
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非破壊/非接触！nmスケールのウェハー内部の拡張欠陥の検出とモニタリングが可能
『En-Vison』は、転位欠陥、酸素析出物、積層欠陥などのウェハー内部の 結晶欠陥を非接触・非破壊で測定・評価ができる結晶欠陥検査装置です。 欠陥サイズ（15nm～サブミクロン）と密度（E6…
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様々な半導体キャリア輸送特性の測定が可能！マイウロウェーブ反射による非接触移動度測定！
半導体デバイスの製造にとって、キャリア移動度は、とても重要なパラメーターに なります。 『LEI-1610シリーズ』は、移動度、キャリア濃度、シート抵抗など様々な 半導体キャリア輸送特性の測…
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IR反射率測定ヘッドを使用可能！高スループットのエピ膜厚測定を実現した測定装置
『EIR-2500』は、FTIR機能と共に、赤外分光反射率計を備えた独自の エピ膜厚測定装置です。 高スループットのエピ膜厚測定を実現し、適用されるSEMI/CE規格に完全に 準拠しています…
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【技術資料】分光エリプソメーター測定原理～偏光とは？ ※資料進呈
偏光・エリプソメーター・ブリュースター角など！図やグラフと共に分かりやすくご紹介。デモ可能
当資料は、分光エリプソメーターの測定原理についてご紹介しています。 電場および磁場の振動方向が規則的な光のことをいう「偏光」をはじめ、 エリプソメーターの原理、光学干渉についてなどを掲載。 …
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表面とナノ構造を測定する機能！ミリメートルから原子レベルまでをカバーします
走査電子顕微鏡(SEM)と原子間力顕微鏡(AFM)の複合システムをご紹介します。 SEMのズーム機能を使い、AFMチップを対象領域に直接移動可能。 表面の形状や、機械・電気・磁気特性に関する情…
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圧痕を直接観察することも可能！硬度、弾性率、耐摩耗性、耐傷性などの測定に
『IND-1000』は、押し込み荷重と変位を測定し、薄膜、樹脂、金属などの 様々な物質の硬度や弾性率を測定するナノインデンターです。 AFMにナノインデンターのヘッドを搭載することで、圧痕を直…
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広い範囲で優れた測定直線性！三次元グラフィックマップとしてPCモニター上で確認可能
『LEI-1510シリーズ』は、旧リハイトン社製の非接触式シート抵抗測定機です。 ロボットを取り付ける事により、多数枚を迅速に計測処理する事が可能。 四探針方式で起こる、探針の接触汚染や接触具…
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【デモ可能】化合物半導体材料の組成比の評価も可能！非接触・非破壊でエピ膜を含む薄膜の膜厚値を精度良く測定
『分光エリプソメーター』は、非接触・非破壊でエピ膜を含む薄膜の膜厚値、 屈折率、消衰係数を精度良く測定する薄膜評価装置です。 化合物半導体材料の組成比の評価も可能。 主な評価・測定項目は…
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回転補償子型 分光エリプソメータ『SE-2000』※セミナー開催
多層膜の膜厚・屈折率を非接触で高精度測定。本体の操作や解析作業が容易 ※デモ可能＆技術資料進呈
『SE-2000』は、薄膜の膜厚・屈折率を“非接触”で高精度に測定できる回転補償子型の分光エリプソメータです。 ユーザーフレンドリーな解析ソフトを備えており、解析作業が容易。 深紫外から近赤外領域…
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u-PCD法でのマッピング測定が可能であり、太陽電池、半導体のマーケットに非常に多くの実績があります
オプションにて様々な電気的測定のマッピング測定が可能です。 (拡散長、鉄濃度、比抵抗、シート抵抗、LBIC、反射率、IQE、PN判定)
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渦電流技術を用いて、非接触/非破壊にてシリコンインゴット/ブロックの抵抗を瞬時に測定
太陽電池のブロック/ウェハー/セルのマッピング測定可能な装置もご提供可能です。
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シリコンウェハー/ブロックのPN判定が瞬時に行えます
シリコンウェハー/ブロックのPN判定が瞬時に行えます。 非接触／非破壊にてＰ／Ｎ判定ができる持ち運びにも便利なペンタイプの判定器です。
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シリコンブロック内部異物検査装置
ワイヤーソー等でシリコンブロックをスライスする際に、事前にIRB-30にて内部異物箇所を検査し、対応して頂くことによって、ワイヤーソーのダメージ、断線を抑えることが可能です。
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インライン型ウェハー測定モジュール
インラインでのウェハー/セルの全数検査、ソーティングが可能です。
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単結晶シリコンブロック用ライフタイム測定装置
ライフタイム測定器 WT-2000PIは、e-PCD技術を使用し、パッシベーション処理なしの単結晶シリコンインゴット状態で少数キャリアライフタイムを測定します。
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結晶欠陥分析装置(非接触、非破壊式)
ウェハーを割らずにそのままで測定可能です。
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結晶欠陥測定装置 (光散乱断層撮影式)
シリコンウェハーの結晶欠陥が高速測定可能。
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薄膜光学特性を非破壊で測定！ 手軽に高精度測定できる分光エリプソメトリー
日本セミラボの分光エリプソメーター『GES5E』は、従来の光学測定器では不可能だった薄膜光学特性の測定を非破壊で実現しました。 薄膜、多層膜の膜厚、各層の屈折率（N,K値）波長分散を算出。研究開…
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世界唯一の分光エリプソメーター技術でのEP(光学式ポロシメーター）細孔率・細孔分布測定装置
■ 前処理が必要がなく、 20分/ポイントと従来型に比べて高速に測定が可能です。
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赤外分光エリプソメトリー
- FTIR測定においても、偏光しているので、より多くの情報をとることが可能です。 - レファレンス測定が必要ないので高速に測定が可能です。
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薄膜太陽電池パネル測定装置
フラットパネルディスプレイ製造マーケットでは、品質管理用途にて非常に多くの実績がございます。
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ロールツーロール分光エリプソメータ
QCモニタリングにて非常に多くの実績があります。
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インプラ後のドーズ量モニタリングとアニール処理前後のジャンクション深度測定を非接触・非破壊で検査します。
【装置の原理】 ■Generation Laserは過剰少数キャリアを発生させ、明らかなダメージが存在するところを熱します ■過剰少数キャリア勾配は屈折勾配のインデックスを形成します ■Pr…
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高効率太陽電池開発用測定装置
PV-2000は、Semilab社とＳＤＩの技術を結合した太陽電池開発用の総合測定装置です。 パシベーション層評価等の高効率太陽電池を開発するための様々なヘッドを搭載可能です。
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超高感度DLTSシステム／ バルク内欠陥・界面準位測定装置
108 cm3レベルのバルク内欠陥、界面準位の高感度な測定に対応（DLS-1000)。 又、ライブラリーを標準装備しておりますので解析が容易に行えます。 【特徴】 ●高感度な汚染検出が可能 …
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水銀プローブにより電極の形成が不要！R&Dにおける開発時間の短縮、Lowコスト化を提供
『MCV-530/530L/2200/2500』は、半導体シリコンウェハーの電気特性や MOSデバイスの酸化膜等の特性評価を可能にする装置です。 従来ではウェハーにゲート電極としてPoly-S…
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トレンチ深さ測定装置
パワーデバイスのディープトレンチやTSV形状、DRAMのキャパシタートレンチの深さ、CD測定、リセス測定を非接触で測定。独自技術MBIR（Model Based Infrared)により高アスペクト比…
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全自動拡がり抵抗測定装置
SRP(Spreading Resistance Profiler)装置は，斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に２探針をコンタクト させそのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイ…
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FastGateインライン向けＣＶ・ＩＶ測定装置ECV-2500
FastGate インライン向けＣＶ・ＩＶ測定装置
電極形成が不要な上、ウエハーにダメージを与えず、コンタミネーションも残さないことからインラインで使用出来る装置です。
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薄膜膜厚・ヤング率測定装置
非接触、非破壊でウェハー基板上の薄膜膜厚、膜のヤング率、 ポアソン比を測定することができる。
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表面電荷分析装置
表面電荷分析装置は、半導体前工程管理とりわけ熱酸化膜、ＣＶＤ膜形成、メタライゼーション、洗浄及びエッチングなどプロセス中に生じた汚染とダメージのモニタリングに最適です。
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非接触でエピウェハの抵抗率をモニター可能！
QC2500シリーズは、非接触でエピタキシャルウェハーの抵抗率をモニターすることができます。測定原理としてサーフェイスフォトボルテージ（ＳＰＶ）法を用いてウェハー上にパルス光を照射することによりウェハ…
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JPV法により、非接触で、PNジャンクションのジャンクション・リーク、空乏層の容量評価、PN接合試料のシート抵抗を高速に測定！
JPV法（ジャンクション・フォト・ボルテッジ法）を用いているため、高速で再現性の良いマッピング測定が可能です。 【特徴】 - 非接触、非破壊測定 - プローブの調整は不要 - 測定のための…
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非接触式の重金属汚染・CV/IV・膜評価装置。 鉄濃度測定の感度はDSPVを採用することでE8を実現！
世界に400台以上の実績を持つ非接触式の重金属汚染・CV/IV・膜評価装置です。 鉄濃度測定の感度はDSPVを採用することでE8を実現し、近年のCMOSイメージセンサーの歩留まり向上に寄与しておりま…
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不良及び結晶欠陥の解析に有効！幅広いクライオスタット用のインターフェイスを装備
『DLS-83D/1000』は、温度、周波数スキャン、C-V特性等の測定が可能な バルク内欠陥・界面準位測定装置です。 「DLS-1000」は、10^8cm3レベルのバルク内欠陥、界面準位の高…
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