ついに販売開始！温風乾燥試験機と新機能搭載の2製品をご案内！

PR『FOOMA JAPAN 2024』に出展！乾燥データ抽出・可視化…

当社は、2024年6月4日(火)～9日(金)に開催される「FOOMA JAPAN 2024」に出展致します。 ついに販売を開始した「温風乾燥試験機」の展示と、新機能を搭載した2製品を技術発表！ ■温風乾燥試験機　型番 : RAD-AD-EC80【展示】 ■横流れ式循環型乾燥機 SKH-10【パネル展示】 ■冷風除湿ユニット搭載試験機【展示（技術発表）】 ■横吹き多段ファン式循環型乾燥...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社木原製作所

【資料】超高速フローサイトメーターを最大限に活用するヒントとコツ

PRハイスループット処理とマルチプレックス解析を実現！超高速フローサイトメ…

当資料では、超高速のフローサイトメトリープラットフォームを最大限に活用するヒントとコツについて解説しております。 細胞ベースの分析では、細胞単位ベースでの情報を提供する機器としてフローサイトメーターが依然として有力なツールです。 しかし従来のフローサイトメーターは、ハイスループットなデータ獲得が要求される最新の創薬研究に適した設計ではなく、 そのまま研究ワークフローに当てはめようとすると、ワーク...

メーカー・取り扱い企業： ザルトリウス・ジャパン株式会社

非接触CV測定装置 Cn0CV

非接触式の重金属汚染・CV/IV・膜評価装置。 鉄濃度測定の感度はD…

世界に400台以上の実績を持つ非接触式の重金属汚染・CV/IV・膜評価装置です。 鉄濃度測定の感度はDSPVを採用することでE8を実現し、近年のCMOSイメージセンサーの歩留まり向上に寄与しております。 化合物半導体のCV測定が可能です。非接触で面内の濃度分布、プロファイル測定が可能です...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

非接触移動度測定装置『LEI-1610シリーズ』

様々な半導体キャリア輸送特性の測定が可能！マイウロウェーブ反射による非…

半導体デバイスの製造にとって、キャリア移動度は、とても重要なパラメーターに なります。 『LEI-1610シリーズ』は、移動度、キャリア濃度、シート抵抗など様々な 半導体キャリア輸送特性の測定が可能な非接触移動度測定装置です。 2インチから最大8インチまでのSiウェーハ、化合物半導体（GaAs、GaN、InP等） epiウエハを非接触・破壊にてキャリア移動度、シート抵抗、シートチ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

拡がり抵抗測定装置『SRP-170/2100』

PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定！オプションにより表面抵抗測…

当社が取り扱う、拡がり抵抗測定装置『SRP-170/2100』をご紹介します。 斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に2探針をコンタクトさせ、 そのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイル、 EPI...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

エピ膜厚測定装置『EIR-2500』

IR反射率測定ヘッドを使用可能！高スループットのエピ膜厚測定を実現した…

『EIR-2500』は、FTIR機能と共に、赤外分光反射率計を備えた独自の エピ膜厚測定装置です。 高スループットのエピ膜厚測定を実現し、適用されるSEMI/CE規格に完全に 準拠しています。 また、EIR製品シリーズは、高性能で信頼性の高い電子機器に基づいており、 装...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

超高感度DLTS　バルク内欠陥・界面準位測定装置

不良及び結晶欠陥の解析に有効！幅広いクライオスタット用のインターフェイ…

『DLS-83D/1000』は、温度、周波数スキャン、C-V特性等の測定が可能な バルク内欠陥・界面準位測定装置です。 「DLS-1000」は、10^8cm3レベルのバルク内欠陥、界面準位の高感度な 測定に対応。ライブラリーを標準装備しておりますので解析が容易...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

水銀プローブCV/IV測定装置『MCVシリーズ』

水銀プローブにより電極の形成が不要！R&Dにおける開発時間の短縮、Lo…

【主な測定・評価項目】 ■化膜中の電荷の評価（VFB） ■界面準位測定（Dit） ■エピ層の抵抗率測定（ρ） ■低ドースイオン注入の部分的ドース量の評価（PID） ■ライフタイム測定（τｇ） ■高...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

トレンチ深さ測定装置 IR2100

トレンチ深さ測定装置

パワーデバイスのディープトレンチやTSV形状、DRAMのキャパシタートレンチの深さ、CD測定、リセス測定を非接触で測定。独自技術MBIR（Model Based Infrared)により高アスペクト比のトレンチの測定が可能。また、エピ膜のドープ濃度の縦方向プロファイルの測定にも対応。 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

高効率太陽電池開発用測定装置　PV-2000

高効率太陽電池開発用測定装置

PV-2000は、Semilab社とＳＤＩの技術を結合した太陽電池開発用の総合測定装置です。 パシベーション層評価等の高効率太陽電池を開発するための様々なヘッドを搭載可能です。 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

光学式細孔率・細孔分布測定装置

世界唯一の分光エリプソメーター技術でのEP(光学式ポロシメーター）細孔…

■ 前処理が必要がなく、 20分/ポイントと従来型に比べて高速に測定が可能です。 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

ライフタイム測定装置

u-PCD法でのマッピング測定が可能であり、太陽電池、半導体のマーケッ…

オプションにて様々な電気的測定のマッピング測定が可能です。 (拡散長、鉄濃度、比抵抗、シート抵抗、LBIC、反射率、IQE、PN判定)...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

全自動拡がり抵抗測定装置　SRP2000

全自動拡がり抵抗測定装置

ler)装置は，斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に２探針をコンタクト させそのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイル，EPI層の厚み，PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定する装置です。 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

FastGateインライン向けＣＶ・ＩＶ測定装置ECV-2500

FastGate　インライン向けＣＶ・ＩＶ測定装置

ＵＳＬ（極浅層<40nm）のイオン注入、低ドース・イオン注入のドース量モニタリング、極薄酸化膜（<20Å）の電気的膜厚測定 SiON 膜，High k膜の誘電率測定、Epi の 抵抗率測定などが可能です。 主な測定・評価項目 ・電気的膜厚（CET/EOT) ・フラットバンド電圧（VFB) ・界面準位等（...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

比抵抗測定器

渦電流技術を用いて、非接触/非破壊にてシリコンインゴット/ブロックの抵…

太陽電池のブロック/ウェハー/セルのマッピング測定可能な装置もご提供可能です。...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

薄膜太陽電池パネル測定装置

薄膜太陽電池パネル測定装置

太陽電池で必要な様々な光学系、電気系測定が1台で可能です。 　- 分光エリプソ(膜厚、光学特性) 　- ライフタイム測定 　- シート抵抗測定 　- 比抵抗測定 　- ラマン分光 第10世代パネル対応まで対応可能です。...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

単結晶シリコンブロック用ライフタイム測定装置

単結晶シリコンブロック用ライフタイム測定装置

ライフタイム測定器 WT-2000PIは、e-PCD技術を使用し、パッシベーション処理なしの単結晶シリコンインゴット状態で少数キャリアライフタイムを測定します。...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

分光エリプソメーター GES5E

薄膜光学特性を非破壊で測定！ 手軽に高精度測定できる分光エリプソメト…

日本セミラボの分光エリプソメーター『GES5E』は、従来の光学測定器では不可能だった薄膜光学特性の測定を非破壊で実現しました。 薄膜、多層膜の膜厚、各層の屈折率（N,K値）波長分散を算出。研究開発からインライン生産品質管理ほかあらゆる分野で活躍しています。 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

結晶欠陥測定装置　(光散乱断層撮影式)

結晶欠陥測定装置　(光散乱断層撮影式)

シリコンウェハーの結晶欠陥が高速測定可能。...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

インライン型ウェハー測定モジュール

インライン型ウェハー測定モジュール

結晶系太陽電池向け品質管理、製造歩留向上のためのインライン全自動ウェハー測定モジュールです。　 搬送用ベルト上でノンストップにてライフタイム、比抵抗/厚さ、シート抵抗を測定します。 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

薄膜膜厚・ヤング率測定装置 SW3300

薄膜膜厚・ヤング率測定装置

非接触、非破壊でウェハー基板上の薄膜膜厚、膜のヤング率、 ポアソン比を測定することができる。 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

高感度DLTSシステム　DLS-1000

超高感度DLTSシステム／バルク内欠陥・界面準位測定装置

108 cm3レベルのバルク内欠陥、界面準位の高感度な測定に対応（DLS-1000)。 又、ライブラリーを標準装備しておりますので解析が容易に行えます。 【特徴】 ●高感度な汚染検出が可能 （2x108 atoms/cm3 ）。 ●幅広いクライ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

【技術資料】分光エリプソメーター測定原理～偏光とは？　※資料進呈

偏光・エリプソメーター・ブリュースター角など！図やグラフと共に分かりや…

当資料は、分光エリプソメーターの測定原理についてご紹介しています。 電場および磁場の振動方向が規則的な光のことをいう「偏光」をはじめ、 エリプソメーターの原理、光学干渉についてなどを掲載。 図やグラフと共に分かりやすくご紹介...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

回転補償子型 分光エリプソメータ『SE-2000』※セミナー開催

多層膜の膜厚・屈折率を非接触で高精度測定。本体の操作や解析作業が容易　…

『SE-2000』は、薄膜の膜厚・屈折率を“非接触”で高精度に測定できる回転補償子型の分光エリプソメータです。 ユーザーフレンドリーな解析ソフトを備えており、解析作業が容易。 深紫外から近赤外領域まで幅色い波長領域の測定に対応しています。 材料の組成比、...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

サーフェイスチャージプロファイラー QCS2500

非接触でエピウェハの抵抗率をモニター可能！

QC2500シリーズは、非接触でエピタキシャルウェハーの抵抗率をモニターすることができます。測定原理としてサーフェイスフォトボルテージ（ＳＰＶ）法を用いてウェハー上にパルス光を照射することによりウェハー表面電位変化を検出し、空乏層幅を測定します。強反転状態の空乏層幅が不純物濃度に比例することに...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

非接触式シート抵抗測定機『LEI-1510シリーズ』

広い範囲で優れた測定直線性！三次元グラフィックマップとしてPCモニター…

『LEI-1510シリーズ』は、旧リハイトン社製の非接触式シート抵抗測定機です。 ロボットを取り付ける事により、多数枚を迅速に計測処理する事が可能。 四探針方式で起こる、探針の接触汚染や接触具合による再現性の問題を 解決します。 2インチから最大8インチ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

ナノインデンター『IND-1000』

圧痕を直接観察することも可能！硬度、弾性率、耐摩耗性、耐傷性などの測定…

『IND-1000』は、押し込み荷重と変位を測定し、薄膜、樹脂、金属などの 様々な物質の硬度や弾性率を測定するナノインデンターです。 AFMにナノインデンターのヘッドを搭載することで、圧痕を直接観察する ことも可能。 また、高精度...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

薄膜評価装置『分光エリプソメーター』

【デモ可能】化合物半導体材料の組成比の評価も可能！非接触・非破壊でエピ…

『分光エリプソメーター』は、非接触・非破壊でエピ膜を含む薄膜の膜厚値、 屈折率、消衰係数を精度良く測定する薄膜評価装置です。 化合物半導体材料の組成比の評価も可能。 主な評価・測定項目は、“薄膜の膜厚値”、“エピ膜厚値”、“屈折率”、 “消衰係数”、“化合物半導体の組成比”、“ドーパン...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

Junction Photo Voltage(JPV)

JPV法により、非接触で、PNジャンクションのジャンクション・リーク、…

JPV法（ジャンクション・フォト・ボルテッジ法）を用いているため、高速で再現性の良いマッピング測定が可能です。 【特徴】 - 非接触、非破壊測定 - プローブの調整は不要 - 測定のための特別な試料準備は不必要 - 表面に酸化膜やコーティングが存在しても測定可能 - 空間分解能の...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

非接触・非破壊インプラモニター　PMR-3000

インプラ後のドーズ量モニタリングとアニール処理前後のジャンクション深度…

ャリアを発生させ、明らかなダメージが存在するところを熱します ■過剰少数キャリア勾配は屈折勾配のインデックスを形成します ■Probe Laserはジャンクション深さ、ドーズレベル、PAI深さを測定するために屈折勾配インデックスまたは表面の熱情報を利用します ■Generation Laserは2kHzに変調され、これにより、優れたS/N比を実現します ■長波長のProbe Laserはサ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

結晶欠陥分析装置(非接触、非破壊式)

結晶欠陥分析装置(非接触、非破壊式)

ウェハーを割らずにそのままで測定可能です。...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

複合SEM-AFMシステム

表面とナノ構造を測定する機能！ミリメートルから原子レベルまでをカバーし…

MerlinシリーズとCrossbeamシリーズにご利用でき、既存のシステムを 簡単なドア交換で更新できます。 【特長】 ■SEMとFIBはカンチレバーチップで交差 ■3つの全手法の複合測定を空間内・サンプル上の完全に同じ点で実行可能 ■単一原子の3D分解能を実現するよう設計 ■5mmの最小SEM作動距離を維持しながら、SEMで0°～85°の視野角を使用可能 ■FIBによるin-...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

分光エリプソメーター　赤外領域

赤外分光エリプソメトリー

- FTIR測定においても、偏光しているので、より多くの情報をとることが可能です。 - レファレンス測定が必要ないので高速に測定が可能です。 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

結晶欠陥検査装置『EnVision』

非破壊/非接触！nmスケールのウェハー内部の拡張欠陥の検出とモニタリン…

『En-Vison』は、転位欠陥、酸素析出物、積層欠陥などのウェハー内部の 結晶欠陥を非接触・非破壊で測定・評価ができる結晶欠陥検査装置です。 欠陥サイズ（15nm～サブミクロン）と密度（E6～E10/cm3）の両方で ハイダイナミックレンジを提供。 ウェハー深さ方向の検出感度を大幅に向上...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

表面電荷分析装置 SCA2011

表面電荷分析装置

ウェハー表面電荷量及び界面準位密度の測定 　　■酸化膜工程 　　　・ウェハー汚染やプラズマ損傷による酸化膜中 　　　　電荷量の変化 　　　・熱ストレス等による界面準位密度の変化 　　　・窒化酸化膜中の固定電荷モニター 　　...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

ロールツーロール分光エリプソメータ

ロールツーロール分光エリプソメータ

ロールツーロールにてノンストップで膜厚を多点測定可能です。...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社